- •21. Явление ударной ионизации. Лавинный пробой р-п перехода
- •22. Инерционные свойства р-п перехода. Барьерная емкость. Вольт-фарадные характеристики перехода.
- •23. Диффузионная емкость р-п перехода. Эквивалентные схемы идеализированного и реального р-п переходов
- •24. Полупроводниковые диоды, классификация, система обозначений. Выпрямительные низкочастотные диоды, параметры, особенности германиевых и кремниевых диодов. Температурные диапазоны работы
- •25. Импульсные диоды. Переходные процессы в электронно-дырочном переходе. Этап установления прямого напряжения.
- •56.Однофазная мостовая схема выпрямителей при работе на активную нагрузку. Схема, принцип действия, графики токов и напряжений. Основные соотношения для токов и напряжений.
- •57.Трехфазная система выпрямителя с нулевым выводом при работе на активную нагрузку. Схема принцип действия, графики токов и напряжений. Основные соотношения для токов и напряжений.
- •58. Трехфазная мостовая схема мостовая схема выпрямителя при работе на активную нагрузку.
- •60. Однофазная мостовая схема выпрямителя при работе на активно-индуктивную нагрузку
- •12. Классификация р-п-переходов. Структура электронно-дырочного перехода. Область пространственного заряда. Эмиттер и база в р-п переходе. Классификация р-п-переходов
- •Структура электронно-дырочного перехода
- •Эмиттер и база в р-п переходе
- •11. Электропроводность полупроводников. Температурная зависимость подвижности носителей. Температурная зависимость удельной проводимости Электропроводность полупроводников
- •Температурная зависимости подвижности носителей
- •13. Зонная структура р-п-перехода, потенциальный барьер. Зонная структура
- •15.Прямое и обратное включение р-п перехода. Зонная диаграмма при прямом смещении. Прямое и обратное включение p-n перехода
- •Зонная диаграмма при прямом смещении.
- •Вольт-амперные характеристики (вах)
- •42. Направления развития силовой электроники. Силовые электрические вентили, требования к ним, классификация.
- •45. Принцип действия динисторов, вольт-амперная характеристика.
- •43. Силовые полупроводниковые диоды, основные параметры и характеристики выпрямительных диодов
- •Основные параметры выпрямительных диодов
- •44. Силовые вентили с неполным управлением. Типы тиристоров. Основные параметры. Условные обозначения.
- •Виды тиристоров и их особые свойства
- •Основные параметры тиристоров
- •65)Эквивалентная схема однофазного двухполупериодного управляемого выпрямителя со средней точкой:
- •61) Двухполупериодная мостовая вентильная схема с противо-эдс
45. Принцип действия динисторов, вольт-амперная характеристика.
Прямое включение динистора от источника питания приводит к прямому смещению p-n-p-перехода П1 и П3. П2 работает в обратном направлении, соответственно состояние динистора считается закрытым, а падение напряжения приходится на переход П2.
Величина тока определяется током утечки и находится в границах от сотых долей мкрА (участок ОА). При плавном увеличении напряжения, ток будет расти медленно, при достижении напряжением величины переключения близкого к величине пробивного напряжения p-n-перехода П2, то ток его возрастает резким скачком, соответственно напряжение падает.
Положение прибора открытое, его рабочая составляющая переходит в область БВ. Дифференциальное сопротивление устройства в этой области имеет положительное значение и лежит в незначительных границах от 0,001 Ом до нескольких единиц сопротивления (Ом).
Чтобы выключить динистор необходимо уменьшить величину тока до значения тока удержания. В случае приложения к прибору обратного напряжения, переход П2 открывается, переход П1 и П3 закрыты.
Рис. №2. (а) Структура динистора; (б) ВАХ
43. Силовые полупроводниковые диоды, основные параметры и характеристики выпрямительных диодов
Силовые полупроводниковые диоды.
Полупроводниковым диодом называют прибор, который имеет два электрода и содержит один (или несколько) p-n -переходов. Силовые полупроводниковые диоды можно разделить на две группы: выпрямительные и быстродействующие. Выпрямительные диоды предназначены для выпрямления переменного тока. Быстродействующие диоды в схемах полупроводниковых преобразователей служат в качестве обратных диодов. Они создают пути протекания тока нагрузки при запирании транзисторов.
Основные параметры выпрямительных диодов
-
постоянное прямое напряжение на диоде при заданном значении прямого тока через диод
-
постоянный прямой ток
-
величина обратного тока при заданном значении обратного напряжения
-
максимальное обратное напряжение
-
рабочий диапазон температур
-
максимальная частота, на которой еще не происходит ухудшение основных параметров
-
тепловое сопротивление переход-корпус, переход-среда
-
максимальная емкость диода
-
внутреннее или диф-ное сопротивление диода в рабочей точке
-
сопротивление постоянного тока
коэффициент выпрямления
44. Силовые вентили с неполным управлением. Типы тиристоров. Основные параметры. Условные обозначения.
Вентили с неполным управлением
Вентили с неполным управлением характеризуются тем, что пере-
ход их из состояния «выключено» в состояние «включено» возможен путем хотя бы кратковременного воздействия маломощным сигналом по цепи управления при условии наличия на вентиле прямого напряжения, т. е. напряжения такой полярности, при которой вентиль может пропускать ток через себя. Переход же вентиля из состояния «включено» в состояние «выключено», т. е. запирание вентиля и прекращение протекания прямого тока через него, возможно только при смене полярности напряжения на вентиле (обратное напряжение) по силовой цепи, а не в результате воздействия по цепи управления. Таким образом, неполная управляемость означает, что вентиль можно включить воздействием по цепи управления, но невозможно выключить воздействием по управлению, а требуется сменить полярность напряжения на вентиле на обратную.