
- •1. Классификация полупроводниковых материалов.
- •1. Явления поляризации в диэлектриках. Виды поляризации. Диэлектрическая проницаемость и диэлектрические потери.
- •4. Стеклообразные диэлектрики, их свойства и применение.
- •5. Неполярные, полярные и термостойкие органические диэлектрики.
- •6. Конструкционные металлические сплавы на основе Fe, Al, Cu
- •7. Композиционные листовые пластмассы. Материалы для оснований печатных плат вч и свч диапазонов.
- •2.5. Композиционные, наполненные пластмассы
- •2.5.2. Наполнители
- •2.5.3. Пластмассы с листовым наполнителем
- •2.5.4. Листовые материалы для производства печатных плат
- •8. Сегнетоэлектрики
- •12. Керамика, особенности структуры и основные характеристики установочной и конденсаторной керамики.
- •2. Керамика
- •3.3.2. Конденсаторная керамика
- •14. Зонная структура металла, концентрация и подвижность носителей заряда в металле.
- •15. Эпитаксиальный рост пленок полупроводника.
- •16 Анализ p–n перехода, физика работы диода.
- •18. Ионная имплантация примесей в полупроводник.
- •22. Ионно-плазменное осаждение тонких пленок.
- •27.Усилительные каскады на биполярных и полевых транзисторах.
- •1.2 Эквивалентные схемы резисторного каскада на различных частотах
- •31 Ескд. Виды и комплектность конструкторской документации.
- •33. Конструктивные, технологические и эксплуатационные требования к эс
- •34. Стадии и этапы проектирования электронных средств и разработки технической документации.
- •35. Особенности проектирования эс
- •39. Унифицированные базовые конструкции и их влияние на качество и себестоимость.
- •IV. Унификация.
- •41. Защита рэс от атмосферных воздействий.
- •42. Защитные покрытия, их классификация и основные характеристики. Виды и материалы покрытий.
- •44. Обеспечение надежности рэс в процессе проектирования и производства рэс.
- •45. Статистический ряд и его обработка при управлении качеством
- •46. Международные стандарты по управлению качеством.
- •47. Математическая модель биполярного транзистора, ее основные элементы
- •50. Структура и состав сапр. Состав и возможности современных пакетов проектирования рэс.
- •54. Топологическое проектирование рэс (компоновка, размещение, трассировка), как задачи структурной оптимизации.
- •57. Амплитудная модуляция
- •58. Обобщенная трехточечная схема автогенератора
- •58. Транзисторные автогенераторы
- •1.5 Кварцевые автогенераторы
- •61. Физическая сущность процесса детектирования амплитудно-модулированных сигналов
- •В этом случае ток, протекающий через диод будет иметь им-
- •1.4 Схемы диодных детекторов Различают последовательную (рис. 2.5) и параллельную (рис. 2.6) схемы построения диодных детекторов.
- •1.5 Нелинейные искажения в детекторе больших амплитуд
- •1.6 Линейное детектирование в амплитудных детекторах
- •Тогда ток, протекающий в цепи диода, равен
- •Определим среднее значение тока в цепи диода
- •Пусть на вход детектора подан ам- сигнал
- •Определим коэффициент детектирования
- •С учетом выражений (2.6) и (2.4) запишем
- •64. Принцип факсимильной передачи сообщений.
- •65. Типизация технологических процессов. Типовые и групповые технологические процессы.
- •69.Типы и свойства нефольгированных и фольгированных диэлектриков, используемых для изготовления печатных плат.
- •70. Методы изготовления пп по субтрактивной технологии.
- •71. Методы изготовления пп по аддитивной технологии
- •74. Методы изготовления мпп
- •4.3.1.1. Метод металлизации сквозных отверстий
- •4.3.1.2. Метод открытых контактных площадок
- •4.3.1.3. Мпп с выступающими выводами
- •4.3.1.4. Метод попарного прессования
- •4.3.1.5. Метод послойного наращивания
- •4.3.2. Мпп прецизионные на фолыированном основании
- •4.3.4. Мпп прецизионные на нефольгированном основании
- •4.3.5. Мпп изготовленные методом пафос
- •75. Металлизация диэлектриков
- •77. Схемы технологических процессов
- •80. Методы и технология монтажной пайки.
- •81. Пайка одиночной и двойной волной припоя.
- •82. Конвекционная пайка. Температурный профиль пайки. Инфракрасная пайка.
- •83. Производственные погрешности, причины возникновения и законы распределения.
- •84. Задачи технологической подготовки рэс. Стандарты единой системы технологической подготовки производства и их классификация
- •Прогрессивных технологических процессов (тп),
- •Основные функции тпп. Задачи тпп, решаемые на стадиях проектирования
- •88. Изготовление деталей из керамических материалов.
- •Дополнительные операции.
- •89. Теплопроводность (кондуктивный перенос тепла)
- •3.1. Закон Фурье
- •3.2. Тепловые коэффициенты. Тепловые сопротивления. Метод электротепловых аналогий
- •3.3. Теплопередача цилиндрической, однородной стенки (трубы)
- •91. Конвективный теплообмен. Закон Ньютона-Рихмана.
- •92. Теплообмен излучением. Перенос тепла излучением.
