
- •1. Классификация полупроводниковых материалов.
- •1. Явления поляризации в диэлектриках. Виды поляризации. Диэлектрическая проницаемость и диэлектрические потери.
- •4. Стеклообразные диэлектрики, их свойства и применение.
- •5. Неполярные, полярные и термостойкие органические диэлектрики.
- •6. Конструкционные металлические сплавы на основе Fe, Al, Cu
- •7. Композиционные листовые пластмассы. Материалы для оснований печатных плат вч и свч диапазонов.
- •2.5. Композиционные, наполненные пластмассы
- •2.5.2. Наполнители
- •2.5.3. Пластмассы с листовым наполнителем
- •2.5.4. Листовые материалы для производства печатных плат
- •8. Сегнетоэлектрики
- •12. Керамика, особенности структуры и основные характеристики установочной и конденсаторной керамики.
- •2. Керамика
- •3.3.2. Конденсаторная керамика
- •14. Зонная структура металла, концентрация и подвижность носителей заряда в металле.
- •15. Эпитаксиальный рост пленок полупроводника.
- •16 Анализ p–n перехода, физика работы диода.
- •18. Ионная имплантация примесей в полупроводник.
- •22. Ионно-плазменное осаждение тонких пленок.
- •27.Усилительные каскады на биполярных и полевых транзисторах.
- •1.2 Эквивалентные схемы резисторного каскада на различных частотах
- •31 Ескд. Виды и комплектность конструкторской документации.
- •33. Конструктивные, технологические и эксплуатационные требования к эс
- •34. Стадии и этапы проектирования электронных средств и разработки технической документации.
- •35. Особенности проектирования эс
- •39. Унифицированные базовые конструкции и их влияние на качество и себестоимость.
- •IV. Унификация.
- •41. Защита рэс от атмосферных воздействий.
- •42. Защитные покрытия, их классификация и основные характеристики. Виды и материалы покрытий.
- •44. Обеспечение надежности рэс в процессе проектирования и производства рэс.
- •45. Статистический ряд и его обработка при управлении качеством
- •46. Международные стандарты по управлению качеством.
- •47. Математическая модель биполярного транзистора, ее основные элементы
- •50. Структура и состав сапр. Состав и возможности современных пакетов проектирования рэс.
- •54. Топологическое проектирование рэс (компоновка, размещение, трассировка), как задачи структурной оптимизации.
- •57. Амплитудная модуляция
- •58. Обобщенная трехточечная схема автогенератора
- •58. Транзисторные автогенераторы
- •1.5 Кварцевые автогенераторы
- •61. Физическая сущность процесса детектирования амплитудно-модулированных сигналов
- •В этом случае ток, протекающий через диод будет иметь им-
- •1.4 Схемы диодных детекторов Различают последовательную (рис. 2.5) и параллельную (рис. 2.6) схемы построения диодных детекторов.
- •1.5 Нелинейные искажения в детекторе больших амплитуд
- •1.6 Линейное детектирование в амплитудных детекторах
- •Тогда ток, протекающий в цепи диода, равен
- •Определим среднее значение тока в цепи диода
- •Пусть на вход детектора подан ам- сигнал
- •Определим коэффициент детектирования
- •С учетом выражений (2.6) и (2.4) запишем
- •64. Принцип факсимильной передачи сообщений.
- •65. Типизация технологических процессов. Типовые и групповые технологические процессы.
- •69.Типы и свойства нефольгированных и фольгированных диэлектриков, используемых для изготовления печатных плат.
- •70. Методы изготовления пп по субтрактивной технологии.
- •71. Методы изготовления пп по аддитивной технологии
- •74. Методы изготовления мпп
- •4.3.1.1. Метод металлизации сквозных отверстий
- •4.3.1.2. Метод открытых контактных площадок
- •4.3.1.3. Мпп с выступающими выводами
- •4.3.1.4. Метод попарного прессования
- •4.3.1.5. Метод послойного наращивания
- •4.3.2. Мпп прецизионные на фолыированном основании
- •4.3.4. Мпп прецизионные на нефольгированном основании
- •4.3.5. Мпп изготовленные методом пафос
- •75. Металлизация диэлектриков
- •77. Схемы технологических процессов
- •80. Методы и технология монтажной пайки.
- •81. Пайка одиночной и двойной волной припоя.
- •82. Конвекционная пайка. Температурный профиль пайки. Инфракрасная пайка.
- •83. Производственные погрешности, причины возникновения и законы распределения.
