- •1. Классификация полупроводниковых материалов.
- •1. Явления поляризации в диэлектриках. Виды поляризации. Диэлектрическая проницаемость и диэлектрические потери.
- •4. Стеклообразные диэлектрики, их свойства и применение.
- •5. Неполярные, полярные и термостойкие органические диэлектрики.
- •6. Конструкционные металлические сплавы на основе Fe, Al, Cu
- •7. Композиционные листовые пластмассы. Материалы для оснований печатных плат вч и свч диапазонов.
- •2.5. Композиционные, наполненные пластмассы
- •2.5.2. Наполнители
- •2.5.3. Пластмассы с листовым наполнителем
- •2.5.4. Листовые материалы для производства печатных плат
- •8. Сегнетоэлектрики
- •12. Керамика, особенности структуры и основные характеристики установочной и конденсаторной керамики.
- •2. Керамика
- •3.3.2. Конденсаторная керамика
- •14. Зонная структура металла, концентрация и подвижность носителей заряда в металле.
- •15. Эпитаксиальный рост пленок полупроводника.
- •16 Анализ p–n перехода, физика работы диода.
- •18. Ионная имплантация примесей в полупроводник.
- •22. Ионно-плазменное осаждение тонких пленок.
- •27.Усилительные каскады на биполярных и полевых транзисторах.
- •1.2 Эквивалентные схемы резисторного каскада на различных частотах
- •31 Ескд. Виды и комплектность конструкторской документации.
- •33. Конструктивные, технологические и эксплуатационные требования к эс
- •34. Стадии и этапы проектирования электронных средств и разработки технической документации.
- •35. Особенности проектирования эс
- •39. Унифицированные базовые конструкции и их влияние на качество и себестоимость.
- •IV. Унификация.
- •41. Защита рэс от атмосферных воздействий.
- •42. Защитные покрытия, их классификация и основные характеристики. Виды и материалы покрытий.
- •44. Обеспечение надежности рэс в процессе проектирования и производства рэс.
- •45. Статистический ряд и его обработка при управлении качеством
- •46. Международные стандарты по управлению качеством.
- •47. Математическая модель биполярного транзистора, ее основные элементы
- •50. Структура и состав сапр. Состав и возможности современных пакетов проектирования рэс.
- •54. Топологическое проектирование рэс (компоновка, размещение, трассировка), как задачи структурной оптимизации.
- •57. Амплитудная модуляция
- •58. Обобщенная трехточечная схема автогенератора
- •58. Транзисторные автогенераторы
- •1.5 Кварцевые автогенераторы
- •61. Физическая сущность процесса детектирования амплитудно-модулированных сигналов
- •В этом случае ток, протекающий через диод будет иметь им-
- •1.4 Схемы диодных детекторов Различают последовательную (рис. 2.5) и параллельную (рис. 2.6) схемы построения диодных детекторов.
- •1.5 Нелинейные искажения в детекторе больших амплитуд
- •1.6 Линейное детектирование в амплитудных детекторах
- •Тогда ток, протекающий в цепи диода, равен
- •Определим среднее значение тока в цепи диода
- •Пусть на вход детектора подан ам- сигнал
- •Определим коэффициент детектирования
- •С учетом выражений (2.6) и (2.4) запишем
- •64. Принцип факсимильной передачи сообщений.
- •65. Типизация технологических процессов. Типовые и групповые технологические процессы.
- •69.Типы и свойства нефольгированных и фольгированных диэлектриков, используемых для изготовления печатных плат.
- •70. Методы изготовления пп по субтрактивной технологии.
- •71. Методы изготовления пп по аддитивной технологии
- •74. Методы изготовления мпп
- •4.3.1.1. Метод металлизации сквозных отверстий
- •4.3.1.2. Метод открытых контактных площадок
- •4.3.1.3. Мпп с выступающими выводами
- •4.3.1.4. Метод попарного прессования
- •4.3.1.5. Метод послойного наращивания
- •4.3.2. Мпп прецизионные на фолыированном основании
- •4.3.4. Мпп прецизионные на нефольгированном основании
- •4.3.5. Мпп изготовленные методом пафос
- •75. Металлизация диэлектриков
- •77. Схемы технологических процессов
- •80. Методы и технология монтажной пайки.
- •81. Пайка одиночной и двойной волной припоя.
- •82. Конвекционная пайка. Температурный профиль пайки. Инфракрасная пайка.
