- •Электроника и микросхемотехника
- •Практическое занятие №1. Исследование вольтамперных характеристик полупроводниковых диодов
- •1. Исследование вах германиевых диодов.
- •Практическое занятие №2 Исследование вольтамперных характеристик транзисторов
- •1. Исследование характеристик полевых транзисторов.
- •2. Исследование характеристик биполярных транзисторов.
- •Практическое занятие № 3 Исследование вольтамперных характеристик тиристоров
- •1. Исследование свойств тиристоров.
- •2. Исследование свойств симисторов.
- •Практическое занятие № 4 Исследование схем выпрямления переменного тока
- •Исследование однофазного мостового выпрямителя. Открыть файл с именем Мост-выпрям.Ewb.
- •Практическое занятие № 5 Исследование усилительного каскада на транзисторе в схеме с общим эмиттером
- •1. Задание для самостоятельной разработки усилителя на биполярном транзисторе
- •Практическое занятие № 6 Исследование стабилизаторов напряжения
- •Практическое занятие № 7 Проектирование и анализ мультивибратора на операционном усилителе (оу)
- •Практическое занятие № 8 Проектирование и анализ генератора пилообразного напряжения
- •Анализ результатов моделирования генератора пилообразного напряжения
- •Практическое занятие № 9 Проектирование и анализ фазосдвигающего устройства для системы импульсно-фазового управления
- •Практическое занятие № 10 Проектирование и анализ управляемого выпрямителя
- •Список литературы
- •Методические указания к выполнению практических работ для студентов специальности
- •6.092200 "Электрические системы и комплексы транспортных средств"
- •334509, Г. Керчь, Орджоникидзе, 82.
Министерство аграрной политики Украины
КЕРЧЕНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ МОРСКОЙ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ
Кафедра «Электрооборудование судов и автоматизация производства»
Электроника и микросхемотехника
Методические указания к выполнению практических работ
для студентов специальности
6.092200 "Электрические системы и комплексы транспортных средств"
Керчь, 2006
Авторы:
Голиков С.П. - к.т.н., доцент, доцент кафедры электрооборудования судов и автоматизации производства (ЭС и АП) Керченского морского технологического института (КМТИ);
Безгачин Н.И. |
- к.т.н., доцент. |
Рецензент: Дворак Н.М. – к.т.н., доцент, заведующий кафедрой ЭСиАП КГМТУ;
Методические указания рассмотрены и одобрены на заседании кафедры ЭС и АП КГМТУ,
протокол № 10 от 5.07.2006 г.,
Методические указания утверждены на методическом совете КМТИ,
протокол № 2 от 18.12. 2006 г.,
© Керченский морской технологический институт
Содержание
Общие методические указания |
|
Практическое занятие №1 |
|
Практическое занятие №2 |
|
Практическое занятие №3 |
|
Практическое занятие №4 |
|
Практическое занятие №5 |
|
Практическое занятие №6 |
|
Практическое занятие №7 |
|
Практическое занятие №8 |
|
Практическое занятие №9 |
|
Практическое занятие №10 |
|
Методические указания предназначены для проведения практических занятий по курсу «Электроника и микросхемотехника». Практические занятия проводятся с целью закрепления и углубления знаний по предмету, а также позволяют восполнить пробелы в практическом исследовании схем при отсутствии необходимого лабораторного оборудования.
Исследование электронных приборов и электронных схем производится с помощью программы Electronics Workbench (EWB). Проведение занятий предполагает наличие у студентов начальных навыков работы с данной программой, которые закрепляются и углубляются в процессе обучения. Для работы с программой необходимо уметь составлять и редактировать схемы, и иметь четкое представление о процессах протекающих в них. Для облегчения работы можно использовать файл с описанием меню EWB (Меню_EWB.doc) или печатные издания по этой программе [4].
Практическое занятие №1. Исследование вольтамперных характеристик полупроводниковых диодов
1. Исследование вах германиевых диодов.
1.1. Для снятия прямой ветви ВАХ диода открыть файл D7AпрямаяВАХ.ewb. В данную схему включен германиевый диод D7A (Д7А).
1 .2. Программа EWB5 позволяет проводить анализ схем по постоянному току. Эту возможность можно использовать для снятия прямой ветви ВАХ диода. После активации команды DC Sweep в меню Analysis необходимо задать начальное и конечное значение варьируемой величины (в данном случае значение источника постоянного тока) и шага ее изменения (рис.1, а). После нажатия клавиши Simulate на экране появится окно с результатами моделирования (рис.1.1, б). По оси абсцисс расположены значения тока, протекающего через диод, а по оси ординат – значение падения напряжения. При составлении отчета полученный график необходимо представить в общепринятом виде, т.е. в виде зависимости I=f(U). Для получения точных отсчетов и построения графика необходимо в окне с результатами моделирования нажать клавишу ТС, и перемещая один из курсоров считывать координаты точек графика в открывшемся окне.
1.3. Для исследования влияния температуры окружающей среды на свойства диода необходимо повторить действия п. 1.2 при значении tокр = 700С. Для установления требуемого значения температуры открыть окно редактирования параметров моделирования Analysis – Analysis Options, и установить значение Simulation temperature TEMP=700. Далее повторить действия по п. 1.2.
1.4. Для снятия обратной ветви ВАХ диода открыть файл D7AобратнаяВАХ.ewb.
1.5. Повторить действия по п.п. 1.2 – 1.3. При этом установить пределы изменения напряжения V1 0-50 В с шагом 1 В.
2. Исследование характеристик кремниевых диодов.
2.1. Открыть файлы D226ЕпрямаяВАХ.ewb и D226ЕобратнаяВАХ.ewb. Далее повторить действия по п.п. 1.2 – 1.5.