- •84. Задачи технологической подготовки рэс. Стандарты единой системы технологической подготовки производства и их классификация
- •Прогрессивных технологических процессов (тп),
- •Основные функции тпп. Задачи тпп, решаемые на стадиях проектирования
- •88. Изготовление деталей из керамических материалов.
- •Дополнительные операции.
- •89. Теплопроводность (кондуктивный перенос тепла)
- •3.1. Закон Фурье
- •3.2. Тепловые коэффициенты. Тепловые сопротивления. Метод электротепловых аналогий
- •3.3. Теплопередача цилиндрической, однородной стенки (трубы)
- •91. Конвективный теплообмен. Закон Ньютона-Рихмана.
- •92. Теплообмен излучением. Перенос тепла излучением.
- •Закон Ламберта -Этот закон определяет значение плотности потока излучения е в зависимости от его направления по отношению к равномерно излучающей поверхности тела.
- •93. Влагообмен в рэс Первый и второй закон Фика.
- •97. Классификация систем охлаждения рэа
- •11.2.1. Контактный способ охлаждения
- •11.2.2. Естественное воздушное охлаждение
- •11.2.3. Принудительное воздушное охлаждение
- •11.2.4. Жидкостные системы
3.3.2. Конденсаторная керамика
Конденсаторная керамика отличается небольшим содержанием бесщелочной аморфной фазы. При этом кристаллические фазы формируются с условием получения наибольшего значения диэлектрической проницаемости ε, меньшего tgδ и определенной величины температурного коэффициента диэлектрической проницаемости ТКε.
Высокочастотная конденсаторная керамика (типа А) подразделяется на классы в зависимости от величины температурного коэффициента диэлектрической проницаемости. Общие электрические свойства приведены в табл.3.3.
Таблица 3.3 Электрические характеристики высокочастотной конденсаторной керамики
tgδ при 106 Гц |
ε при 106 Гц |
ТКε 106К-1 |
Удельное сопротивление ρv, Ом м |
Электрическая прочность Е при постоянном напряжении, МВ/м |
(3-5) 10-4 |
14-250 |
(+33÷-3300) |
109-1010 |
8-25 |
Необходимо отметить, что высокочастотная керамика с большой диэлектрической проницаемостью имеет и большее значение температурного коэффициента ε.
По величине ТКε высокочастотная керамика подразделяется на 3 класса.
Класс I имеет ТКε = (-3300÷-1500) 10-6К-1. Эта керамика синтезируется на основе соединений SrTiO3 и CaTiO3. Керамика этого класса имеет ε=130-250 и используется для изготовления конденсаторов, к которым не предъявляются высокие требования по температурной стабильности.
Класс II имеет ТКε=(-750÷-150) 10-6 К-1 и ε=30-65. Керамика этого класса предназначена для изготовления контурных термокомпенсирующих и разделительных конденсаторов. Керамика этого класса синтезируется на основе соединения титана кальция и цирконата кальция (CaTiO3 + CaZrO3). Кроме этой керамики широко используется соединение с высоким содержанием рутила TiO2 с небольшими добавками ZrO2 и MgO или ZrTiO3 (система ZrTiO3 - TiO2). На основе этих компонентов синтезируются керамики (тиконды) марок Т-40, Т-80, Т-150, Т-300 (цифра обозначает величину ε).
Для этих керамик высокое значение ε и снижение ее с ростом температуры (отрицательное значение ТКε) объясняется тем, что в рутиле на высоких частотах проявляется очень сильно электронная поляризация; в области низких частот (до 104 Гц) преобладающее влияние имеет ионно – релаксационная поляризация.
Класс 3 имеет ТКε = (-75 ÷ + 33) 10-6 К-1 и ε = 14 – 50 и используется для изготовления высокочастотных термостабильных конденсаторов. К этой группе материалов относятся станнатная керамика системы СаSnO3 - СaTiO3 и лантановая керамика системы LaAlO3 - СaTiO3.
Низкочастотная конденсаторная керамика (типа Б) характеризуется высокими и сверхвысокими значениями, большим значениям tg и пониженным значением электрической прочности (табл.3.4) по сравнению с высокочастотной керамикой. Кроме того, эта керамика обладает заметной температурной зависимость ТКε.
Таблица 3.4
Диэлектри-ческая про-ницаемость ε |
Тангенс угла диэлектрических потерь tgδ |
Удельное сопротивление v, Ом м |
Электрическая прочность, МВ/м |
900-9800 |
(20 – 300)10-4 |
109 |
5-9 |
Керамика класса 1V обладает наименьшим значением tg и наибольшей электрической прочностью Епр среди низкочастотной керамики и предназначена для изготовления конденсаторов, работающих на частоте не более 104 Гц, импульсных конденсаторов и конденсаторов, работающих в цепях постоянного тока.
