- •7 Электропроводность. Носители заряда. Зоны проводимости.
- •8 П/п приборы
- •9 П/п резисторы
- •13 Схемы включения биполярных vt - с оэ, - с об, - с ок. Соответственно:
- •17 Структура динистора, тринистора.
- •19,20 Приемники излучения. Излучающие приборы
- •25 Усилитель с оэ
- •33 Объяснить принцип действия схемы многокаскадного упт
- •35 Электронные генераторы
- •36. Объяснить принцип действия генератора lc-типа:
- •37 Дать общие сведения об импульсных сигналах, охарак-ть параметры импульсных сигналов
- •38 Электронные ключи и простейшие формирователи импульсных сигналов:
- •46 Объяснить принцип действия d-триггера:
- •47 Объяснить принцип действия т-триггера:
- •48 Принцип действия «триггера шмитта»
- •49 Операционный усилитель «оу» параметры, хар-ки:
- •50 Объяснить схемы инвертирующего и неинвертир-го оу:
- •51 Объяснить принцип действия суммирующих и вычит-х устр-в:
- •52 Объяснить схемы интегрир-х и дифференцирующих уст-в:
- •53 Дать общие сведения об ацп и цап, привести параметры и характеристики.
- •54 Объяснить принцип действия функциональной схемы ацп последовательного типа.
- •55 Объяснить принцип действия схемы ацп параллельного типа.
- •56 Объяснить принцип действия схемы ацп параллельно-последовательного типа.
- •57 Цап с резисторной матрицей
- •58 Объяснить принцип действия схемы цап с трехпозиционными ключами.
13 Схемы включения биполярных vt - с оэ, - с об, - с ок. Соответственно:
15 Полевые транзисторы Конструктивно он состоит из основания р или п типа в кот-м методом травления образуются 2 р-п перехода к которым припаиваются вывод «исток» и «сток». Затвор выполняется так же методом травления и служит для регулирования ширины каналов
с р-каналом с п-каналом
с управляющим р-п с управляющим р-п переходом переходом
16 Тиристор.
Тиристор — полупроводниковый прибор, выполненный на основе монокристалла полупроводника с тремя или более p-n-переходами и имеющий два устойчивых состояния: закрытое, открытое.
В зависимости от способа управления тиристорами они подразделяются на: динисторы - 2 выхода, тринисторы -3 выхода, семисторы - симметричные тиристоры.
17 Структура динистора, тринистора.
Структура динистора
Динистор представляет собой монокристалл полупроводника, обычно кремния, в котором созданы четыре чередующиеся области с различным типом проводимости. На границах раздела этих областей возникнут p-n-переходы: крайние переходы ( и ) называются эмиттерными, а области, примыкающие к ним, – эмиттерами; средний p-n-переход () называется коллекторным. Внутренние n1- и p2-области структуры называется базами. Область p1, в которую попадает ток из внешней сети, называется анодом (А), область n2 – катодом (К).
Структура тринистора
схема тиристорной представляет собой четырёхслойный полупроводник структуры p-n-p-n, содержащий три последовательно соединённых p-n-перехода. Контакт к внешнему p-слою называется анодом, к внешнему n-слою — катодом.
18. Газоразрядные приборы это приборы действие которых основано на электрическом токе. По виду электрического разряда различают приборы тлеющего, кароного, дугового разряда. Применяются газоразрядные приборы для индикации стабилизации напряжений и в качестве защитников при разрядов напряжения.
Газоразрядный прибор представляет собой стеклянный баллон заполненный неоном или другим инертным газом под давлением 2.8 кПа. Внутри баллона размещен анод и катод, катод имеет форму цилиндра, анод форму диска или кольца. При приложенном напряжении газ внутри баллона светится. В зависимости от применяемого вида газа будет разный цвет свечения. А-анод, К-катод, С1 и С2-управляющие сетки.
19,20 Приемники излучения. Излучающие приборы
Фотоэлектрическими называют приборы для преобразования лучистой энергии в электрическую энергию. Обратное преобразование энергии осуществляют излучающие приборы.
Объединение излучателя и приемника света в одном изделии позволяет реализовать прибор, получивший название оптрон. Простейший оптрон состоит из светодиода и фотодиода, размещенных в общем корпусе.
