Лист замечаний

2

Содержание стр.

1. Лист замечаний 2

2. Оглавление 3

3. Техническое задание 4

4. Принципиальная схема усилителя 5

5. Преобразованная схема усилителя по постоянному току 5

6. Введение 6

7. Расчет принципиальной схемы по постоянному току 7 - 10

8. Заключение 11

9. Список литературы 12

10. Приложения 13-14

3

Техническое задание. Вариант № 14 Каскодный усилитель на полевых транзисторах.

Рассчитать каскодный усилитель на полевых транзисторах, по постоянному току, для этого:

-преобразовать принципиальную электрическую схему так, чтобы в ней остались только элементы, влияющие на режим работы по постоянному току;

-выбрать активные компоненты;

-выбрать напряжение источника питания;

-выбрать положения рабочих точек на характеристиках активных

компонентов;

-рассчитать схему по постоянному току;

-выбрать номиналы и типы рассчитанных пассивных элементов;

-рассчитать потребляемые усилителем ток и мощность;

-составить перечень элементов и изобразить их конструкции и расположения выводов;

Транзисторы полевые с p-n переходом и каналом p-типа.

Амплитуда входного напряжения.

Входное сопротивление.

4

5

Введение.

От биполярного и в том числе от однопереходного транзистора полевой транзистор отличается, во-первых, принципом действия: в биполярном транзисторе управление выходным сигналом производится входным током, а в полевом транзисторе – входным напряжением или электрическим полем. Во-вторых, полевые транзисторы имеют значительно большие входные сопротивления, что связанно с обратным смещением p-n перехода затвора в рассматриваемом типе полевых транзисторов. В-третьих, полевые транзисторы могут обладать низким уровнем шума (особенно на низких частотах), так как в полевых транзисторах не используется явление инжекции неосновных носителей заряда и канал полевого транзистора отделен от поверхности полупроводникового кристалла. Процессы рекомбинации носителей в p-n переходе и в базе биполярного транзистора, а также генерационно-рекомбинационные процессы на поверхности кристалла полупроводника сопровождаются низкочастотными шумами.

К достоинствам полевых транзисторов следует отнести также высокую устойчивость против температурных и радиоактивных воздействий, а также высокую плотность расположения элементов при использовании приборов в интегральных микросхемах. Наиболее широко они используются в предварительных каскадах малошумящих усилителей с высоким входным сопротивлением.

Полевые транзисторы в усилительных каскадах могут быть включены тремя способами; по схемам с общим истоком (ОИ), с общим стоком (ОС) или с общим затвором (ОЗ). Чаще всего используется схема с общим истоком (ОИ), так как она позволяет получить наибольшее усиление по мощности.

Характерной особенностью усилительных каскадов с динамической нагрузкой является то, что в качестве стоковой нагрузки включают дополнительно транзистор или группу транзисторов. Эти дополнительные транзисторы выполняют роль источников тока с высоким дифференциальным сопротивлением. Поэтому введение их позволяет увеличить коэффициент усиления, не нарушая статистического режима работы каскада.

6