Керамика класса V применяется для изготовления низкочастотных разделительных и блокировочных конденсаторов, где необходима повышенная температурная стабильность.
Для получения этих керамик используют композиции на основе SrТiO3 + Bi2O3 + TiO2. Низкочастотные конденсаторы изготавливают на основе керамических сегнетоэлектриков Ba,Ca(Тi,Sn,Zr)O3 с различными примесями, диэлектрическая проницаемость ε которых доходит до 9000. Но эта керамика обладает нелинейной зависимостью ε от температуры и напряженности электрического поля.
3.2.3. Виды керамик, применяющихся при изготовлении установочных деталей РЭС
Эти материалы должны обладать высокими диэлектрическими параметрами (небольшой диэлектрической проницаемостью и малым значением tg), высокой механической прочностью, отсутствием пор в структуре, достаточной теплопроводностью и стойкостью к термоударам.
Алюминооксид представляет собой высокоглинозе-мистую керамику, получаемую по керамической технологии из оксида алюминия Al2O3 (глинозема) с добавлением определенного количества минерализаторов. Исходным сырьем является тонкодисперсный порошок глинозема, получаемый осаждением из щелочных растворов или разложением солей. Глинозем существует в виде низкотемпературной -модификации Al2O3 и высокотемпературной -модификации (корунда), которая образуется при предварительном обжиге при температуре 1300-1400 оС. Корунд обладает более высокими электрическими свойствами.
Для производства подложек толстопленочных гибридных интегральных микросхем и в технике СВЧ широко применяется алюмооксидная керамика марки ВК-94 (старое обозначение 22ХС). Керамика ВК-94 содержит 95 % глинозема (-Al2O3), 2,5 % SiO2, 0,2 % BaO, 0,48 % CaO, 1,96 % MgO. Этот материал обладает низкими диэлектрическими потерями в области радиочастот и при повышенных температурах, имеет высокую нагревостойкость и большую механическую прочность, хорошую теплопроводность, вакуумноплотен. В табл.3.2 приведены физико-механические и электрические показатели керамики ВК-4. Однако, эта керамика имеет неблагоприятные технологические характеристики: высокую температуру спекания (до 1750 оС), исходная керамическая масса непластична, обладает высокой абразивностью, что затрудняет механическую обработку сырых заготовок и шлифование обожженных деталей.
Таблица 3.5.
Физико-механические и электрические характеристики керамических материалов
Показатель |
ВК-94 |
Поли-кор |
Брокерит |
Цельзиановая керамика |
Лейко-сапфир |
Плотность кг/м3 |
3800 |
3900 |
2800 |
3100 |
3980 |
Прочность при изгибе σи, МПа |
300 |
300 |
150 |
90-100 |
800-1300 |
Ударная прочность, КДж/м3 |
4,0 |
4,0 |
- |
- |
- |
Модуль упругости, ГПа |
280 |
300 |
300 |
- |
- |
ТКЛР 10-6 К-1 |
|
|
|
|
|
при 20-100 оС, |
4,5-6 |
4,5-6 |
5-7 |
2,1-2,2 |
6,4 |
200-600 оС |
5,5-8 |
6,5-8 |
5,5-7 |
- |
8 |
Средняя удельная теплоемкость при 20-100 оС, Дж/(К. кг) |
850-1050 |
850-1050 |
1000-1250 |
- |
1800 |
Удельная теплопроводность, Вт/(мС) |
16-28 |
19-30 |
150-220 |
- |
11 |
Стойкость к термоударам, оС, не менее |
423 |
453 |
453 |
- |
-
|
Диэлектрическая проницаемость ε |
9-10 |
9,5-10 |
7 |
6,5-7,0 |
11 |
tgδ .104 |
1 |
0,2 |
4 |
1-2 |
0,4 |
Электрическая прочность Епр, МВ/м |
17 |
17 |
13 |
35-40 |
- |
Омм, при |
|
|
|
|
|
20 оС |
1012 |
1012 |
1012 |
1012-1013 |
1016 |
200 оС, |
1010 |
1011 |
1010 |
- |
1012 |
600 оС |
1010 |
106 |
107 |
- |
108 |
ρs, Ом |
1010 |
1010 |
- |
- |
- |
Поликор (поликристаллический корунд) - это прозрачная корундовая керамика, обладающая плотной структурой (его плотность близка к теоретической плотности Al2O3. В отличие от алюминооксида поликор характеризуется высоким значением коэффициента пропускания света: 0,9 и более на 1 мм толщины изделия. Рост размеров кристаллических зерен и появление закрытых пор снижает прозрачность такой керамики. Для получения высокой прозрачности поликора применяют глинозем с высоким содержанием Al2O3 (99,7-99,9 %), а для торможения роста кристаллов в состав исходной массы вводят 0,1-0,3 % окиси магния. Поликор изготавливается по обычной керамической технологии из чистых оксидов, без применения глинистых компонентов; обжиг изделий производится в водородной среде или вакууме при температуре 1800-2060 оС. Благодаря высокой плотности и практическому отсутствию пор возможно обеспечить очень высокую чистоту поверхности при шлифовке и полировке. Стойкость к термоударам поликора выше, чем у алюмооксида и ситаллов.
