Порядок виконання роботи

1. Зняти ВАХ для кремнієвого (VD1) та германієвого (VD2) діодів (рис. 6.6.). Побудувати графіки залежності від .

Рис. 6.6. Схема для зняття ВАХ діода

2. Зняти вхідні характеристики біполярного транзистора для схем включення з спільною базою (рис. 6.7. а)) та спільним емітером (рис. 6.7. б)) при . Побудувати графіки.

а)

б)

Рис. 6.7. Схеми для зняття вхідних характеристик транзистора

А) з загальною базою, б) з загальним емітером

3. Зняти вихідні характеристики біполярного транзистора, для схеми з спільним емітером (рис. 6.8.) при . Побудувати графіки залежностей від .

Рис. 6.8. Схема для зняття вихідних характеристик транзистора при

4. Зробити висновки.

Зміст звіту

1. Мета роботи, обладнання.

2. Короткі теоретичні відомості.

3. Порядок проведення роботи.

4. Принципові схеми вимірюваних установок.

5. Таблиці результатів.

6. Оформленні графіки знятих ВАХ.

7. Висновки.

Контрольні запитання

1. Принцип роботи напівпровідникового діода.

2. Типи діодів та їх основні параметри.

3. Вольт-амперні характеристики діодів.

4. Принцип роботи біполярного транзистора.

5. Класифікація біполярних транзисторів

6. Основні параметри біполярних транзисторів.

7. Вхідна вольт-амперна характеристика транзистора. Схеми для зняття вхідних характеристик.

8. Вихідна вольт-амперна характеристика транзистора. Схеми для зняття вихідних характеристик.

9. Методи контролю працездатності напівпровідникових приладів.

Додаток Основні параметри деяких напівпровідникових елементів

Діод Д226Б

Максимальний прямий струм – 0,3А

Максимальна зворотна напруга – 400В

Постійна (середня) пряма напруга – 1,0В

Зворотній струм при максимальній зворотній напрузі – 0,2мА

Діод Д310

Максимальний імпульсний струм (10 мкс) – 0,8А

Максимальний прямий струм – 0,25А

Пряма імпульсна напруга – не більше 2,5В

Максимальна зворотна напруга – 20В

Транзистор кт209г

Тип транзистора – біполярний p-n-p

Максимальний струм колектора – 300 мА

Максимально допустимий струм колектора – 500 мА

Максимальна напруга між колектором та емітером – 30 В

Максимальна напруга між колектором та базою – 30 В

Максимальна напруга між емітером та базою – 10 В

Максимальна потужність колектора—200мВт

Максимальна температура експлуатації – 100^оС

Максимальна допустима температура експлуатації – 125^оС

Частотний діапазон: до 5 MГц.

Напруга насичення між колектором та емітером = 0,4 В

Ємність колектора – 50 пФ

Ємність емітера – 100 пФ

Транзистор кт209б

Тип транзистора – біполярний p-n-p

Максимальний струм колектора – 300 мА

Максимально допустимий струм колектора – 500 мА

Максимальна напруга між колектором та емітером – 15 В

Максимальна напруга між колектором та базою – 15 В

Максимальна напруга між емітером та базою – 10 В

Максимальна потужність колектора—200мВт

Максимальна температура експлуатації – 100^оС

Максимальна допустима температура експлуатації – 125^оС

Частотний діапазон: до 5 MГц.

Напруга насичення між колектором та емітером = 0,4 В

Ємність колектора – 50 пФ

Ємність емітера – 100 пФ

Література

1. Матвійків М.Д, Когут В.М., Матвійків О.М.. Елементна база електронних апаратів. Підручник. –Львів.: Національний технічний університет “Львівська політехніка”, 2007, 428 с.,

2. Л.Д. Васильєва, В.І. Медведенко, Ю.І. Якименко Напівпровідникові прилади. – Київ.: Політехніка, 2003.

3. Рычина Т.А., Зеленский А.В., Устройство функциональной електроники, електрорадиоелементы. - М.: Радио и связь,1989.

4. И.Е Ефимов, И.Я. Козырь. Основы микроэлектроники. - М.:Вища школа, 1983.

5. Н.В. Никулин, А.С. Назаров Радиоматериалы и радиокомпоненты. - М.:Вища школа, 1986.

6. Степаненко И.П. Основы микроелектроники. - М. Сов. Радио, 1980

7. Иванов В.И. Полупроводниковые приборы. Справочник, - Л.: Енергоатомиздат, 1989.