- •1. Классификация электронных устройств
- •3. Полупроводниковые диоды
- •4. Биполярные транзисторы
- •7,8,9. Полевые транзисторы
- •10. Тиристоры
- •1(2) Общие сведения, классификация и основные характеристики усилителя. Типовые функциональные каскады полупроводникового усилителя
- •Основные характеристики усилителя
- •5.9 Типовая переходная характеристика усилителя
- •3,4(2) Обратная связь в усилителях
- •5(2) Статический режим работы усилительных каскадов
- •11(2) Усилительные каскады на полевых транзисторах
- •6(2) Усилительный каскад на биполярном транзисторе с общим эмиттером
- •9(2) Усилительный каскад на биполярном транзисторе с общим коллектором
- •17(2) Дифференциальные усилительные каскады
- •10(2) Усилительные каскады с динамической нагрузкой и с каскодным включением транзисторов
- •13(2) Основные положения теории обратной связи применительно к усилителям
- •14(2) Мощные усилительные каскады
- •15(2) Двухтактные выходные каскады.
- •14(2) Бестрансформаторные мощные выходные каскады
- •12(2) Многокаскадные усилители
- •18(2) Операционные усилители
- •Повторитель напряжения
- •19(2) Неинвертирующий усилитель
- •20(2) Инвертирующий сумматор
- •Неинвертирующии сумматор
- •21(2) Усилитель с дифференциальным входом
- •Интегратор
- •Дифференциатор
- •22(2) Логарифмический и антилогарифмический (экспоненциальный) усилители
- •1(3) Диодные ограничители амплитуды
- •5(3) Транзисторные мультивибраторы
- •6(3) Генераторы пилообразных импульсов
- •Генераторы линейно изменяющегося напряжения
- •2(3) Триггеры
- •3(3) Транзисторные триггеры
- •4(3) Несимметричный триггер с эмиттерной связью (триггер Шмитта).
- •10(3) Основные логические операции
- •Логические элементы и—не, или—не
9(2) Усилительный каскад на биполярном транзисторе с общим коллектором
Усилительные каскады с общим коллектором больше известны как эмиттерные повторители (рис. 4.27,а). По своим основным характеристикам они близки к истоковым повторителям. Анализ их статического режима ничем не отличается от рассмотренного ранее.
Эквивалентная схема эмиттерного повторителя для диапазона средних частот приведена на рис. 4.27,6.
В ходное сопротивление каскада можно найти из эквивалентной схемы или из выражения входного сопротивления для схемы с ОЭ путем замены сопротивления rэ диф на [r*кдиф||( r*кдиф + Rэ||Rн)]:
Так как обычно rэ диф << Rэ||Rн,,то
В большинстве случаев rкдиф можно не учитывать. Однако его наличие накладывает принципиальное ограничение на значение входного сопротивления. Если увеличивать сопротивление Rэ||Rн, то даже при Rэ||Rн>> r*кдиф входное сопротивление каскада не сможет превысить значения rкдиф = r*кдиф(1+ h*21э). Обычно в практических схемах RBX достигает 200—300 кОм при сопротивлении Rэ10кОм в режиме холостого хода. Входное сопротивление не остается постоянным, а меняется в зависимости от сопротивления нагрузки.
Значение входного сопротивления ограничено сопротивлением делителя в цепи базы. Для обеспечения хорошей температурной
Рис. 4.27. Схема эмиттерного повторителя (а), его эквивалентная схема для области средних частот (б) и для области высоких частот (в), переходная характеристика эмиттерного повторителя (г)
стабилизации желательно, чтобы Rl||R2>R3. В то же время для обеспечения высокого входного сопротивления требуется, чтобы делитель не шунтировал входное сопротивление каскада, т. е. R1||R2>RBXh*21э(Rэ || Rн)-Поэтому иногда приходится либо использовать непосредственную связь с источником сигнала (без делителя), либо искусственно повышать сопротивление цепи смещения за счет введения отрицательной ОС .
Входное сопротивление эмиттерного повторителя уменьшается при коротких импульсах и при повышенной частоте сигнала. Это обусловлено инерционностью процессов в базах транзисторов h*21э =f(t), а также наличием коллекторной и нагрузочной (в общем случае) емкостей.
