- •1. Классификация полупроводниковых материалов.
- •1. Явления поляризации в диэлектриках. Виды поляризации. Диэлектрическая проницаемость и диэлектрические потери.
- •4. Стеклообразные диэлектрики, их свойства и применение.
- •5. Неполярные, полярные и термостойкие органические диэлектрики.
- •6. Конструкционные металлические сплавы на основе Fe, Al, Cu
- •7. Композиционные листовые пластмассы. Материалы для оснований печатных плат вч и свч диапазонов.
- •2.5. Композиционные, наполненные пластмассы
- •2.5.2. Наполнители
- •2.5.3. Пластмассы с листовым наполнителем
- •2.5.4. Листовые материалы для производства печатных плат
- •8. Сегнетоэлектрики
- •12. Керамика, особенности структуры и основные характеристики установочной и конденсаторной керамики.
- •2. Керамика
- •3.3.2. Конденсаторная керамика
- •14. Зонная структура металла, концентрация и подвижность носителей заряда в металле.
- •15. Эпитаксиальный рост пленок полупроводника.
- •16 Анализ p–n перехода, физика работы диода.
- •18. Ионная имплантация примесей в полупроводник.
- •22. Ионно-плазменное осаждение тонких пленок.
- •27.Усилительные каскады на биполярных и полевых транзисторах.
- •1.2 Эквивалентные схемы резисторного каскада на различных частотах
- •31 Ескд. Виды и комплектность конструкторской документации.
- •33. Конструктивные, технологические и эксплуатационные требования к эс
- •34. Стадии и этапы проектирования электронных средств и разработки технической документации.
- •35. Особенности проектирования эс
- •39. Унифицированные базовые конструкции и их влияние на качество и себестоимость.
- •IV. Унификация.
- •41. Защита рэс от атмосферных воздействий.
- •42. Защитные покрытия, их классификация и основные характеристики. Виды и материалы покрытий.
- •44. Обеспечение надежности рэс в процессе проектирования и производства рэс.
- •45. Статистический ряд и его обработка при управлении качеством
- •46. Международные стандарты по управлению качеством.
- •47. Математическая модель биполярного транзистора, ее основные элементы
- •50. Структура и состав сапр. Состав и возможности современных пакетов проектирования рэс.
- •54. Топологическое проектирование рэс (компоновка, размещение, трассировка), как задачи структурной оптимизации.
- •57. Амплитудная модуляция
- •58. Обобщенная трехточечная схема автогенератора
- •58. Транзисторные автогенераторы
- •1.5 Кварцевые автогенераторы
- •61. Физическая сущность процесса детектирования амплитудно-модулированных сигналов
- •В этом случае ток, протекающий через диод будет иметь им-
- •1.4 Схемы диодных детекторов Различают последовательную (рис. 2.5) и параллельную (рис. 2.6) схемы построения диодных детекторов.
- •1.5 Нелинейные искажения в детекторе больших амплитуд
- •1.6 Линейное детектирование в амплитудных детекторах
- •Тогда ток, протекающий в цепи диода, равен
- •Определим среднее значение тока в цепи диода
- •Пусть на вход детектора подан ам- сигнал
- •Определим коэффициент детектирования
- •С учетом выражений (2.6) и (2.4) запишем
- •64. Принцип факсимильной передачи сообщений.
- •65. Типизация технологических процессов. Типовые и групповые технологические процессы.
- •69.Типы и свойства нефольгированных и фольгированных диэлектриков, используемых для изготовления печатных плат.
- •70. Методы изготовления пп по субтрактивной технологии.
- •71. Методы изготовления пп по аддитивной технологии
- •74. Методы изготовления мпп
- •4.3.1.1. Метод металлизации сквозных отверстий
- •4.3.1.2. Метод открытых контактных площадок
- •4.3.1.3. Мпп с выступающими выводами
- •4.3.1.4. Метод попарного прессования
- •4.3.1.5. Метод послойного наращивания
- •4.3.2. Мпп прецизионные на фолыированном основании
- •4.3.4. Мпп прецизионные на нефольгированном основании
- •4.3.5. Мпп изготовленные методом пафос
- •75. Металлизация диэлектриков
- •77. Схемы технологических процессов
- •80. Методы и технология монтажной пайки.
- •81. Пайка одиночной и двойной волной припоя.
- •82. Конвекционная пайка. Температурный профиль пайки. Инфракрасная пайка.
- •83. Производственные погрешности, причины возникновения и законы распределения.
