Скачиваний:
90
Добавлен:
21.02.2014
Размер:
4.45 Mб
Скачать

7 Программирование бита защиты памяти

Свойство защиты памяти заключается в наличии в составе ППЗУ специального бита, который, будучи запрограммирован, запрещает доступ к внутренней памяти программ любыми внешними по отношению к ОМЭВМ средствам.

Включение микросхемы в режим программирования бита защиты памяти показано на рисунке 34. Процедура программирования в данном случае аналогична обычному программированию ППЗУ ОМЭВМ за исключением того, что вывод Р2.6 удерживается в состоянии логической 1. Порты Р0, Р1 и выводы Р2.0 – Р2.3 могут находиться в произвольном состоянии. Остальные выводы ОМЭВМ должны удерживаться в состояниях, приведенных в таблице 27 для режима “Программирование бита защиты памяти”.

Если бит защиты памяти запрограммирован, его можно очистить только полным стиранием всего ППЗУ. При запрограммированном бите защиты памяти внутренняя память программ не может быть прочитана внешними по отношению к ОМЭВМ средствами, дальнейшее программирование ППЗУ становится невозможным и ОМЭВМ теряет возможность работы с внешней памятью программ. Стирание ППЗУ очищает бит защиты памяти, и микросхема полностью восстанавливает свои функциональные возможности: может быть перепрограммирована и может работать с внешней памятью программ.

Стирание ППЗУ выполняется ультрафиолетовым излучением с длинной волны, меньшей 4000 ангстрем. Т. к. солнечный свет, а также лампы дневного света излучают волны в указанном диапазоне, они могут являться причиной порчи содержащейся в ППЗУ ОМЭВМ информации (критическая продолжительность облучения – 1 неделя на солнце или 3 года в комнате с лампами дневного света). Поэтому рекомендуется закрывать кварцевое окошко микросхемы защитной наклейкой.

Рекомендуется стирание ППЗУ ультрафиолетовым излучением (длина волны 2537 ангстрем) с интегральной дозой как минимум 15 Вт-сек/см2. При этом для стирания должно быть достаточным помещение микросхемы под ультрафиолетовую лампу с потоком 12000 мкВТ/см2 на время 20 – 30 минут и на расстояние около 2,5 см от лампы до кварцевого окошка микросхемы. После стирания все ячейки ППЗУ находятся в состоянии логической единицы.

8 Режим холостого хода и пониженного энергопотребления

Программирование режимов холостого хода и пониженного энергопотребления производится с помощью регистра PCON.

Конструкция регистра управления энергопотреблением (PCON) определяется технологией изготовления ОМЭВМ: n-МОП или KМОП.

Для варианта изготовления по технологии n-МОП (серия 1816) регистр PCON имеет всего 1 бит, управляющий скоростью передачи последовательного порта SMOD.

Для варианта изготовления по технологии КМОП (серия 1830) обозначение разрядов регистра PCON приведено в таблице 28, а назначение разрядов в таблице 29.

Таблица 28 – Обозначение разрядов регистра PCON

Биты

7

6

5

4

3

2

1

0

Обозначение

SMOD

-

-

-

GF1

GF0

PD

IDL

Таблица 29 – Назначение разрядов регистра PCON

Биты

Наименование

Назначение битов

Примечание

7

SMOD

Бит удвоения скорости передачи: при установке в “1” - скорость передачи удваивается

При работе последовательного порта

6

Резервный

5

Резервный

4

Резервный

3

GF1

Флаг общего назначения

2

GF0

Флаг общего назначения

1

PD

Бит включения режима микропотребления

“1” – режим микропотребления

Если в PD и IDL одновременно записана “1”, преимущество имеет PD

0

IDL

Бит холостого хода

“1” – режим холостого хода

Для n-МОП и КМОП ОМЭВМ расположение и назначение разряда SMOD идентичны.

Вся биты регистра PCON программно доступны по записи (“0” и ”1”) и чтению.

Функции бита SMOD подробно рассмотрены при описании работы последовательного порта.

Биты PCON с номерами 4 – 6 зарезервированы для расширения семейства МК51. При чтении значение этих разрядов не определено. Программист не должен записывать “1” в эти биты, т.к. они могут использоваться в будущих разработках ОМЭВМ семейства МК51 для задания новых функций. В этом случае пассивное значение битов 4 – 6 будет “0”, а активное – “1”.

Биты GF1 и GF0 пользователь может задействовать по своему усмотрению.

В ОМЭВМ семейства МК51, выполненных по КМОП технологии, имеются два режима уменьшенного энергопотребления: режим холостого хода и режим микропотребления. Источником питания в этих режимах является вывод UCC. Ток потребления от UCC в нормальном режиме составляет 18 мА, в режиме холостого хода – 4.2 мА, а в режиме пониженного потребления – 50 мкА.

Соседние файлы в папке КУРСАЧ