Выходное сопротивление найдем исходя из следующих соображений. Пусть ег = 0, а напряжение в точке А (рис. 4.27,6) равное е. Тогда ток в цепи базы i6 = e/(Rr + rб’). В цепи эмиттера протекает ток /э = /6 (1 + h*21э)
Таким образом, внутреннее сопротивление источника ЭДС е, вызывающего ток iэ, формально определяют из выражения
Теперь, учитывая, что сопротивления r*кдиф и Rэ незначительно изменяют выходное сопротивление, можно записать окончательное выражение для выходного сопротивления:
В частном случае при достаточно большом значении коэффициента передачи базового тока h*21э и низкоомном источнике входного сигнала вторым членом можно пренебречь и Rвых rэдиф - Так, при токе порядка 1 мА выходное сопротивление порядка 25 0м (Rг→0; h*21э>>l).
С увеличением рабочего тока rэдиф уменьшается и соответственно уменьшается выходное сопротивление. Минимальное выходное сопротивление (при rэдиф 0 и Rг = 0)
может составлять 0,2—2 Ом.
Важно подчеркнуть, что выходное сопротивление существенно зависит от внутреннего сопротивления источника сигнала, причем можно показать, что при Rг →∞ Rвых max r*кдиф || Rэ.
Для наиболее часто встречающихся случаев выходное сопротивление равно 100—200 Ом, что намного меньше, чем в схемах с ОЭ и ОБ.
Коэффициент усиления по напряжению найдем, учитывая малое значение сопротивления rэдиф (rэдиф << r*кдиф). Выходное напряжение можно записать в виде
где 16 = ег/(Rг+Rвх).
Учитывая, что ег (Rr + RBХ) i6, определим коэффициент передачи по напряжению:
Если учесть, что обычно выполняется неравенство гэдиф<<Rэ ||Rн, то выражение можно упростить:
Из выражения видно, что коэффициент передачи по напряжению меньше единицы и его значение в основном зависит от внутреннего сопротивления источника Rг. Обычно Ки находится в пределах 0,9…0,9995.
Коэффициент усиления по току значительный и в пределе равен l+ h*21э.
За счет большого усиления по току происходит усиление мощности.
Эмиттерные повторители могут работать с большими входными сигналами по сравнению с усилительными каскадами других типов. Влияние разделительных конденсаторов С1,С2 на частотную характеристику полностью аналогично влиянию соответствующих конденсаторов в каскаде с ОЭ. Отметим только, что они полностью определяют вид низкочастотной части амплитудно-частотной характеристики каскада.
Поведение каскада в области малых времен рассмотрим только качественно. При этом будем использовать эквивалентную схему для области малых времен, приведенную на рис. 4.27, в.
Важной особенностью эмиттерного повторителя является то, что его входное сопротивление резко уменьшается при повышенной частоте и передаче коротких импульсов. Это обусловлено инерционностью процессов в базе транзистора, а также наличием коллекторной и нагрузочной емкостей. Из эквивалентной схемы видно, что в первый момент после подачи импульса входное сопротивление равно r'6, т. е. имеет достаточно малое значение. По мере зарядки емкостей и нарастания коэффициента h*21э входное сопротивление увеличивается до своего установившегося значения.
Аналогично обстоит дело с коэффициентом усиления по напряжению. Это видно из переходной характеристики эмиттерного повторителя в области малых времен (рис. 4.27, г). Если Сн = 0 и Ск* = 0, то в момент поступления импульса на выходе сразу появился бы сигнал. По мере нарастания функции h*21э одна часть тока h*21э i6 ответвлялась бы в выходную цепь, увеличивая выходное напряжение вплоть до установившегося значения, а другая — в цепь базы и была бы направлена навстречу исходному току базы. Это уменьшило бы эквивалентный входной ток и, следовательно, увеличило бы усиление тока и так до установившихся значений.
Влияние емкости Ск* сказывается в том, что начальный скачок напряжения на выходе отсутствует и увеличивается время нарастания. Емкость нагрузки Сн оказывает приблизительно такое же влияние, что и Ск*, и еще больше уменьшает крутизну начального участка фронта.
