Методика выполнения

1. Запустите необходимое программное обеспечение.

2. Соберите схему базового ЛЭ высокопороговой логики по рис. 8.2.

3. Установите нулевые значения входных сигналов Х₁,…,Х₄ и измерьте значения напряжений и токов во всех точках электрической схемы ЛЭ.

4. Последовательно подавайте логическую единицу на входы Х₁, затем на вход Х₂ и так далее до Х₄ и после каждого поданного сигнала измерьте величины напряжений и токов во всех указанных точках электрической схемы. Результаты измерений запишите в табл. 8.1. Какой можно сделать вывод на основании анализа данных табл. 8.1?

Таблица 8.1

Входные сигналы				Параметры электрической схемы
Х1	Х2	Х3	Х4	V1	V2	Vвых	I1	I2	I3
1	0	0	0
1	1	0	0
1	1	1	0
1	1	1	1

5. Установите на входах Х₂, Х₃, Х₄ логические единицы. К входу Х₁ подсоедините отдельный регулируемый источник постоянного напряжения и снимите передаточную характеристику ЛЭ – зависимость выходного напряжения в функции от входного сигнала по Х₁ в диапазоне 0 – 16 В с шагом в 2 В, уменьшая величину шага в точках перегиба характеристики. При этом контролируйте величины напряжений во всех указанных точках схемы ЛЭ. Результаты измерений запишите в табл. 8.2. Для всех контролируемых напряжений постройте графики. Какой можно сделать вывод на основании анализа данных табл. 8.2?

Таблица 8.2

Vвх	0						16
V1
V2
Vвых

6. К входу Х₁ подключите функциональный генератор, к выходу ЛЭ подключите осциллограф и определите амплитудно-частотную характеристику ЛЭ. Найдите диапазон частоты входного сигнала, для которого ЛЭ ещё будет отрабатывать на выходе прямоугольную форму входного сигнала по Х₁. На все остальные входы ЛЭ подайте сигналы логической единицы. Постройте график АЧХ. Какие можно сделать выводы?

7. Соберите схему по рис. 8.3 базового ЛЭ серии ТТЛ. Схему многоэмиттерного транзистора реализуйте её эквивалентной схемой из необходимого числа независимых транзисторов, соединив по отдельности выводы баз и коллекторов в общие точки, играющие функции базы и коллектора МЭТ, и выведя отдельно эмиттеры каждого транзистора.

8. Для этой схемы повторите действия, указанные в пп.3, 4, 5, 6. Проведите сравнительный анализ двух вариантов построения ЛЭ.

9. Соберите схему по рис. 8.4. Для этой схемы повторите действия, указанные в пп. 3, 4, 5, 6.

10. Соберите схему по рис. 8.5. Для неё повторите действия, указанные в пп. 3, 4, 5, 6. Сравните характеристики ЛЭ на биполярных и КМОП транзисторах. Какие можно сделать выводы из анализа?