
- •1. Классификация полупроводниковых материалов.
- •1. Явления поляризации в диэлектриках. Виды поляризации. Диэлектрическая проницаемость и диэлектрические потери.
- •4. Стеклообразные диэлектрики, их свойства и применение.
- •5. Неполярные, полярные и термостойкие органические диэлектрики.
- •6. Конструкционные металлические сплавы на основе Fe, Al, Cu
- •7. Композиционные листовые пластмассы. Материалы для оснований печатных плат вч и свч диапазонов.
- •2.5. Композиционные, наполненные пластмассы
- •2.5.2. Наполнители
- •2.5.3. Пластмассы с листовым наполнителем
- •2.5.4. Листовые материалы для производства печатных плат
- •8. Сегнетоэлектрики
- •12. Керамика, особенности структуры и основные характеристики установочной и конденсаторной керамики.
- •2. Керамика
- •3.3.2. Конденсаторная керамика
- •14. Зонная структура металла, концентрация и подвижность носителей заряда в металле.
- •15. Эпитаксиальный рост пленок полупроводника.
- •16 Анализ p–n перехода, физика работы диода.
- •18. Ионная имплантация примесей в полупроводник.
- •22. Ионно-плазменное осаждение тонких пленок.
- •27.Усилительные каскады на биполярных и полевых транзисторах.
- •1.2 Эквивалентные схемы резисторного каскада на различных частотах
- •31 Ескд. Виды и комплектность конструкторской документации.
- •33. Конструктивные, технологические и эксплуатационные требования к эс
- •34. Стадии и этапы проектирования электронных средств и разработки технической документации.
- •35. Особенности проектирования эс
- •39. Унифицированные базовые конструкции и их влияние на качество и себестоимость.
- •IV. Унификация.
- •41. Защита рэс от атмосферных воздействий.
- •42. Защитные покрытия, их классификация и основные характеристики. Виды и материалы покрытий.
- •44. Обеспечение надежности рэс в процессе проектирования и производства рэс.
- •45. Статистический ряд и его обработка при управлении качеством
- •46. Международные стандарты по управлению качеством.
- •47. Математическая модель биполярного транзистора, ее основные элементы
- •50. Структура и состав сапр. Состав и возможности современных пакетов проектирования рэс.
- •54. Топологическое проектирование рэс (компоновка, размещение, трассировка), как задачи структурной оптимизации.
- •57. Амплитудная модуляция
- •58. Обобщенная трехточечная схема автогенератора
- •58. Транзисторные автогенераторы
- •1.5 Кварцевые автогенераторы
- •61. Физическая сущность процесса детектирования амплитудно-модулированных сигналов
- •В этом случае ток, протекающий через диод будет иметь им-
- •1.4 Схемы диодных детекторов Различают последовательную (рис. 2.5) и параллельную (рис. 2.6) схемы построения диодных детекторов.
- •1.5 Нелинейные искажения в детекторе больших амплитуд
- •1.6 Линейное детектирование в амплитудных детекторах
- •Тогда ток, протекающий в цепи диода, равен
- •Определим среднее значение тока в цепи диода
- •Пусть на вход детектора подан ам- сигнал
- •Определим коэффициент детектирования
- •С учетом выражений (2.6) и (2.4) запишем
- •64. Принцип факсимильной передачи сообщений.
- •65. Типизация технологических процессов. Типовые и групповые технологические процессы.
- •69.Типы и свойства нефольгированных и фольгированных диэлектриков, используемых для изготовления печатных плат.
- •70. Методы изготовления пп по субтрактивной технологии.
- •71. Методы изготовления пп по аддитивной технологии
- •74. Методы изготовления мпп
- •4.3.1.1. Метод металлизации сквозных отверстий
- •4.3.1.2. Метод открытых контактных площадок
- •4.3.1.3. Мпп с выступающими выводами
- •4.3.1.4. Метод попарного прессования
- •4.3.1.5. Метод послойного наращивания
- •4.3.2. Мпп прецизионные на фолыированном основании
- •4.3.4. Мпп прецизионные на нефольгированном основании
- •4.3.5. Мпп изготовленные методом пафос
- •75. Металлизация диэлектриков
- •77. Схемы технологических процессов
- •80. Методы и технология монтажной пайки.
- •81. Пайка одиночной и двойной волной припоя.
- •82. Конвекционная пайка. Температурный профиль пайки. Инфракрасная пайка.
- •83. Производственные погрешности, причины возникновения и законы распределения.
- •84. Задачи технологической подготовки рэс. Стандарты единой системы технологической подготовки производства и их классификация
- •Прогрессивных технологических процессов (тп),
- •Основные функции тпп. Задачи тпп, решаемые на стадиях проектирования
- •88. Изготовление деталей из керамических материалов.
- •Дополнительные операции.
