1,2 Резистор – это эл-т РЭА, который относится к классу пассивных элементов и выполняет функции: создание сопротивления цепи, перераспределение токов.

различают по:

- характеру изменения сопротивления (постоянные, переменные, подстроечные)

- назначению (общего назначения, прецизионные, высоковольтные, высокомегоомные, высокочастотные)

- конструкции (проволочные, непроволочные, металло-фольгированные)

Основные параметры:

1. номинальное сопротивление измеряется в Омах, кило- и мегоомах. На корпусах резисторов имеются обозначения: Е, К, М. 68 Ом= 68 Е; 6,8 кОм=6К8; 0,68 МОм=М68 2. Допустимое отклонение сопротивления резистора от его номинального значения. Измеряется в %. Классы точности: 1класс - +/- 5% 2класс - +/- 10% 3класс - +/- 20%. 3. Номинальное значение мощности рассеивания резисторов (Р_ном) [Bт]. Р_ном – это наибольшая мощность пост. или переменного тока, при протекании кот-го резистор может работать длительное время без повреждений. 4. Макс. рабочее U – это макс. U кот-е прикладывается к R не вызывающее пробоя.

5 . Температурный коэф-т сопротив-я (ТКR) – указывает относительное изменение сопрот-я R при изменении t⁰ окруж. среды на 1⁰С. Классификация: а) терморезисторы (изменяют свое сопр-е под воздействием t⁰.

б ) варисторы (под воздействием повышенного напряжения) в) фоторезисторы( сопротив-е опр-ся освещенностью) г) тензорезисторы (у него исполь-ся зависимость электросопр-я от мех. деформации)

п одстроечный

переменные: общего назначения

с разрывом цепи

б ез разрыва цепи

3,4 Конденсатор(С) – это эл-т эл. цепи, способный накапливать электрич. заряды и состоящий из 2 или более электродов (обкладки) разделенных диэлектриком. Принцип работы С основан на его способности накапливать заряд на свих обкладках при приложенном напряжении. Величина накапливаемого заряда наз-ся электроемкостью. Емкость С измеряется в фарадах [Ф]. Классификация: (различие по:) 1. хар-ру изменения емкости (постоянной и переменной емкости, подстроечные, саморегулируемые) 2. применению диэлектрика (с жидким, твердым и газообразным диэлектриком) 3. назначению (разделительные, фильтровые, контурные, термокомпенсирующие, блокировочные, подстроечные) УГО:

С пост. емкости

С переменной емкости подстроечный С

электролитический С

вариконд

Основные параметры: 1. электроемкость – способность С накапливать эл. заряд. 2. допустимое отклонение номинала емкости обозначается буквами. 3. температурный коэф-т емкости (ТКЕ) хар-зует изменение емкости С при изменении t⁰на 1⁰С. ТКЕ= (С₂-С₁)/[C₁*(Т₂-Т₁)] 4. Сопротивление изоляции С хар-зует изменение параметров С от влажности и др. факторов R_из=U_o/I_ут. U_o – пост. U на конденсаторе I_ут – ток утечки 5. Эл. прочность С – допустимое рабочее U кот-е способен выдержать С.

5 Катушка индуктивности представляет собой эл-т РЭА. цепи основным св-м кот-го явл-ся эффект преобразования эл. тока в энергию магнитного поля. Этот эффект применяется для создания реактивного сопротивления переменному току, так же они применяются для связи между цепями через магнитный поток, в качестве эл-ов колебательных контуров, а так же для согласования поступающих сигналов. Классификация катушек индуктивности: 1- по назначению; 2 – по конструктивным признакам; 3 – по диапазону волн; 4 – по технологии изготовления; УГО катушек (L): катушка индуктивности с ферритовым сердеч-ом Дроссель – это эл-т эл. цепи, основное назначение кот-го обеспечить большое сопротивление переменному току и малое сопротивление постоянному току.

Различают: низкой и высокой частоты Основные параметры: индуктивное сопротивление, сопрот-е пост. току, собственная емкость. УГО дросселей

6 Трансформатор – это эл.-магнитное устройство, обеспечивающее преобразование параметров переменных напряжений и токов. Принцип работы транс-ра основан на преобразовании энергии эл. поля в энергию магнитного поля и наоборот. Трансф-ры бывают: -Силовые (применяют в различ. блоках питания для изменения переменного U в сети 220W) -Сигнальные ( служат для соглас-я каскадов между собой с источником вход-го сигнала, а так же конечной нагр.) -Импульсные (наз-ся спец. типы трансф-ов кот-е предназначены для трансформации или формирования импульсов напряжения/токов различной формы) -Пьезотрансформаторы (состоит из пьезоэлемента, с нанесеными на них электродами и корпуса с контактами).

