- •Конспект лекций
- •Оглавление
- •Элементы зонной теории твердых тел
- •Статистика электронов и дырок в полупроводниках
- •Литература…………………………………………………………. .73
- •Приложение 2 Фазовая и групповая скорости, фононы………….. 87
- •1. Элементы зонной теории твердых тел
- •1.1 Электронный газ в периодическом потенциальном поле
- •1.2. Зоны Бриллюэна
- •1.3. Эффективная масса электрона
- •1.4. Зонная схема кристаллических тел - проводники, диэлектрики, полупроводники
- •2. Статистика электронов и дырок в полупроводниках
- •2.1. Собственные и примесные полупроводники
- •2.2. Зависимость концентрации свободных носителей в полупроводнике от положения уровня Ферми
- •2.3. Уровень Ферми и равновесная концентрация носителей в невырожденных собственных полупроводниках
- •2.4. Положение уровня Ферми и концентрация носителей в примесных полупроводниках
- •2.5. Неравновесные носители, рекомбинация носителей
- •2.6. Поверхностная рекомбинация
- •2.7. Уравнение непрерывности
- •3. Электропроводность твердых тел
- •3.1. Движение электронов под действием внешнего поля
- •3.2. Зависимость подвижности носителей заряда от температуры
- •3.3. Электропроводность чистых металлов
- •3.4. Электропроводность собственных полупроводников
- •3.5. Электропроводность примесных полупроводников
- •3.6. Диффузионные уравнения
- •4. Контактные явления
- •4.1. Контакт электронного и дырочного полупроводников
- •4.2. Равновесное состояние р-n-перехода
- •4.3. Зонная диаграмма р-n-перехода при положении внешнего поля
- •4.4. Вах тонкого р-n-перехода
- •5. Поверхностные явлении
- •5.1. Поверхностные состояния
- •5.2. Эффект поля. Мдп-структуры
- •5.3. Вольт-фарадная характеристика
- •6. Полевые транзисторы
- •6.1. Общие сведения
- •6.2. Полевые транзисторы с изолированным затвором
- •6.3 Статические характеристики
- •6.4. Основные параметры мдп-транзисторов
- •6.5 Полевые транзисторы с управляющим
- •7. Электрофизические свойства p-n-переходов и структур металл-диэлектрик-полупроводник
- •7.1. Барьерная и диффузионная емкость p-n-перехода
- •7.2. Механизмы пробоя p-n-переходов
- •7.3. Механизмы переноса заряда через тонкие диэлектрические пленки
- •Сильно-полевая туннельная инжекция и инжекционная модификация.
- •Литература
- •Прямоугольный барьер полубесконечной толщины
- •Приложение 2 Фазовая и групповая скорости, фононы
2.5. Неравновесные носители, рекомбинация носителей
Наряду с процессом тепловой генерации электронов и дырок вследствие перехода электронов из валентной зоны в зону проводимости в полупроводниках протекает процесс рекомбинации свободных носителей. Если бы процесс генерации был единственным, то концентрация свободных носителей непрерывно возрастала с течением времени. Процесс генерации носителей уравновешивается рекомбинацией носителей. Электрон в зоне проводимости может потерять вследствие определенных причин энергию и перейти опять в валентную зону. При этом ликвидируется как электрон проводимости, так и дырка в валентной зоне.
При любой температуре в полупроводниках устанавливается равновесие между процессом тепловой генерации носителей и процессом рекомбинации. Этому равновесию соответствует равновесная концентрация носителей. Такие носители называются равновесными. Закон действующих масс применим только к равновесным носителям.
Если генерация носителей заряда осуществляется под действием других факторов, а не вследствие повышения температуры, таких как облучение светом, введение носителей заряда извне за счет электрического поля и т.п., то концентрация носителей будет отличаться от равновесной. В полупроводнике появятся избыточные носители называемые неравновесными носителями. Концентрации таких носителей обозначают через n и p. Полная концентрация носителей заряда будет равна
(2.5.1)
где no и po - равновесные концентрации.
Каждый неравновесный носитель возникнув в полупроводнике существует в нем определенное время ограниченное его рекомбинацией. Для отдельных носителей это время различно, поэтому вводят среднее время жизни носителей, которое для электронов обозначают n, а для дырок p.
Процесс генерации характеризуется скоростью генерации G, которая равна числу носителей появляющихся в единицу времени в единичном объеме полупроводника. Аналогично процесс рекомбинации характеризуют скоростью рекомбинации
, (2.5.2)
.
знак минус указывает на то, что в процессе рекомбинации концентрация носителей уменьшается.
Виды рекомбинации. Процесс рекомбинации носителей, т.е. переход электрона из зоны проводимости в валентную зону может происходить двумя путями. При межзонной рекомбинации электрон из зоны проводимости переходит в валентную зону. Возможен второй способ перехода электрона - сначала он переходит на примесный уровень En, а затем с примесного уровня в валентную зону. Этот тип рекомбинации называется - рекомбинацией через примесный уровень. В обоих случаях выделяется одна и та же энергия. Только в первом случае она выделяется сразу, а во втором постепенно.
Выделение энергии может происходить в виде квантов света h или в виде фотонов. Тепловые колебания кристаллической решетки квантованы, соответствующие им квазичастицы (аналогичны с квантами света) называются фотонами hg, где g - частота нормальных колебаний решетки. Если при рекомбинации происходит выделение кванта света, то он называется излучательной. Если все энергия электронов при рекомбинации переходит в тепловую, то она называется безизлучательной.
Ec EП Ev Eg
Рис. 2.7