Тепличные комбинаты и комплексы

Проектирование тепличных комбинатов и комплексов осуществляется в соответствии с нормами технологического проектирования теплиц и тепличных комбинатов для выращивания овощей и рассады (НТП 10-95).

Тепличные комбинаты и комплексы по своему назначению делятся на овощные (ТОК) — для производства овощей и рассадно-овощные (РОТК) — для выращивания рассады, предназначенной для высадки в открытый грунт, с последующим производством овощей. Номенклатура тепличных комбинатов приведена в таблице 13.

Таблица 13

Номенклатура тепличных комбинатов

Назначение комбинатов	Площадь теплиц на комбинате, га
Овощные (для производства овощей)	3,6,12,18,24,30,36,42,48,54,60
Рассадно-овощные	1,3,6,9,12,15,18

Площадь теплиц на тепличном комплексе составляет от 500 до 3000 м².

Теплицы по срокам использования могут быть круглогодовыми и весенне-осенними.

По планировочными решениям теплицы могут быть однопролетными и многопролетными.

Теплицы могут быть остекленными и пленочными.

Пленочные теплицы проектирует, как правило, ангарными.

Теплицы круглогодового использования объединяются отапливаемым коридором в блоки. Теплицы весенне-осеннего использования допускается не соединять переходом с отдельно стоящими бытовыми зданиями, если они объединены в блоки площадью до 1,5 га.

В состав зданий, сооружений и помещений овощных комбинатов обычно входят: административные и бытовые помещения; агрохимлаборатория; биолаборатория; машиноремонтный блок; сарай для сельхозтехники и тракторов; объекты складского назначения; тарное хозяйство; навозохрнилище; площадка для приготовления и хранения почвенных смесей; площадка для санитарной обработки машин и инвентаря; используемых для химической обработки растений, площадки для уничтожения растительных остатков; головные инженерные сооружения (котельная, насосная станция, тепловой пункт и др.).

Состав зданий и сооружений тепличных комплексов принимается в соответствии с заданием на проектирование.

Различаются следующие способы выращивания овощных культур:

— на почвогрунтах при естественном освещении;

— на малообъемной гидропонике при естественном освещении;

— на почвогрунтах при совмещенном (естественном + искусственном) освещении;

— на малообъемной гидропонике при совмещенном освещении;

— на почвогрунтах при полностью искусственном освещении;

— на малообъемной гидропонике при полностью искусственном освещении.

Растения огурцов, томата, перца, бахчевых культур, как правило, выращиваются на шпалере.

При выращивании на малообъемной гидропонике и почвогрунтах растения размешают, как правило, в один ярус, при выращивании на малообъемной проточной гидропонике – в несколько ярусов в объеме сооружения.

Овощные культуры выращивают в три стадии: сеянцы, рассада, взрослая культура. Для каждой стадии предусматриваются отделения, площадь которых принимается по расчету. Отделения оборудуются инженерными системами и технологическим оборудованием в зависимости от принятого способа выращивания.

Выращивание сеянцев и рассады для теплиц предусматривается с использованием кассет и горшков из различных материалов, торфоблоков, кубиков из минеральной ваты на многоярусных гидропонных установках или в один ярус на грунте.

Территория тепличных комбинатов и комплексов разделяется на следующие функциональные зоны: зона теплиц с блоком административных и бытовых помещений; машиноремонтная зона; складская зона; зона тарного хозяйства; зона приготовления и хранения почвенных смесей, навоза, уничтожения растительных остатков; энергетическая зона.

Овощные и рассадно-овощные теплицы круглогодового использования на широтах 35–60⁰ северной широты ориентируют коньками кровли в широтном направлении, для рассадно-овощных теплиц весенне-осеннего использования на широтах 45–65⁰ северной широты целесообразна меридиональная ориентация. Во всех зонах культивационные сооружения следует размещать на склонах южной ориентации.

Здания и сооружения производственно — вспомогательного назначения следует размешать с северной стороны культивационных сооружений. Теплицы следует размещать с наветренной стороны по отношению к источникам загрязнений их светопрозрачных ограждений.

Площадки для уничтожения растительных остатков, навозохранилища размещают с подветренной стороны относительно теплиц для ветров господствующего направления для данной местности в весеннее-осенний период, на периферии участка в стороне от путей движения рабочих. Площадки для приготовления почвенных и хранения пылящих материалов (почвогрунтов, компостов, минераловатных субстратов, торфа, соломы, опилок и др.) должны размещаться с подветренной стороны относительно теплиц и бытовых помещений.

Подъездные пути и внутриплощадочные дороги должны иметь твердое покрытие. Ширина проезжей части основных производственных дорог должна быть не менее 6,0 м, проезды и подъезды к зданиям принимаются шириной не менее 3,5 м.

Площадь территории комбинатов и комплексов в расчете на 1 га блочных теплиц принимается 2,5 га, а ангарных теплиц —3 га.

Для выращивания растений используются насыпные и естественные грунты, минеральные и органические субстанции, растворы минеральных удобрений. Насыпные тепличные грунты — искусственные почвосмеси сложного состава применяют в теплицах круглогодового использования в северной и центральной зонах. Естественные тепличные грунты применяются в теплицах круглогодового использования в южной зоне и теплицах весеннее — осеннего использования. Тепличные грунты должны изготавливаться из расчета 2000–3000 тонн на га.

Схема генерального плана тепличного комплекса с площадью теплиц 1 га приведена на рисунке 26.

Рис. 26 Схема генерального плана тепличного комплекса (площадь теплицы 1 га)

1. Производственно-вспомогательные и бытовые помещения. 2. Энергетический узел. 3. Теплица площадью 1 га. 4. Соединительный коридор. 5. Проходной пункт. 6. Отапливаемый дезбарьер. 7. Площадка для приготовления почвенных смесей и уничтожения растительных остатков. 8. Участки для выращивания овощей в открытом грунте. 9. Ливневые емкости.