- •Основы электротехнологии
- •Иваново, 2011 Литература
- •1 Введение. Классификация электротехнологических установок
- •2 Лазерные установки Введение
- •Классификация лазеров
- •2.1 Теоретические основы лазерных установок.
- •2.1.1 Физические явления при получении лазерного излучения.
- •Возбужденное состояние
- •Невозбужденное состояние
- •2.1.2 Принцип получения лазерного излучения
- •2.1.3 Методы создания инверсии населенности
- •2.1.4 Оптические резонаторы
- •Виды и условие устойчивости оптических резонаторов
- •Резонансные частоты и размер пучка излучения.
- •2.1.5 Свойства лазерного излучения.
- •2.1.6 Принцип действия, устройство и параметры твердотельных лазеров. Устройство и работа твердотельного лазера
- •Лазер на рубине.
- •Неодимовый лазер.
- •2.1.7 Принцип действия, устройство и параметры газовых лазеров.
- •Газостатические молекулярные лазеры.
- •Устройство и работа газостатического лазера
- •Излучатели с конвективным охлаждением рабочей смеси.
- •Электроаэродинамические лазеры
- •Электроионизационные лазеры.
- •2.1.8 Накачка электрическим разрядом.
- •2.1.9 Полупроводниковые лазеры.
- •Устройство полупроводникового лазера
- •2.2 Инженерные основы лазерных технологических установок. Введение
- •2.2.1 Требования к промышленным и технологическим лазерам и лту
- •2.2.2 Схемы и конструкции лту на базе твердотельных лазеров.
- •2.2.3 Лту на основе газоразрядных лазеров с диффузионным охлаждением (лдо).
- •2.2.4 Лту на основе газовых лазеров с конвективным охлаждением (быстропроточные лазеры- бпл).
- •2.2.5 Электрические схемы высоковольтных источников питания Источники питания лазеров импульсного действия
- •Источник питания с индуктивным накопителем энергии
- •Источник питания с ёмкостным накопителем энергии
- •Источник питания с управляемым током зарядки
- •Источники питания лазеров непрерывного излучения
- •Источники питания современных высоковольтных технологических лазеров.
- •Конструкция преобразователя напряжения
- •2.2.6 Оптические системы формирования лазерного излучения в технологических установках
- •3. Электроплазменные технологические установки
- •3.1 Классификация электроплазменных процессов.
- •3.2 Способы осуществления электроплазменных процессов.
- •3.3 Устройство и принцип действия электроплазменных установок
- •3.4 Конструкция плазмотронов
- •Характеристики плазмотронов.
- •4. Ускорители заряженных частиц и их применение
- •4.1. Назначение и классификация ускорителей заряженных частиц
- •4.2. Конструкция и принцип действия ускорителей
- •4.3. Применение ускорителей
2.2.5 Электрические схемы высоковольтных источников питания Источники питания лазеров импульсного действия
В лазерах источник питания имеет специфическую нагрузку в виде газоразрядного промежутка импульсной лампы накачки и ГРК. Для импульсных лазеров применяют эл. схемы двух типов: с индуктивным или емкостным накопителем. Независимо от типа схемы в течении сравнительного большого промежутка времени запасают энергию от питающей сети. Затем в течении короткого промежутка времени отдает накопленную энергию в нагрузку. При этом формируется импульс напряжения, тока и мощности требуемой формы (рис. ). Из-за большого разнообразия типов и параметров импульсных лазерных излучателей, и особенностей промышленного применения лазеров для лазерных технологических установок требуются в/в источники питания, которые имеют широкий диапазон выходных электрических параметров: амплитуда импульсов тока и напряжения, длительности и частота повторения импульсов. Жестких требований к параметрам импульса разрядного тока (мощности) через не предъявляется
Рис.
Длительность импульса измеряется на уровне 50% амплитудного значения мощности. Для твердотельных лазеров длину фронта импульса тока стремятся сделать не менее tф ≥100мкс для того чтобы не вывести из строя лампу накачки.
Tи- колеблется от долей мкс до десятков мс.
Частота следования импульсов от 0.01-103 Гц. Форма импульса тока (мощности) и его параметры зависят от вольт-амперной характеристики лампы накачки. Например для ксеноновой лампы Р≤8·104Па при плотности тока j=102-104 А/см2 и tи=0.15-4 мкс , ВАХ (рис. ) имеет вид
Рис.
Где К0=1.3lл/dл , lл-длина, dл = диаметр газоразрядного промежутка
Можно получить выражение для нелинейного сопротивления газоразрядного промежутка
Для приближенных расчетов сопротивление считают неизменным и равным
, где
Е-в[B/cm]- напряженность электрического поля в газоразрядном промежутке
Источник питания с индуктивным накопителем энергии
Работа этой схемы (рис. ) основана на накоплении энергии магнитного поля в индуктивности Lн дросселя ДР.
V1- тиристор, при подаче управляющего напряжения Uy≥0 тиристор открывается и работает в режиме диода, в индуктивности L возникает постоянный ток, который постепенно возрастает. Это приводит к увеличению энергии магнитного поля. При достижении требуемой величины тока , подается напряжение Uy≤0 . Тиристор запирается, происходит пробой импульсной лампы ИЛ и ГРК. А энергия магнитного поля выделяется в ИЛ через трансформирующую обмотку
ИТ- импульсный трансформатор для зажигания лампы
Рис.
С1- необходим для приложения всего подключенного импульсного напряжения к ИЛ.
Rp- для выделения энергии на случай если не произойдет пробой промежутка ИЛ
Преимущества:
1. малые габариты при большой длительности импульса.
2. долговечность и надежность накопителя энергии ДР
3. плавности регулирования длительности импульса
4. безопасность в эксплуатации ( нет остаточного заряда).
Недостатки:
1. трудности, связанные с коммутацией больших токов
2. малая частота следования импульсов (не более нескольких Гц)
Схемы с индуктивными накопителями применяются для получения импульсов излучения повышенной длительности сек. Такие схемы пока не нашли широкого применения.
Энергия запасаемая в магнитном поле индуктивного накопителя и передаваемая в излучатель может быть определена по известной формуле энергии, запасённой в индуктивности
. (2.32)
Длительность импульса может быть определена в результате решения переходного процесса в разрядной цепи индуктивного накопителя, для которой можно составить схему замещения:
Lp=Lнт=0
Рис.
Lp- индуктивность ИТ, т.к. Lp<<Lн принимается Lp=0
Lн- индуктивность накопителя
Rл- нелинейное активное сопротивление лампы
Переходный процесс описывается уравнением
В результате решения этого уравнения получено выражение для разрядного тока индуктивного накопителя в нормированном виде
, те ток с течением времени убывает
-ток в индуктивном накопителе в момент начала разряда
- постоянная времени
Разряд и ток в лампе существует при 0≤t≤2TL IL0=0
Мощность выделяемая в лампе
- абсолютное значение
- относительное значение
Длина импульса измеряется на уровне 50% амплитудного значения мощности
, откуда ,т.е.
Такому значению соответствует , тогда
Или , если , то
Таким образом увеличение приводит к увеличению
- не более нескольких ГЦ