Таким образом, вследствие 100%-ной обратной связи по напряжению, которая имеется в усилительных каскадах с ОК , их коэффициент по напряжению стабилен и близок к единице, входное сопротивление высокое, а выходное — низкое.
Рис. 4.28. Схема эмиттерного повторителя:
а — на составном транзисторе, 6 — с дополнительной обратной связью, в — с «динамической нагрузкой», г с «нейтрализованным сопротивлением» делителя
Сложные эмиттерные повторители. В рассмотренном каскаде входное сопротивление не превышает сопротивления r*кдиф. При необходимости получить более высокое входное сопротивление приходится использовать различные схемы сложных эмиттерных повторителей. Простейшая из них на составных транзисторах (рис. 4.28, а) имеет Rвх макс r*кдиф, но у нее входное сопротивление возрастает с увеличением Rэ || Rн значительно быстрее, чем у обычных повторителей. При его расчете можно использовать полученные ранее уравнения, подставляя в них эквивалентный коэффициент передачи базового тока:
Максимальное входное сопротивление приблизительно такое же, как у простого эмиттерного повторителя, но его значение, близкое к максимальному, получается при меньшем значении Rэ || Rн. Коэффициент передачи намного ближе к единице (Ки> 0,995).
Для увеличения входного сопротивления необходимо повышать сопротивление коллекторного перехода r*кдиф. Это часто можно выполнить за счет различных схемных решений. Иногда применяют составные повторители с дополнительной обратной связью, когда напряжение на коллекторе изменяют так, чтобы к r*кдиф было приложено нулевое (в идеальном случае) напряжение. Это приводит к тому, что ток через него не протекает. В реальном случае, используя это решение, можно только значительно уменьшить ток через сопротивление r*кдиф Для практической реализации этой идеи в схему составного эмиттерного повторителя включают резистор RK1 и на коллектор VT1 полностью подают переменную составляющую выходного напряжения (рис. 4.28,6). Батарея Ея, роль которой в схемах выполняет или конденсатор большой емкости, или стабилитрон, служит для компенсации постоянного напряжения на коллекторе VT1.
Входное сопротивление в таких каскадах может достигать 100 МОм при большом значении сопротивления Rэ || Rн.
Как в простом, так и в составном эмиттерном повторителях желательно увеличение RЭ. Однако при этом растет напряжение постоянной составляющей /ЭRЭ. Из-за необходимости обеспечить определенный режим по постоянному току (/э определенного значения) сопротивление резистора Rэ не может быть выбрано высоким. Это ограничение можно обойти, если использовать элемент, имеющий малое сопротивление для постоянного тока и большое для переменного, например транзистор.
В схеме рис. 4.28, в, которую иногда называют схемой с динамической нагрузкой, ток транзистора VT2 определяется только током его базы и практически не зависит от напряжения на коллекторе. Следовательно, сопротивление по переменному току у транзистора VT2 велико (близко к r*кдиф), что и требовалось получить. Отметим, что все меры по увеличению входного сопротивления могут не дать результатов, если не учесть наличие делителя из активных резисторов, которым задается режим работы по постоянному току. Для получения высокого входного сопротивления этот делитель должен быть или устранен вообще, или его влияние должно быть нейтрализовано. Последнее возможно только на переменном токе.
В приведенной на рис. 4.28, г схеме сравнительно низкоомное сопротивление резистора R3 за счет обратной связи повышается в 1/(1– Ки) раз. Это сопротивление по переменному току может достигать десятков МОм и не будет существенно шунтировать вход эмиттерного повторителя.
Эмиттерные повторители широко применяются во входных и выходных каскадах. Их также часто используют при необходимости согласовать между собой два каскада, например при построении многокаскадных усилителей по схеме с ОК.
Таким образом, для усилительных каскадов с ОК характерны: 1) высокое входное сопротивление, значение которого достаточно стабильно; 2) большой коэффициент усиления по току; 3) стабильный коэффициент усиления по напряжению, близкий к единице; 4) малое выходное сопротивление; 5) отсутствие в рабочем диапазоне частот фазового сдвига между входным и выходим напряжениями.