- •84. Задачи технологической подготовки рэс. Стандарты единой системы технологической подготовки производства и их классификация
- •Прогрессивных технологических процессов (тп),
- •Основные функции тпп. Задачи тпп, решаемые на стадиях проектирования
- •88. Изготовление деталей из керамических материалов.
- •Дополнительные операции.
- •89. Теплопроводность (кондуктивный перенос тепла)
- •3.1. Закон Фурье
- •3.2. Тепловые коэффициенты. Тепловые сопротивления. Метод электротепловых аналогий
- •3.3. Теплопередача цилиндрической, однородной стенки (трубы)
- •91. Конвективный теплообмен. Закон Ньютона-Рихмана.
- •92. Теплообмен излучением. Перенос тепла излучением.
- •Закон Ламберта -Этот закон определяет значение плотности потока излучения е в зависимости от его направления по отношению к равномерно излучающей поверхности тела.
- •93. Влагообмен в рэс Первый и второй закон Фика.
- •97. Классификация систем охлаждения рэа
- •11.2.1. Контактный способ охлаждения
- •11.2.2. Естественное воздушное охлаждение
- •11.2.3. Принудительное воздушное охлаждение
- •11.2.4. Жидкостные системы
1.5 Нелинейные искажения в детекторе больших амплитуд
При входных сигналах Uвх 0.3В можно считать, что детекторная характеристика полупроводникового диодного детектора I =(U) линейна. За счет характеристики нелинейных искажений не будет. Однако, нелинейные искажение могут возникнуть при неправильном выборе постоянной времени =RC (рис. 2.8).
Рисунок 2.8. Иллюстрация возникновения нелинейных искажений в детекторе.
Если произведение RC мало (рис. 2.8-а), то напряжение на конденсаторе успевает следить за изменением огибающей АМ-сигнала. Продетектированное напряжение изменяется по закону изменения огибающей. Это случай безинерционной работы амплитудного детектора.
Если произведение RC велико (рис. 2.8-б), то в интервале времени t1-t2 диод заперт, напряжение на конденсаторе (UC=Uвых) не отслеживает изменений подводимого к диоду детектора высокочастотного напряжения. Детектор инерционен, т.е. он вносит искажения.
Условие безинерционной работы детектора (условие Сиффова) имеет вид
вRнC(1+m2max)0.5/mmax,
33
где В – верхняя модулирующая частота; mmax - максимальное значение глубины модуляции.
1.6 Линейное детектирование в амплитудных детекторах
При Uвхmin0.3В детекторная характеристика линейна. Амплитудный детектор называется линейным, если в нем наблюдается прямо пропорциональная зависимость приращения тока от подводимого напряжения.
Пусть в схеме последовательного амплитудного детектора (рис. 2.5) входной сигнал описывается выражением
uвх(t)=Umcost (2.1)
За счет протекания постоянной составляющей тока через нагрузку детектора на диод подается постоянное смещение
U0=IсрRH,
а в целом к диоду приложено напряжение
u(t)=Umcost-U0=Um(cost-cos),
где cos=U0/Um; - угол отсечки.
Тогда ток, протекающий в цепи диода, равен
i(t)=S u(t)=S Um (cost-cos),
где S- крутизна вольт-амперной характеристики диода.
Определим среднее значение тока в цепи диода
(2.2)
Итак, приращение тока зависит от амплитуды высокочастотного колебания и от угла отсечки.
Определим, от чего зависит угол отсечки
cos=U0/Um=(IсрRH)/Um=(SRH/)/(sin-cos). (2.3)
Откуда
(sin-cos)/cos=tg-=/(SRH). (2.4)
Итак, угол отсечки зависит только от крутизны вольт-амперной характеристик и сопротивления нагрузки. Он не зависит от амплитуды высокочастотного колебания.
34
Обычно угол отсечки задают порядка 100-200, поэтому cos близок к 1.
Рисунок 2.9. Линейное детектирование: а - идеальная детекторная характеристика; б - входные воздействия; в - ток в цепи детектора
Пусть на вход детектора подан ам- сигнал
u(t)=U(1+mcost)cost. (2.5)
С учетом выражения (2)
Iср=[(SU(1+ mcost))/](sin-cos)=I0+I=
=(SU/)(sin-cos)+((SUm)/))(sin-cos)cost. (2.6)
Таким образом, среднее значение тока в цепи диода состоит из постоянной составляющей и составляющей низкой частоты, что было показано ранее (рис. 2.4 -в, г).
