6 Программирование и проверка омэвм км1816ве751

Программирование осуществляется на частоте задающего генератора 4 – 6 МГц. Генератор необходим для работы внутренней шины ОМЭВМ, по которой происходят пересылки адреса и данных в соответствующие внутренние регистры. В таблице 27 приведены режимы работы ОМЭВМ при программировании и проверке внутреннего ППЗУ.

Временные диаграммы работы микросхемы при программировании и проверке внутреннего ППЗУ, а также значения временных параметров приведены в [1, 2].

На рисунках 32, 33, 34 показаны схемы включения ОМЭВМ при ее работе в режимах, приведенных в таблице 27.

Таблица 27 – Режимы работы при программировании и проверке РПП

Режим	RST	PME	ALE	DEMA	P2.7	P2.6	P2.5	P2.4
Программирование	1	0			1	0	X	X
Проверка	1	0	1	1	0	0	X	X
Программирование бита защиты памяти	1	0			1	1	X	X

Примечание: “1” – уровень логической единицы на соответствующем выводе ОМЭВМ.

“0” – уровень логического нуля на соответствующем выводе ОМЭВМ.

“X” – произвольный логический уровень.

= +21 В  0,5 В.

*– ALE подается импульсом низкого логического уровня длительностью 50 мс  5 мс.

Рисунок 31 – Программирование КМ1816ВЕ5751

Рисунок 32 – Проверка ППЗУ

В режиме программирования адрес ячейки ППЗУ, в которую необходимо записать информацию, подается на выводы портов Р1 и Р2: младшие разряды адреса А0…А7 подаются соответственно на выводы ОМЭВМ Р1.0…Р1.7, а старшие разряды адреса А8…А11 – соответственно на выводы Р2.0…Р2.3.

Байт данных, который необходимо записать в адресуемую ячейку ППЗУ, подается на выводы порта Р0.

На остальные выводы порта Р2, а также на выводы ОМЭВМ RST, и DEMA подаются уровни напряжения, приведенные для режима “Программирование” в таблице 27. Программирование ячейки ППЗУ происходит при подаче импульса низкого уровня ALE длительностью 50 мс 5 мс в соответствии с рисунком 32. DEMA удерживается в состоянии логической 1 до подачи импульса ALE. Затем напряжение на выводе DEMA повышается до 21 В  0,5 В, подается импульс ALE и DEMA вновь возвращается к уровню логической 1.

Необходимо особо подчеркнуть, что даже кратковременное импульсное превышение напряжение на выводе DEMA уровня 21,5 В может вызвать необратимый отказ микросхемы. Поэтому источник программируемого напряжения должен быть хорошо отрегулирован.

Режим проверки содержимого внутренней памяти программ. Этот режим возможен только том случае, если не запрограммирован, бит защиты памяти. В режиме проверки внутренней памяти контролируется правильность хранящейся в памяти программ информации, записанной в процессе производства микросхем КР1816ВЕ51 и КР1830ВЕ51 или в режиме программирования ИС КМ1816ВЕ751.

Адрес ячейки памяти программ, содержимое которой необходимо прочитать, подается на выводы портов Р1 и Р2 аналогично режиму программирования. Другие выводы ОМЭВМ должны поддерживаться в состояниях, приведенных для режима “Проверка” в таблице 27 и на рисунке 33.

Содержимое адресуемой ячейки памяти считывается с выводов порта Р0 при подаче низкого логического уровня на вывод Р2.7. При чтении вывод Р2.7 может либо постоянно поддерживаться в состоянии ”0”, либо использоваться в качестве строб-сигнала чтения с активным низким уровнем.

Рисунок 33 – Программирование бита защиты памяти

Для работы в данном режиме необходимо использовать подтягивающие резисторы …, включенные между выводами порта Р0 и напряжением питания.