У ГО:(соответственно) тр-р с ферритовым сердечником

б ез серд-ка, высокочастотный

без серд-ка, высокочастотный с отводами

автотрансформатор

7 Электропроводность. Носители заряда. Зоны проводимости.

Электропроводность – способность тела пропускать электрический ток под воздействием электрического поля.

Носители заряда — общее название подвижных частиц которые несут электрический заряд и способны обеспечивать протекание электрического тока.

Если концентрация электронов значительно превосходит концентрацию дырок, то такой полупроводник называют полупроводником n-типа проводимости. В этом случае основными носителями заряда являются электроны, а неосновными носителями — дырки.

Атом состоит из ядра окруженного облаком электронов, которые находятся в движении на расстоянии от ядра в пределах слоев, определяемых энергией. Чем дальше тем выше энергетический уровень ядра. При переходе электрона с одного уровня на другой более отдаленный происходит поглащение энергии, при обратном процессе – выделение. Погл. и выдел. Происходит порциями (квантами).

3 вида зон: разрешенная (все уровни заполнены электронами), запрещенная (уровни отсутствуют), проводимости электроны попадают из разрешенной зоны)

На месте электрона покинувшего энергитический слой в разрешенной зоне образуется положительно заряженное место (дырка).

Электропроводность обусловленная движением свободных электронов называется электронной, дырок – дырочной.

8 П/п приборы

Это устройства принцип действия которых основан на свойствах полупроводников К п/п материалам относятся вещ., кот-е по своему удельному сопротив. занимают промежуточное полож-е между проводниками и диэлектриками. Образование р-п перехода Если два п/п с различ. типом проводимости пренести в соприк-е, то на границе их соединения происх-т процесс диффузии, а именно электроны переходят в р-область, дырки в п-область, на границе соед-я образ-ся разность потенциалов кот-я наз. р-п переходом.

2 сп. подключ. р-п перехода: 1. прямое вкл. (когда к п-обл-ти приклад-ся «-», к р «+»

2. обратное вкл. (к п-обл-ти +, к р-обл-ти -.

В полупроводнике p-типа концентрация дырок намного превышает концентрацию электронов. В полупроводнике n-типа концентрация электронов намного превышает концентрацию дырок. Если между двумя такими полупроводниками установить контакт, то возникнет диффузионный ток — носители заряда, хаотично двигаясь, перетекают из той области, где их больше, в ту область, где их меньше. При такой диффузии электроны и дырки переносят с собой заряд. Как следствие, область на границе станет заряженной, и область в полупроводнике p-типа, которая примыкает к границе раздела, получит дополнительный отрицательный заряд, приносимый электронами, а пограничная область в полупроводнике n-типа получит положительный заряд, приносимый дырками. Таким образом, граница раздела будет окружена двумя областями пространственного заряда противоположного знака.

9 П/п резисторы

Это п/п приборы принцип действия которых основан на свойствах полупроводников изменять свое сопротивление под действием t, э-м. излучения, U.

а ) терморезисторы (изменяют свое сопр-е под воздействием t⁰.

б ) варисторы (под воздействием повышенного напряжения) в) фоторезисторы( сопротив-е опр-ся освещенностью) г) тензорезисторы (у него исполь-ся зависимость электросопр-я от мех. деформации)

10,11 П/п диод – это п/п прибор, с 1 р-п перех-м. и служит для выпрямл-я, стабилизациии и преобраз-я электр. сигналов. 2 состояния: открытое и закрытое;

в ыпрямительный с прямым вкл. с обратным вкл.

с табилитрон варикап туннельный

о бращенный светодиод фотодиод

Основные параметры диодов

1. U стабилизации 2. мин. и макс. значение токов стабилизации 3. макс. допустимая рассеиваемая Р 4. дифференц. сопротивление на участке стабилизации

12,13,14 Транзистор (VT) – это п/п прибор имеющий 2 р-п перехода, 3 вывода и служит для усиления, генерирования и преобразования эл. сигналов.

Режимы работы:

активный режим - Переход эмиттер-база включен в прямом направлении (открыт), а переход коллектор-база — в обратном (закрыт)

Инверсный режим - Эмиттерный переход имеет обратное включение, а коллекторный переход — прямое.

Режим насыщения - Оба p-n перехода смещены в прямом направлении (оба открыты).

Режим отсечки - В данном режиме оба p-n перехода прибора смещены в обратном направлении (оба закрыты).