- •83. Производственные погрешности, причины возникновения и законы распределения.
- •84. Задачи технологической подготовки рэс. Стандарты единой системы технологической подготовки производства и их классификация
- •Прогрессивных технологических процессов (тп),
- •Основные функции тпп. Задачи тпп, решаемые на стадиях проектирования
- •88. Изготовление деталей из керамических материалов.
- •Дополнительные операции.
- •89. Теплопроводность (кондуктивный перенос тепла)
- •3.1. Закон Фурье
- •3.2. Тепловые коэффициенты. Тепловые сопротивления. Метод электротепловых аналогий
- •3.3. Теплопередача цилиндрической, однородной стенки (трубы)
- •91. Конвективный теплообмен. Закон Ньютона-Рихмана.
- •92. Теплообмен излучением. Перенос тепла излучением.
- •Закон Ламберта -Этот закон определяет значение плотности потока излучения е в зависимости от его направления по отношению к равномерно излучающей поверхности тела.
- •93. Влагообмен в рэс Первый и второй закон Фика.
- •97. Классификация систем охлаждения рэа
- •11.2.1. Контактный способ охлаждения
- •11.2.2. Естественное воздушное охлаждение
- •11.2.3. Принудительное воздушное охлаждение
- •11.2.4. Жидкостные системы
27.Усилительные каскады на биполярных и полевых транзисторах.
Р
езисторный
каскад – основной тип каскада
предварительного усиления. Он применяется
также и в качестве выходного каскада.
В качестве усилительных элементов
применяются транзисторы с большим
значением статического коэффициента
усиления тока транзистора в схеме с ОЭ
h21Э, лампы и полевые
транзисторы с большим коэффициентом
усиления напряжения .
Для выходного каскада нагрузкой усилителя обычно является цепь параллельно включенных RH, CH. Для остальных каскадов – это входная цепь следующего каскада.
Транзисторы в каскадах предварительного усиления обычно включают с общим эмиттером или истоком. Это позволяет получить наибольшее усиление.
Рисунок 1. Резисторные каскады предварительного усиления: а) с биполярным транзистором; б) с полевым транзистором
Достоинством резисторного каскада является простота схемы, малые размеры, вес и стоимость, хорошие частотная, фазовая и переходная характеристики и т.д.
Основной недостаток – низкий КПД, из-за чего резисторный каскад мало пригоден для мощного усиления.
Резистор R служит для выделения напряжения усиленного сигнала и подачи на выходной электрод питающего напряжения от источника питания. Разделительный конденсатор С не пропускает постоянную составляющую напряжения из выходной цепи на вход следующего каскада. Делитель напряжения, состоящий из резисторов R1, R2 используется для подачи на вход следующего усилительного элемента напряжения смещения. Резистор в цепи затвора выполняет два назначения: во-первых, как элемент резисторно-емкостного делителя он позволяет передать на вход следующего каскада усиленное переменное напряжение, во-вторых, через него заводится на затвор напряжение смещения.
1.2 Эквивалентные схемы резисторного каскада на различных частотах
М
ожно
показать /4/, что независимо от типа
используемого усилительного элемента
преобразованные и обобщенные эквивалентные
схемы резисторного каскада усиления
на различных частотах имеют вид,
предоставленный на рисунке 2, 3. На рисунке
2 обозначено:
Рисунок 2.
Преобразованная
и обобщенная
эквивалентная
схема резисторного каскада на средних
частотах
В
случае использования полевого транзистора
,
где
.
В случае – биполярного транзистора,
,
где
;
;
и
параметры входной цепи транзистора,
они представляют собой активную
составляющую входного сопротивления
следующего каскада.
- напряжение генератора сигналов;
– внутреннее сопротивление генератора
сигналов. В случае использования полевого
транзистора , , где Ri
– дифференциальное выходное (внутреннее)
сопротивление транзистора. В случае
биполярного транзистора , где
– переменное напряжение, приложенное
к эмиттерному переходу транзистора;
, где
-
сопротивление коллектор-база транзистора.
Рисунок 3. Преобразованные и обобщенные эквивалентные схемы резисторного каскада усиления: а) на нижних частотах; б) на верхних частотах
Здесь
;
.
(1)
;
;
(2)
С – разделительный конденсатор; С0 – паразитная емкость, равная сумме емкости монтажа (См), входной емкости следующего каскада (Свх. сл.) и выходной емкости транзистора.
