5.4. Содержание отчета
Отчет должен содержать:
1) Параметры образцов и схемы измерения;
2) ВАХ всех диодных включений транзисторной структуры;
3) Сведения о напряжениях пробоя и отпирания всех диодных включений транзисторной структуры;
4) Входные и выходные характеристики транзистора;
5) Температурные зависимости характеристик для схемы включения, указанной преподавателем, с табличными значениями.
6) Ответы на контрольные вопросы.
5.5. Контрольные вопросы
1) В чем заключается механизм пробоя p-n-перехода?
2) В чем физический смысл зависимости тока от изменения напряжения полупроводниковых диодов?
3) Как изменятся эти зависимости при повышении температуры? Объяснить механизм.
4) Какова величина запрещенной зоны у кремния и германия?
Библиографический список
1. Материаловедение и конструкционные материалы / Л. С. Пинчук, В. А. Струк, Н. К. Мышкин и др. Минск: Вышэйшая школа, 1989. 460 с.
2. Партала О. Н. Радиокомпоненты и материалы: Справочник. Киев: Радiоаматор; М.: КУБК-а, 1998. 720 с.
3. Никулин Н. В., Назаров А. С. Радиоматериалы и радиокомпоненты. М.: Высшая школа, 1981. 221 с.
4. Богородицкий Н. П., Пасынков В. В., Тареев Б. М. Электротехнические материалы. Л.: Энергия, 1977. 352 с.
5. Окадзаки К. Пособие по электротехническим материалам. М.: Энергия, 1979. 432 с.
6. Пасынков В. В. Материалы электронной техники. М.: Высшая школа, 1980. 407 с.
7. Богородицкий Н. П., Пасынков В. В., Тареев Б. М. Электротехнические материалы. Л.: Энергоатомиздат, 1985. 304 с.
Учебное издание
ЦАРЕВА Лена Алексеевна,
ЛУТЧЕНКО Сергей Святославович
ЛАБОРАТОРНЫЙ ПРАКТИКУМ ПО ДИСЦИПЛИНЕ «МАТИРИАЛОВЕДЕНИЕ»
Редактор Т. С. Паршикова
Подписано в печать .04.2006. Формат 60 84 1/16.
Бумага офсетная. Плоская печать. Усл. печ. л. Уч.-изд. л. . Тираж 250 экз. Заказ
Редакционно-издательский отдел ОмГУПСа
Типография ОмГУПСа
644046, Г. Омск, пр. Маркса, 35