
- •Микропроцессорные устройства
- •4.2.1.3 Специальный режим использования порта р0:
- •10 Примеры схем включения омэвм………………………………………...……..……………..73
- •Введение
- •1 Общая характеристика омэвм к1816ве751
- •2 Условное графическое обозначение омэвм к1816ве751 и назначение ее отдельных выводов
- •3 Структура омэвм к1816ве751 и ее описание
- •3.1 Блок управления и синхронизации микроЭвм
- •3.2 Блок арифметико-логического устройства (алу)
- •3.3 Резидентная память данных
- •3.4 Резидентная память программ
- •3.5 Блок прерываний
- •3.6 Блок таймеров – счетчиков
- •3.7 Блок последовательного порта (интерфейса)
- •3.8 Параллельные порты ввода-вывода
- •3.9 Схема десятичной коррекции аккумулятора (сдка)
- •3.10 Внутренний тактовый генератор (osc)
- •3.11 Резидентная шина данных
- •3.12 Регистры
- •4 Особенности функционирования и применение омэвм в различных режимах
- •4.1 Использование таймеров-счётчиков
- •4.2 Использование параллельных портов ввода-вывода
- •4.2.1 Особенности работы порта р0
- •4.2.1.1 Особенности работы р0 с вп (впп или впд)
- •4.2.1.2 Особенности работы р0 в качестве портов ввода/вывода
- •4.2.1.2.1 Вывод данных через р0
- •4.2.1.2.2 Ввод данных через р0
- •4.2.1.3 Специальный режим использования порта р0:
- •4.2.2 Особенности работы порта р1
- •4.2.3 Особенности работы порта р2
- •4.2.4.1.2 Выполнение портом р3 альтернативных функций входа
- •4.2.4.2 Работа р3 в качестве порта вывода
- •4.2.4.3 Работа р3 в качестве порта ввода
- •4.3 Применение последовательного порта
- •4.3.1 Работа последовательного порта в режиме 0
- •4.3.1.1 Передача в режиме 0
- •4.3.1.2 Приём в режиме 0
- •4.3.2 Работа последовательного порта в режиме 1
- •4.3.2.1 Передача в режиме 1
- •4.3.2.2 Приём в режиме 1
- •4.3.3 Работа последовательного порта в режимах 2 и 3
- •4.3.4 Скорость передачи-приёма данных через последовательный порт
- •4.3.5 Пример программирования последовательного порта омэвм
- •4.3.6 Особенности межконтроллерного обмена информацией в локальных управляющих сетях
- •4.4 Особенности структуры прерываний
- •4.5 Организация пошагового режима работы
- •4.6 Организация памяти
- •4.6.1 Особый режим работы памяти омэвм
- •4.7 Расширение резидентной (внутренней) системы ввода-вывода (рсвв/выв)
- •5 Система команд
- •5.1 Способы адресации операндов
- •5.2 Команды передачи данных
- •5.3 Арифметические команды
- •5.4 Логические команды
- •5.5 Операции с битами
- •5.6 Команды передачи управления
- •6 Программирование и проверка омэвм км1816ве751
- •7 Программирование бита защиты памяти
- •8 Режим холостого хода и пониженного энергопотребления
- •8.1 Режим холостого хода
- •8.2 Режим микропотребления
- •8.3 Режим пониженного потребления для омэвм серии 1816 (n-моп)
- •9 Начальная инициализация омэвм
- •10 Примеры схем включения омэвм
- •Список литературы
3.8 Параллельные порты ввода-вывода
Рассматриваемая ОМЭВМ содержит 4 параллельных 8-разрядных программируемых порта ввода-вывода дискретной информации P0, P1, P2, P3.
Порты Р0, Р1, Р2, Р3 являются двунаправленными портами ввода-вывода и предназначены для обеспечения обмена информацией ОМЭВМ с внешними устройствами, образуя 32 линии ввода-вывода. Каждый из портов содержит фиксатор-защелку, который представляет собой восьмиразрядный регистр, имеющий байтовую и битовую адресацию для установки / сброса его разрядов с помощью соответствующих команд.
Физические адреса фиксаторов Р0, Р1, Р2, Р3 составляют для:
Р0 – 80Н, при битовой адресации 80Н – 87Н;
Р1 – 90Н, при битовой адресации 90Н – 97Н;
Р2 – А0Н, при битовой адресации А0Н – А7Н;
Р3 – В0Н, при битовой адресации В0Н – В7Н.
Помимо работы в качестве обычных портов ввода/вывода линии портов Р0 – РЗ могут выполнять ряд дополнительных функций, описанных ниже.
Через порт Р0:
— выводится младший байт адреса А0 – А7 при работе с внешней памятью программ и внешней памятью данных;
— выдается из ОМЭВМ и принимается в ОМЭВМ байт данных при работе с внешней памятью (при этом обмен байтом данных и вывод младшего байта адреса внешней памяти мультиплексированы во времени);
— задаются данные при программировании внутреннего ППЗУ, и читается содержимое внутренней памяти программ.
Через порт Р1:
— задается младший байт адреса при программировании внутреннего ППЗУ и при чтении внутренней памяти программ.
Через порт Р2:
— выводится старший байт адреса А8 – А15 при работе с внешней памятью программ и внешней памятью данных (для внешней памяти данных – только при использовании команд МОVХ А, @DРТR и МОVХ @DРТR, А, которые вырабатывают 16-разрядный адрес);
— задаются старшие разряды (А8 – А11) адреса при программировании внутреннего ППЗУ и при чтении внутренней памяти программ.
Каждая линия порта Р3 имеет индивидуальную альтернативную функцию:
Р3.0 – RxD, вход последовательного порта, предназначен для ввода последовательных данных в приемник последовательного порта;
Р3.1 – ТхD, выход последовательного порта, предназначен для вывода последовательных данных из передатчика последовательного порта;
Р3.2
–
,
используется как вход 0 внешнего запроса
прерывания;
Р3.3
–
,
используется как вход 1 внешнего запроса
прерывания;
Р3.4 – Т0, используется как вход счетчика внешних событий Т/С 0;
Р3.5 – Т1, используется как вход счетчика внешних событий Т/С 1;
Р3.6
–
,
строб записи во внешнюю память данных,
выходной сигнал, сопровождающий вывод
данных через порт Р0 при использовании
команд
МОVХ @Ri, А и МОVХ @DРТR, А;
Р3.7
–
,
строб чтения из внешней памяти данных,
выходной сигнал, сопровождающий ввод
данных через порт Р0 при использовании
команд
МОVХ А, @Ri и МОVХ А, @DРТR.
Альтернативная функция любой из линий порта Р3 реализуется только в том случае, если в соответствующем этой линии фиксаторе-защелке содержится "1". В противном случае на линии порта Р3 будет присутствовать "0".
3.9 Схема десятичной коррекции аккумулятора (сдка)
АЛУ микроЭВМ позволяет выполнять сложение двоично-десятичных данных в упакованном формате (в 1 байт “упакованы” 2 десятичные цифры). При выполнении операции суммирования таких чисел используется команда “Сложение”, которая суммирует операнды по правилам двоичной арифметики и результат помещает в аккумулятор. Для исправления возможной ошибки (коррекции содержимого аккумулятора) применяют команду десятичной коррекции DA A, которая аппаратно реализуется схемой десятичной коррекции аккумулятора.