- •Закон Ламберта -Этот закон определяет значение плотности потока излучения е в зависимости от его направления по отношению к равномерно излучающей поверхности тела.
- •93. Влагообмен в рэс Первый и второй закон Фика.
- •97. Классификация систем охлаждения рэа
- •11.2.1. Контактный способ охлаждения
- •11.2.2. Естественное воздушное охлаждение
- •11.2.3. Принудительное воздушное охлаждение
- •11.2.4. Жидкостные системы
57. Амплитудная модуляция
Управление
амплитудой высокочастотных колебаний
называется амплитудной модуляцией/АМ/.
В
процессе АМ происходит изменение
амплитуды напряжения несущей частоты
в
соответствии с законом изменения
модулирующей частоты
(
>>).
Уравнение модулированных по амплитуде колебаний имеет вид:
(6.6)
где m - коэффициент глубины модуляции , Уравнению (6.6) соответствует временное представление АМ колебаний, изображенное на рис.6.5. Путем простых тригонометрических преобразований уравнение (6.6) может быть представлено в виде:
(6.7)
Из
этого уравнения следует, что модулированное
по амплитуде гармоническим током частоты
колебание высокой частоты представляет
собой сумму 3-х колебаний. Спектральная
составляющая частоты имеют амплитуду
Um
и называется колебанием несущей частоты,
а составляющие частот + и - имеют
амплитуду
и называются колебаниями верхней и
нижней боковых частот.
Уравнению
(6.7) соответствует спектральное
представление модулированных колебаний,
изображенное графически на рис. 6.6.
При модуляции высокочастотных колебаний сложным сигналом возникают верхняя и нижняя боковые полосы частот (рис.6.7а). Ширина спектра АМ колебания определяется наивысшим значением частоты модулирующего сигнала и равна 2max.
58. Обобщенная трехточечная схема автогенератора
Схема называется трехточечной потому, что колебательная система, состоящая из сопротивлений z1, z2, z3, тремя точками подключена к усилительному элементу.
На рис.1.4 приведена обобщенная трехточечная схема автогенератора. Схема называется обобщенной потому, что сопротивления z1, z2, z3 представлены в общем виде.
Рис.1.4. Обобщенная трехточечная схема автогенератора
В качестве этих сопротивлений могут использоваться реактивные элементы L и С или более сложные системы.
Рассмотрим общие свойства схемы автогенератора.
Так как усилительный элемент дает фазовый сдвиг между напряжением возбуждения (UВ) и напряжением на выходе (UК) 1800 (при активном характере нагрузки), то для обеспечения баланса фаз необходимо в автогенераторе иметь дополнительный сдвиг на . Это достигается с помощью сопротивлений z1, z2, которые по существу образуют цепь обратной связи.
Обычно zn = Rn jxn jxn n = 1, 2, 3, т.к. сопротивление Rn мало.
Для выполнения баланса фаз необходимо, чтобы выполнялось условие
х1 +х2 + х3 = 0
Это обеспечивается настройкой в резонанс колебательной системы, включенной в коллекторную (выходную) цепь усилительного элемента.
Т.к. Uk UВ, то можно считать, что х1 х2, тогда резонанс, в первом приближении, наступит при условии х1 –х3, таким образом х1 и х3 по характеру реактивности различны.
Ц
епочка,
состоящая из элементов х1 и х2
дает сдвиг фаз между напряжением обратной
связи (Uос) и выходным
напряжением (UК)
автогенератора 1800. Это имеет место
в том случае, если элементы х1 и
х2 имеют противоположный характер
реактивности (рис.1.5). Для определенности
положим, что х1
0 (имеет индуктивный характер), а х2
0 (имеет емкостной
характер).
Рис.1.5. Реализация баланса фаз в автогенераторе
Р
еактивное
сопротивление элемента Х1 равно
х1 = jL,
где L – индуктивность
элемента х1. Реактивное сопротивление
элемента Х2 равно х2 = 1 / jС,
где С – емкость элемента х2. Так
как х1
х2,
то характер цепи (рис.1.5) будет практически
индуктивный. Поэтому вектор тока
будет отставать от вектора
,порождающего
этот ток, в пределе на угол /2
(рис.1.6).
Рис.1.6. Векторная диаграмма, иллюстрирующая фазовый сдвиг цепью обратной связи
Ток IK, протекая по сопротивлению х2, которое имеет емкостной характер, создает падение напряжения Uос, вектор которого отстает от вектора тока IК на угол /2. Итак, фазовый сдвиг между векторами напряжения на контуре и напряжения обратной связи составляет 1800.
При построении схем автогенераторов нужно иметь в виду следующее:
– элементы z1, z2 должны быть противоположными по знаку реактивности;
– элементы z1, z3 должны быть противоположными по знаку реактивности;
– элементы z2, z3 должны иметь одинаковые знаки реактивности;
– величина напряжения обратной связи определяется и варьируется элементом z2. Его значение выбирается исходя из условия реализации баланса амплитуд.
Название трехточечной схемы (емкостная, индуктивная) определяется по элементу z2.
Автогенератор, построенный по схеме индуктивной трехточки, называют также автогенератором с автотрансформаторной обратной связью.