Лебедев КММФЯ / Лебедев_4курс / Spetspraktikum_4_kurs
.pdfСпециальный физический практикум
Задание 1
Электрон в одномерной бесконечно глубокой потенциальной яме
Электрон находится в одномерной бесконечно глубокой потенциальной яме
U(z) шириной a. Найти собственные волновые функции Ψ(z) и собственные значения энергии электрона. Построить огибающие волновых функций и квантованные уровни энергии в прямоугольной квантовой яме с бесконечно высокими стенками для различных значений ширины ямы (атомных монослоёв): а) 10 Å, б) 20 Å и в) 30 Å.
|
|
|
|
|
|
a |
|||
|
|
|
|
||||||
0, |
|
|
z |
|
|
|
|
||
2 |
|
||||||||
|
|
|
|
|
|||||
U z |
|
|
|
|
|
|
a |
||
, |
|
|
z |
|
|
||||
|
|
|
|||||||
|
|
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
2 |
|||
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
Задание 2
Электрон в одномерной полубесконечной потенциальной яме
Электрон находится в одномерной потенциальной яме U(z), имеющей бесконечно высокую стенку при z = 0 и конечную высоту U0 при z = a (рисунок).
Найти собственные волновые функции Ψn(z) и собственные значения энергии En (n
= 1, 2, 3, 4) электрона для связанных состояний системы (E < U0). Построить огибающие волновых функций и квантованные уровни энергии в квантовой яме для различных значений ширины ямы a и высоты барьера U0: а) 10 Å, 1 эВ, б) 20 Å, 5 эВ и в) 30 Å, 10 эВ.
0, 0 z a U z , z 0
U0 , z a
Задание 3
Электрон в одномерной потенциальной яме конечной глубины
Электрон находится в одномерной потенциальной яме U(z), имеющей конечную высоту U0 при z = ±a/2 (рисунок). Найти собственные волновые функции
Ψn(z) и собственные значения энергии En (n = 1, 2, 3, 4) электрона для связанных состояний системы (E < U0). Построить огибающие волновых функций для различных значений ширины ямы a и высоты барьера U0: а) 10 Å, 1 эВ, б) 20 Å, 5 эВ и в) 30 Å, 10 эВ.
|
|
|
|
|
|
|
a |
||||
|
|
|
|
|
|||||||
0, |
|
z |
|
|
|
||||||
|
2 |
|
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|||||
U z |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
a |
|
U |
, |
|
z |
|
|
||||||
|
|
||||||||||
|
|
|
|||||||||
|
0 |
|
|
|
|
|
|
|
2 |
||
|
|
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Задание 4
Туннелирование электрона через потенциальную стенку
Электрон падает слева на потенциальную стенку, имеющую конечную высоту U0 при z = 0 (рисунок). Найти:
1) Собственные волновые функции Ψ(z) и собственные значения энергии E
электрона для состояний системы: а) E < U0, б) E > U0.
2)Найти коэффициенты прохождения D(E) и отражения R(E) электрона через
стенку.
3)Построить графики функций D(E) и R(E), а также огибающие волновых функций для заданного значения энергии и различных значений высоты барьера U0:
а) 1 эВ, б) 5 эВ и в) 10 эВ.
0, |
z 0 |
U z |
, z 0 |
U0 |
Задание 5
Туннелирование электрона через потенциальный барьер
Электрон падает слева на потенциальную барьер, имеющий конечную высоту U0 и ширину a (рисунок). Найти:
1) Собственные волновые функции Ψ(x) и собственные значения энергии E
электрона для состояний системы: а) E < U0, б) E > U0.
2)Найти коэффициенты прохождения D(E) и отражения R(E) электрона через
стенку.
3)Построить графики функций D(E) и R(E), а также огибающие волновых функций Ψ(x) для заданного значения энергии и различных значений ширины ямы
a и высоты барьера U0: а) 10 Å, 1 эВ, б) 20 Å, 5 эВ и в) 30 Å, 10 эВ.
0, x 0, a U x
U0 , x 0, a
Задание 6
Туннелирование электрона через двухбарьерную потенциальную стенку
Электрон падает слева на двухбарьерную потенциальную стенку, имеющую конечную высоту U0, ширину барьеров a и период b = 2a (рисунок). Найти:
1) Собственные волновые функции Ψ(z) и собственные значения энергии E
электрона для состояний системы: а) E < U0, б) E > U0.
2)Найти коэффициенты прохождения D(E) и отражения R(E) электрона через двухбарьерную стенку.
3)Построить графики функций D(E) и R(E), а также огибающие волновых функций Ψ(z) для заданного значения энергии и различных значений ширины ямы a
ивысоты барьера U0: а) 10 Å, 1 эВ, б) 20 Å, 5 эВ и в) 30 Å, 10 эВ.
0, z 0, a , b a, b 2a U z
U , z 0, a , b a, b 2a
0
Задание 7
Модель Кронига-Пени
Решить задачу о движении электрона в кристалле с периодическим потенциалом U(x) с периодом с = a + b. Найти разрешенные значения энергии электрона для связанных состояний в кристалле (E < U0).
0, nc x nc a
U x U0 , nc a x n 1 c