- •1 Теория электронно-дырочного перехода
- •1.1 Основные понятия
- •1.2 Потенциальный барьер в р—n- переходе
- •1.3 Выпрямление на р—n- переходе
- •1.4 Особенности вольт-амперной характеристики плоскостного диода
- •1.5 Температурная зависимость обратного тока
- •1.6 Зависимость выпрямительных свойств диодов от частоты
- •2 Теория метода и описание установки
- •2.1 Анализ исходных данных и подбор компонентов и деталей
- •2.2 Разработка принципиальной схемы устройства.
- •2.3 Внешний вид устройства.
- •3 Практическая часть
- •3.1 Операции на постоянном токе
- •3.2 Получение вах с помощью Осциллографа
- •3.3 Наблюдение выпрямленного тока
- •3.4 Ход работ
- •3.5 Контрольные вопросы
- •3.6 Пример выполнения работы
- •Заключение
- •Список использованной литературы
3.6 Пример выполнения работы
Работу будем выполнять с диодом Д7Ж.
Т=300К (27°С) |
Т=333К (60°С) |
||||||
U,B |
I,A |
U,B |
I,A |
U,B |
I,A |
U,B |
I,mA |
0.37 |
0.07 |
-1.3 |
0.08 |
0.25 |
0.07 |
-1.25 |
1.5 |
0.5 |
0.15 |
-5 |
0.085 |
0.32 |
0.1 |
-5 |
1.15 |
0.6 |
0.21 |
-10 |
0.09 |
0.45 |
0.25 |
-10 |
1.6 |
0.7 |
0.3 |
-13.5 |
0.095 |
0.7 |
0.5 |
-13.5 |
1.65 |
0.9 |
0.46 |
|
|
1 |
0.8 |
|
|
1 |
0.8 |
|
|
|
|
|
|
а) при Т=300К Rcт=1,25 Ом Rдин=0,3 Ом
при Т=333К Rcт=1,25 Ом Rдин=1 Ом
б) при Т=300К К=1,43
при Т=333К К=0,667
Вывод: При увеличении температуры очень сильно возрастает величина обратных токов, что существенно снижает выпрямляющую способность диода. Также с увеличением частоты, на которой работает диод, повышается величина кратковременного скачка обратного тока. Следовательно, при проектировании приборов необходимо учитывать частоты на которых он будет работать и применять соответствующие этим параметрам элементы. Также для нормальной работы необходимо оберегать прибор от повышенных температур.
Заключение
Результатом выполнения данной курсовой работы является разработанный нами стенд для проведения лабораторной работы «Изучение выпрямляющего действия электронно-дырочного перехода» по дисциплине физические основы микроэлектроники.
Список использованной литературы
Лысов В.Ф. Практикум по физике полупроводников. М. «Просвещение» 1976.
Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. М. «Лаборатория базовых знаний». 2001.
Городецкий А.Ф. Кравченко А.Ф. Полупроводниковые приборы. М., «Высшая школа», 1967.
Пасынков В.В. и др. Полупроводниковые приборы. М., «Высшая школа», 1966.
Справочник по полупроводниковым диодам и транзисторам. Под. ред. Н. Н. Горюнова. М., «Энергия», 1968
Киреев П.С. Физика полупроводников. М., «Высшая школа», 1969