
- •1. Классификация полупроводниковых материалов.
- •1. Явления поляризации в диэлектриках. Виды поляризации. Диэлектрическая проницаемость и диэлектрические потери.
- •4. Стеклообразные диэлектрики, их свойства и применение.
- •5. Неполярные, полярные и термостойкие органические диэлектрики.
- •6. Конструкционные металлические сплавы на основе Fe, Al, Cu
- •7. Композиционные листовые пластмассы. Материалы для оснований печатных плат вч и свч диапазонов.
- •2.5. Композиционные, наполненные пластмассы
- •2.5.2. Наполнители
- •2.5.3. Пластмассы с листовым наполнителем
- •2.5.4. Листовые материалы для производства печатных плат
- •8. Сегнетоэлектрики
- •12. Керамика, особенности структуры и основные характеристики установочной и конденсаторной керамики.
- •2. Керамика
- •3.3.2. Конденсаторная керамика
- •14. Зонная структура металла, концентрация и подвижность носителей заряда в металле.
- •15. Эпитаксиальный рост пленок полупроводника.
- •16 Анализ p–n перехода, физика работы диода.
- •18. Ионная имплантация примесей в полупроводник.
- •22. Ионно-плазменное осаждение тонких пленок.
- •27.Усилительные каскады на биполярных и полевых транзисторах.
- •1.2 Эквивалентные схемы резисторного каскада на различных частотах
- •31 Ескд. Виды и комплектность конструкторской документации.
- •33. Конструктивные, технологические и эксплуатационные требования к эс
- •34. Стадии и этапы проектирования электронных средств и разработки технической документации.
- •35. Особенности проектирования эс
- •39. Унифицированные базовые конструкции и их влияние на качество и себестоимость.
- •IV. Унификация.
- •41. Защита рэс от атмосферных воздействий.
- •42. Защитные покрытия, их классификация и основные характеристики. Виды и материалы покрытий.
- •44. Обеспечение надежности рэс в процессе проектирования и производства рэс.
- •45. Статистический ряд и его обработка при управлении качеством
- •46. Международные стандарты по управлению качеством.
- •47. Математическая модель биполярного транзистора, ее основные элементы
- •50. Структура и состав сапр. Состав и возможности современных пакетов проектирования рэс.
- •54. Топологическое проектирование рэс (компоновка, размещение, трассировка), как задачи структурной оптимизации.
- •57. Амплитудная модуляция
- •58. Обобщенная трехточечная схема автогенератора
- •58. Транзисторные автогенераторы
- •1.5 Кварцевые автогенераторы
- •61. Физическая сущность процесса детектирования амплитудно-модулированных сигналов
- •В этом случае ток, протекающий через диод будет иметь им-
- •1.4 Схемы диодных детекторов Различают последовательную (рис. 2.5) и параллельную (рис. 2.6) схемы построения диодных детекторов.
- •1.5 Нелинейные искажения в детекторе больших амплитуд
- •1.6 Линейное детектирование в амплитудных детекторах
- •Тогда ток, протекающий в цепи диода, равен
- •Определим среднее значение тока в цепи диода
- •Пусть на вход детектора подан ам- сигнал
- •Определим коэффициент детектирования
- •С учетом выражений (2.6) и (2.4) запишем
- •64. Принцип факсимильной передачи сообщений.
- •65. Типизация технологических процессов. Типовые и групповые технологические процессы.
- •69.Типы и свойства нефольгированных и фольгированных диэлектриков, используемых для изготовления печатных плат.
- •70. Методы изготовления пп по субтрактивной технологии.
- •71. Методы изготовления пп по аддитивной технологии
- •74. Методы изготовления мпп
- •4.3.1.1. Метод металлизации сквозных отверстий
- •4.3.1.2. Метод открытых контактных площадок
- •4.3.1.3. Мпп с выступающими выводами
- •4.3.1.4. Метод попарного прессования
- •4.3.1.5. Метод послойного наращивания
- •4.3.2. Мпп прецизионные на фолыированном основании
- •4.3.4. Мпп прецизионные на нефольгированном основании
- •4.3.5. Мпп изготовленные методом пафос
- •75. Металлизация диэлектриков
- •77. Схемы технологических процессов
- •80. Методы и технология монтажной пайки.
- •81. Пайка одиночной и двойной волной припоя.
- •82. Конвекционная пайка. Температурный профиль пайки. Инфракрасная пайка.
- •83. Производственные погрешности, причины возникновения и законы распределения.
- •84. Задачи технологической подготовки рэс. Стандарты единой системы технологической подготовки производства и их классификация
- •Прогрессивных технологических процессов (тп),
- •Основные функции тпп. Задачи тпп, решаемые на стадиях проектирования
- •88. Изготовление деталей из керамических материалов.
- •Дополнительные операции.
- •89. Теплопроводность (кондуктивный перенос тепла)
- •3.1. Закон Фурье
- •3.2. Тепловые коэффициенты. Тепловые сопротивления. Метод электротепловых аналогий
- •3.3. Теплопередача цилиндрической, однородной стенки (трубы)
- •91. Конвективный теплообмен. Закон Ньютона-Рихмана.
- •92. Теплообмен излучением. Перенос тепла излучением.
- •Закон Ламберта -Этот закон определяет значение плотности потока излучения е в зависимости от его направления по отношению к равномерно излучающей поверхности тела.
- •93. Влагообмен в рэс Первый и второй закон Фика.