Поликор применяется для изготовления подложек тонкопленочных гибридных интегральных микросхем, микроволновых подложек, для изготовления колб металлогалогенных ламп. Свойства поликора приведены в табл. 3.5.
Брокерит- керамический материал на основе окиси бериллия (95-99 % BeO). Основным достоинством этой керамики является высокая теплопроводность, равная примерно теплопроводности алюминия и более высокая, чем теплопроводность железа. Кроме того, брокерит выдерживает неоднородный по площади местный нагрев, когда поликор, а тем более ситалл и стекла разрушаются. Этот материал обладает достаточной механической прочностью и является хорошим диэлектриком. Эти достоинства позволяют применять его в качестве подложек особо мощных ВЧ и СВЧ гибридных интегральных микросхем. В табл. 3.5. приведены физико-механические и электрические свойства брокерита. Недостатком брокерита является его высокая стоимость. Кроме того, тонкодисперсная пыль окиси бериллия является токсичной, что требует соблюдения мер безопасности на всех операциях технологического процесса изготовления изделий, особенно при спекании и механической обработке.
Лейкосапфир - синтетический монокристаллический -корунд, получаемый из расплава Al2O3 при определенных условиях. Лейкосапфир или просто сапфир является одним из лучших диэлектриков современной техники. Он обладает низкими диэлектрическими потерями - на частоте 106 Гц tg составляет 0,0001 и снижается в гигагерцовом диапазоне; удельное сопротивление составляет 1016 Омм и снижается лишь до 106 Омм при нагреве до 1000 оС. Лейкосапфир является лучшим материалом при получении гетероэпитаксиальных структур кремния, применяемых в производстве биполярных интегральных микросхем.
Цельзиановая керамика представляет собой синтезированное соединение BaO.Al2О32SiO2, называемое цельзианом. Исходными материалами являются углекислый барий (BaCO3) и каолин (Al2O32SiO22H2O). При обжиге керамических изделий при температуре 1380-1400 oС образуется кристаллическая фаза цельзиан и высокобариевое алюмосиликатное стекло. Характерными особенностями цельзиановой керамики являются низкий термический коэффициент линейного расширения и высокая электрическая прочность при высоких диэлектрических и механических параметрах. Некоторые показатели цельзиановой керамики марки ЦМ-6 приведены в табл. 3.5. Цельзиановую керамику применяют для изготовления каркасов высокостабильных катушек индуктивности и высокочастотных конденсаторов большой реактивной мощности.
Стеатитовая керамика синтезируется на основе талька (3MgO 4SiO2 H2O) и шихтовых компонентов (от 2% до 15 %); основной кристаллической фазой является клиноэнстатит (MgO SiO2). Эта керамика имеет следующие диэлектрические характеристики:
диэлектрическая проницаемость ε - 6-7;
тангенс угла диэлектрических потерь tgδ на
частоте 1 МГц (3-8) 10-4;
температурный коэффициент диэлектри-
ческой проницаемости ТКε +110 10-6К-1;
электрическая прочность Епр, МВ/м 20-30.
Стеатитовая керамика помимо электронной и ионной поляризации обладает и релаксационной поляризацией. В области температур от 20оС до 100оС в диапазоне радиочастот почти не изменяются, а при нагреве выше 100 оС эти показатели ухудшаются. Достоинством этой керамики является незначительная усадка при изготовлении деталей и малая абразивность исходных компонентов. Стеатит применяется при изготовлении небольших деталей с повышенной точностью размеров: высокоточные проходные изоляторы, опорные платы, детали корпусов полупроводниковых приборов и др.