Принцип действия фотоэлектрических приборов основан на использовании явлений внутреннего или внешнего фотоэффектов.
Внутренний фотоэффект наблюдается в полупроводниках и диэлектриках. В них под действием излучения происходит возбуждение электронов. Переход электронов на более высокий энергетический уровень приводит к изменению концентрации свободных носителей заряда и, следовательно, электрических свойств вещества. При воздействии лучистой энергии на полупроводник у части валентных электронов увеличивается энергия настолько, что они преодолевают запрещенную зону и переходят в зону проводимости.
Внешний фотоэффект может наблюдаться в любых веществах. Он основан на явлении фотоэлектронной эмиссии.
Принцип действия излучающих полупроводниковых приборов основан на излучении квантов электромагнитной энергии при переходе частиц из высокого энергетического состояния в более низкое. Переходы, при которых излучаются кванты лучистой энергии, называются излучательными. Они обусловливают явления люминесценции и индуцированного излучения.
21. ЭЛТ-это электровакуумный прибор который служит для наблюдения за электрическими изменяющимися величинами. ЭЛТ состоит: нити накала (нн) которые при приложенном напряжении разогреваются и излучает электроны, пучок электронов излучается из модулятора (м) и продвигается к экрану ЭЛТ, две пары анодом (А1 и А2) служат для создания электрического поля который ускоряет перемещение электронов, для управления электронным пучком служат две пары отклоняющих пластин (ОП1 и ОП2). Внутренняя поверхность экрана покрыта слоем люминофора, по этому при уравнении электронов с люминофором происходит свечение, А3 - анод сделан из графитового слоя и служит для сбора вторичных электронов которые образуют помехи.
22 ЖК-индикаторы - пассивные устройства. Они не генерируют свет и требуют дополнительной подсветки, сами же выполняют роль модулятора, работая в режиме пропускания или отражения света.
Жидкие кристаллы — это вещества, проявляющие в определенном температурном интервале свойства как жидкости, так и кристаллов. Они способны в жидком состоянии сохранять упорядоченность молекул
Первым электрооптическим эффектом, использованным в индикаторной технике, стал эффект динамического рассеяния. Если к слою слегка проводящего нематического ЖК с отрицательной диэлектрической анизотропией приложить электрическое поле, то молекулы ориентируются поперек поля, а возникающий поток ионов стремится ларушить эту ориентацию.
Лучшие характеристики индикаторов дает использо-
вание твист-эффекта, суть которого заключается в сле-
дующем. В зазоре между двумя пластинами тем или
иным способом достигают «скручивания» номатической
структуры ЖК, т. е. такого расположения молекул, когда
их большие оси параллельны ограничивающим по-
верхностям, а направления этих осей вблизи одной и
другой пластин взаимно перпендикулярны .
24 Усилителем называется устройство, позволяющее преобразовывать входные электрические сигналы в сигналы большей мощности на выходе.
Все усилители делятся на 2 класса: линейные, нелинейные. Uвых=k*Uвх.
По назначению: усилители напряжения, тока, мощности.
Усилители электрических сигналов - это электронные устройства, предназначенные для усиления или повышения мощности входных сигналов за счет энергии источника питания.
Параметры: Диапазон частот, Коэффициент усиления Неравномерность АЧХ, Чувствительность, Уровень шума,
Коэффициент нелинейных искажений, Входное сопротивление, Выходное сопротивление, Максимальное выходное напряжение, Максимальная выходная мощность.
Усилители в схеме включения транзистора с общей базой характеризуются усилением по напряжению, отсутствием усиления по току, малым входным сопротивлением и большим выходным сопротивлением.
Усилители в схеме включения транзистора с общим коллектором характеризуются усилением по току, отсутствием усиления по напряжению, большим входным сопротивлением и малым выходным сопротивлением.
Наибольшее распространение получила схема включения с общим эмиттером. В схеме включения транзистора с общим эмиттером усилитель обеспечивает усиление по напряжению, по току, по мощности. Такой усилитель имеет средние значения входного и выходного сопротивления по сравнению со схемами включения с общей базой и общим коллектором.