- •89. Теплопроводность (кондуктивный перенос тепла)
- •3.1. Закон Фурье
- •3.2. Тепловые коэффициенты. Тепловые сопротивления. Метод электротепловых аналогий
- •3.3. Теплопередача цилиндрической, однородной стенки (трубы)
- •91. Конвективный теплообмен. Закон Ньютона-Рихмана.
- •92. Теплообмен излучением. Перенос тепла излучением.
- •Закон Ламберта -Этот закон определяет значение плотности потока излучения е в зависимости от его направления по отношению к равномерно излучающей поверхности тела.
- •93. Влагообмен в рэс Первый и второй закон Фика.
- •97. Классификация систем охлаждения рэа
- •11.2.1. Контактный способ охлаждения
- •11.2.2. Естественное воздушное охлаждение
- •11.2.3. Принудительное воздушное охлаждение
- •11.2.4. Жидкостные системы
58. Транзисторные автогенераторы
Транзисторные автогенераторы имеют ряд существенных особенностей:
– рабочая частота транзисторного АГ, как правило, отличается от резонансной частоты колебательной системы в большей степени, чем у ламповых генераторов, что объясняется большей величиной емкости р-n-переходов (по сравнению с межэлектродными емкостями ламп);
– на работу транзисторного АГ оказывают весьма существенное влияние инерционные свойства триода, связанные с диффузионным характером движения носителей в области базы;
– емкости р-n-переходов не только значительно превышают межэлектродные емкости ламп, но и в значительной степени зависят от режима триода и температуры, что отрицательно сказывается на стабильности частоты АГ.
Различают три варианта схем автогенераторов:
– с трансформаторной (или индуктивной) связью;
– с автотрансформаторной связью;
– с емкостной связью.
Ниже представлены практические схемы транзисторных автогенераторов.
На рис.1.7, 1.8, 1.9 потенциометр R1R2 служит для подачи на базу небольшого смещения, которое обеспечивает достаточно высокую крутизну характеристики триода в исходном режиме и легкость возбуждения колебаний. Ток базы Iб0, протекающий через сопротивление R3 создает положительное автоматическое смещение, обеспечивающее получение необходимого угла отсечки коллекторного тока в автоколебательном режиме АГ.
Рис.1.7. Автогенератор с трансформаторной ОС Рис.1.8. Автогенератор с автотрансформаторной ОС
Рис.1.9. Автогенератор с емкостной О.С. Рис. 1.10. Автогенератор с трансформаторной О.С.
Н
а
рис.1.10, 1.11, 1.12 напряжение смещения на
базу подается с сопротивления Rб.
Еб = Iб0 Rб
Рис.1.11. Автогенератор с автотрансформаторной О.С. 1.12. Автогенератор с емкостной О.С.
На рис.1.10 питание базы последовательное. На рис.1.11, 1.12 питание цепи базы параллельное.
1.5 Кварцевые автогенераторы
Кварцевая пластина обладает пьезоэлектрическим эффектом, суть которого заключается в следующем.
Если на кварцевую пластину воздействовать электрическими колебаниями, то на гранях пластины возникают механические напряжения, приводящие к
механическим колебаниям пластины. И, наоборот, переменные механические деформации пластины кварца приводят к появлению на гранях пластины переменных электрических напряжений.
Так как кварцевая пластина является упругим телом, то возникающие в ней колебания имеют собственные частоты. Если частота ЭДС, приложенной к пластине кварца, равна собственной частоте кварца, то наступит электрический и механический резонанс и ток во внешней цепи будет максимальным.
Механическая система в радиотехнике заменяется эквивалентной колебательной.
Рис.1.13. Эквивалентная схема кварцевого резонатора
Схемы кварцевых генераторов классифицируются в зависимости от того, между какими электродами включается кварц. Напомним, кварц используется в качестве индуктивности. Возможно подключение кварца к полупроводниковому триоду: между коллектором и базой, коллектором и эмиттером, эмиттером и базой.
Рис.1.15. Схема кварцевого Рис.1.16. Схема кварцевого
автогенератора
с кварцем в цепи автогенератора с
кварцем в цепи
коллектор-база коллектор-эмиттер
Рис.1.17. Схема кварцевого автогенератора с кварцем в цепи база-эмиттер
Наиболее распространенной является схема автогенератора с кварцем в цепи коллектор-база. Реже используется автогенератор с кварцем в цепи коллектор-эмиттер. Недостаток заключается в том, что кварц шунтируется выходным сопротивлением транзистора, которое в общем случае комплексно, а также кварц шунтируется резистором Rk. Кварцевый автогенератор с кварцем в цепи база-эмиттер используется редко из-за сильного шунтирования кварца малым входным сопротивлением транзистора, что приводит к уменьшению эквивалентной добротности колебательной системы, к снижению ее эквивалентного сопротивления.