П.2.1.3. Група Active – активні компоненти

Розділ Active вміщує напівпровідникові діоди, біполярні транзистори, операційні підсилювачі, аналогові подільні та помножувальні пристрої, а також лінії зв’язку.

Напівпровідниковий діод.

Стабілітрон.

Світлодіод.

Біполярні n-p-n та p-n-p транзистори відповідно.

Біполярні транзистори є підсилювальними пристроями, керовані струмом. Вони бувають двох типів: p-n-p та n-p-n.

Букви позначають тип провідності напівпровідникового матеріалу, з якого виготовлений транзистор. У транзисторах обох типів стрілкою позначається емітер, (напрям протікання струму).

Операційний підсилювач.

Операційний підсилювач (ОП) – підсилювач, призначений для роботи із зворотним зв'язком. Він зазвичай має досить високий коефіцієнт підсилення за напругою, високий вхідний та низький вихідний опір. Вхід “плюс” є неінвертувальним, а вхід “мінус” – інвертувальним. Модель операційного підсилювача дає можливість задавати параметри: коефіцієнт підсилення, напругу зміщення, вхідні струми, вхідний та вихідний опір.

Вхідні та вихідні сигнали ОП мають бути задані відносно землі.

Операційний підсилювач з п'ятьма виводами.

ОП з п'ятьма виводами має два додаткові виводи (позитивний і негативний) для підключення живлення. Для моделювання цього підсилювача використовується модель Буля-Коха-Педерсона. У ній враховуються ефекти другого порядку, обмеження вихідної напруги та струму.

Тиристор або динистор.

Діод Шоткі.

Симетричний динистор або діак.

Симетричний тринистор або тріак.

Випрямний міст.

Аналоговий помножувач (коефіцієнт передачі).

Аналоговий пристрій розподілу (коефіцієнт передачі).

Лінія передачі з втратами.

• довжина лінії (Length Transmission Line Len, м);

• опір на одиницю довжини (Resistance реr unit length Rt, Ом/м);

• індуктивність на одиницю довжини (Inductance реr unit length Lt, Гн/м);

• ємність на одиницю довжини (Сараcitance реr unit length Ct, Ф/м);

• провідність на одиницю довжини (Conductance реr unit length Gt, См/м);

• кількість послідовно увімкнених елементарних сегментів (Number of Lumps n).

Лінія передачі без втрат з можливістю редагування:

• хвильового опору (Nominal Impedance Zo, Ом);

• часу затримки розповсюдження сигналу в лінії (Propogalion Time Delay Td, c);

• кількості послідовно увімкнених елементарних сегментів (Number of Lumps n).

П.2.1.4. Група fet – польові транзистори

Польові транзистори керуються напругою на затворі, тобто струм, що протікає через транзистор, залежить від напруги на затворі. Польовий транзистор включає протяжну область напівпровідника n-типу або p-типу, яку називають каналом. Канал закінчується двома електродами, які називаються витоком і стоком. Окрім каналу n-типу або p-типу, польовий транзистор включає область з протилежним до каналу типом провідності. Електрод, сполучений з цією областю, називається затвором. Для польових транзисторів в Electronics Workbench виділено спеціальне поле компонентів FET. У програмі є моделі польових транзисторів трьох типів: транзисторів з керованим p-n переходом (JFET) і двох типів транзисторів на основі металооксидної| плівки (МОН - транзистори або MOSFET): МОН – транзистори із вбудованим каналом (Depletion MOSFETs) і МОН – транзистори з індукованим каналом (Enhancement MOSFETs).

Розділ FET містить польові транзистори в наступному складі:

Польові транзистори з керованим переходом (JFET);

Польові МОП- транзистори з вбудованим каналом (Depletion MOSFETs), n- канальні та p- канальні, з роздільними або сполученими виводами підкладки і витоку;

Польові МОП- транзистори з індукованим каналом (Enhancement MOSFETs), n канальні та p канальні, з розділеними або з’єднаними виводами підкладки і витоку.