Практическое занятие №2 Исследование вольтамперных характеристик транзисторов
1. Исследование характеристик полевых транзисторов.
1.1. Открыть файл MOSFET.ewb.
1.2. Установить значение напряжение источника V1=0В. Управляя потенциометром R1 (клавиша R – движок вниз, Shift+R – вверх), изменять напряжение между стоком и истоком транзистора в интервале 0 – 10 В. Снимая показания приборов, построить выходную характеристику транзистора.
1.3. Устанавливая поочередно значение напряжения источника V1 = 1, 2, 3, 4, 5 В, повторить действия п. 1.2.
1.4. По полученному семейству выходных характеристик построить стоко-затворную характеристику транзистора.
2. Исследование характеристик биполярных транзисторов.
2.1. Для измерения обратного тока коллектора открыть файл kt315e.ewb. Установить значение тока источника I1=0. Включить схему и записать показания амперметра в цепи коллектора. Повторить измерения при температуре 500С.
2.2. Получение входной характеристики транзистора в схеме ОЭ.
2.2.1. Установить значение V1=0 В. Пределы изменения варьируемой величины (тока базы) I1=0-1mA с шагом 0.01 mA (порядок действий описан в п.з. №1). В результате получим зависимость напряжения UБЭ (контрольная точка 1) от тока базы. При оформлении отчета график необходимо представить в виде I=f(U).
2.2.2. Установить значение V1=5 В. Повторить действия п. 2.2.1.
2.3. Получение выходных характеристик транзистора.
2.3.1. Так как требуется
получить семейство выходных характеристик
можно воспользоваться более сложным
способом моделирования, когда программа
обеспечивает варьирование двух величин.
При этом программа фиксирует один из
параметров и изменяет с заданным шагом
другой. Далее устанавливается с
ледующее
значение первого параметра, а второй
изменяется с заданным шагом. Для
реализации этого метода необходимо
настроить меню DC
Sweep
так, как показано на рис. 2. Для снятия
значений координат точек необходимо
щелчком левой кнопки мыши отметить
необходимую характеристику и далее
действовать по п. 1.2.
2.3.2. По полученным характеристикам определить коэффициент передачи по току в схеме ОЭ.
Практическое занятие № 3 Исследование вольтамперных характеристик тиристоров
1. Исследование свойств тиристоров.
1.1. Открыть файл Tiristor.ewb.
1.2. Установить значение тока источника I1= 0. Управляя потенциометром R1 (клавиша R – движок вниз, Shift+R – вверх), изменять напряжение, подаваемое на нагрузку (лампа) снять вольт-амперную характеристику тиристора. Момент отпирания тиристора отслеживать по состоянию лампы.
1.3. Изменяя последовательно значение I1 в пределах 0 – 0,007 А (шаг изменения 0.001 А) повторить действия п. 1.2.
1.4. При значении I1=0.007 А последовательно снижать напряжение на нагрузке. Снять характеристику запирания тиристора.
1.5. По полученным характеристикам определить: падение напряжения на приборе в открытом состоянии, падение напряжения на управляющем электроде в открытом состоянии, ток удержания тиристора в открытом состоянии.