- •97. Классификация систем охлаждения рэа
- •11.2.1. Контактный способ охлаждения
- •11.2.2. Естественное воздушное охлаждение
- •11.2.3. Принудительное воздушное охлаждение
- •11.2.4. Жидкостные системы
61. Физическая сущность процесса детектирования амплитудно-модулированных сигналов
В радиоприемниках часто используют диодное детектирование. Это значит, что в составе амплитудного детектора имеется диод, к которому подводится исходный подлежащий детектированию сигнал.
Пусть на вход детектора поступает ВЧ немодулированный сигнал (рис. 2.3-а) uвх(t)=Umвхcost.
Считаем, что диод является идеальным, в частности сопротивление диода в прямом направлении равно нулю, а в обратном – бесконечности, диод обладает односторонней проводимостью.
В этом случае ток, протекающий через диод будет иметь им-
а) б)
Рисунок 2.3. Детектирование немодулированного колебания
пульсный характер (рис. 2.3-б). Полученная периодическая негармоническая последовательность может быть представлена в виде ряда Фурье
i=I=+I1cost+ I2cos2t+ ...,
где I= постоянная составляющая или среднее значение выпрямленного тока.
Величина I= не изменяется от периода к периоду исходного воздействия.
П
усть
на вход детектора поступает высокочастотный
модулированный по амплитуде сигнал
(рис. 2.4-а) uвх(t)=U(1+cost)cost
В этом случае среднее значение тока, протекающего через диод за период высокочастотного воздействующего колебания, изменяется от периода к периоду исходного сигнала (рис. 2.4-б). Такой электрический ток можно представить в виде суммы постоянной составляющей, неизменной во времени и составляющей тока низкой частоты (рис. 2.4-в). Низкочастотная компонента тока изменяется по закону огибающей АМ-сигнала, выделение полезной информации осуществляется без искажений. Для реализации появившейся низкочастотной составляющей тока нужно включить нагрузку. На нагрузке выделяется напряжение низкой частоты (рис. 2.4-д). Включение колебательного контура нецелесообразно, он громоздок, т.к. нужно выделить низкую частоту. Кроме того, в процессе детектирования нужно выделить полосу частот, ограниченную верхней модулирующей частотой Fв, а колебательный контур в области низких частот будет характеризоваться узкой полосой пропускания.
1.4 Схемы диодных детекторов Различают последовательную (рис. 2.5) и параллельную (рис. 2.6) схемы построения диодных детекторов.
В
последовательной схеме источник сигнала,
диод, нагрузка включены последовательно.
Такая схема применяется, если постоянная
составляющая тока детектора может
замыкаться через источник переменного
тока.
УПЧ
30
Рисунок 2.6. Принципиальная схема параллельного АМ-детектора
Для снижения коэффициента фильтрации обычно нагрузку разделяют. Однако разделение нагрузки влечет за собой снижение коэффициента детектирования. Сопротивление нагрузки берут из соображений нешунтирования колебательного контура, являющегося источником высокочастотного АМ-сигнала. Для последовательного детектора
Rвх=Rн/2.
В схеме последовательного детектора нагрузка детектора шунтируется емкостью для устранения проникновения высокочастотного колебания в усилитель низкой частоты, следующий за детектором. Ток, протекающий через диод, пропорционален подведенному к диоду высокочастотному напряжению. Поэтому все напряжение, снимаемое с источника высокой частоты, нужно без потерь подвести к диоду. В этом состоит второе назначение емкости. При ее отсутствии были бы потери высокочастотного сигнала на нагрузке.
Низкочастотная составляющая тока должна протекать через сопротивление нагрузки, а высокочастотные компоненты тока должны протекать перед шунтирующую нагрузку конденсатор, не создавая (в идеальном случае) напряжения высокой частоты, поступающие в дальнейшем в усилитель низкой частоты. Поэтому величины обсуждаемых элементов нужно выбирать из соотношения
1/C<<RH<<1/BC,
где B – верхняя модулирующая частота.
Если величина 1/BС будет мала, то это повлечет за собой завал верхних модулирующих частот (рис. 2.7)
F
Рисунок 2.7. Зависимость напряжения низкой частоты на выходе детектора от частоты модулирующего сигнала: а) С=С1; б) С=С2<С1.
Параллельная схема диодного детектора применяется, если постоянная составляющая не может замкнуться через источник высокочастотного сигнала. В этом случае источник высокочастотного АМ- сигнал, диод, нагрузка включены параллельно (рис. 2.6). Особенности параллельного детектора: 1. Разделены пути переменной и постоянной составляющих токов; 2. В детекторе отсутствует фильтрация высокочастотного сигнала, он полностью поступает на выход детектора, т.е. Кф=1. Чтобы не пропустить высокочастотные компоненты на вход усилителя низкой частоты, после детектора включают фильтр RфCф (рис. 2.6). Высокочастотное напряжение в основном выделяется на резисторе Rф, низкочастотное напряжение выделяется на конденсаторе Сф.
В транзисторных радиоприемниках нагрузкой детектора служат не только сопротивление RH, но и входное сопротивление первого каскада УНЧ, величина которого невелика. Поэтому сопротивление нагрузки детектора берут небольшим, порядка нескольких кОм. Это резко уменьшает входное сопротивление детектора. Чтобы уменьшить шунтирующее действие входного сопротивления детектора на колебательный контур, являющийся источником высокочастотного модулированного колебания, применяется неполное включение детектора в цепь колебательного контура УПЧ (рис. 2.6).