
- •Методическая разработка
- •1.1. Описание схем опытов
- •1.1.1. Объекты исследования:
- •1.2. Экспериментальное исследование
- •1.2.1. Режим непосредственных измерений.
- •1.2.2. Автоматический режим.
- •1.2.3. Определение параметров транзисторов.
- •1.3. Содержание отчета:
- •1.4. Сведения и комментарии
- •1.4.1. Биполярные транзисторы.
1.2.2. Автоматический режим.
Этот режим
используется для снятия выходных ВАХ
(
)
биполярного транзистора и стоковых ВАХ
(
)
МДП- транзистора. Вначале, прежде чем
запустить процесс исследования, при
выключенном питании схемы открыть
панель характериографа XIV1
и, нажав кнопку Sim_Param,
произвести следующие установки:
* для биполярного транзистора –
Source Name: V_ce Source Name: I_b
Start: 0 V Start: 1 µA
Stop: 10 V Stop: 17 µA
Increment: 50 mV Num steps: 9 ;
* для МДП-транзистора –
Source Name: V_ds Source Name: V_gs
Start: 0 V Start: 1.85 V
Stop: 10 V Stop: 2.01 V
Increment: 50 mV Num steps: 9 .
Затем включить и
через непродолжительное время (после
установления изображения) выключить
схему эксперимента. Перемещая курсор
в заданные (например, табл. 1.1 либо 1.2)
точки оси x
(т.е. оси напряжений
либо
),
считать из нижней строки панели прибора
значения токов
(
)
и
(напряжения
).
Параметры каждого графика семейства
ВАХ определять при одном и том же
положении курсора, переходя от одного
графика к другому, щелкнув на соответствующем
графике левой клавишей мыши. Чтобы более
точно отобразить графики на миллиметровой
бумаге, необходимо считать показания
с экрана характериографа в дополнительных
(по отношению к указанным в табл. 1.1 и
1.2) точках оси x,
в частности точке перегиба. Семейство
ВАХ, отображенное на экране осциллографа,
используется также при определении
параметров транзистора.
1.2.3. Определение параметров транзисторов.
Параметры
транзисторов определяются в заданной
рабочей точке, координаты которой (,
либо
,
)
указаны на соответствующем рисунке.
Измеряемыми здесь параметрами биполярного
транзистора являются коэффициент
передачи базового тока
и дифференциальное сопротивление
закрытого коллекторного p-n-перехода
в схеме с общим эмиттером, а параметрами
МДП- транзистора – крутизна
и внутреннее сопротивление (дифференциальное
сопротивление канала)
.
При
определении параметра
либо
необходимо вначале установить курсор
в заданную точку
(либо
).
При неизменном напряжении
(
)
снять показания токов коллектора
,
(либо токов стока
,
)
и токов базы
,
(либо напряжений
,
)
в двух точках, соответствующих двум
соседним графикам, расположенным ниже
и выше ординаты рабочей точки
либо
.
Найти разности
;
;
;
и вычислить параметры
(при
);
(при
).
Чтобы определить
параметр
(
),
необходимо задать приращение напряжению
(
),
переместив курсор из одного положения
в другое
,
и считать приращение напряжения
(
)
и тока
(
)
по графику, расположенному ближе всего
к заданной ординате
( т.е. при
либо
).
Тогда
(при
);
(при
).
При определении
(
)
можно принять
В,
В
(
В,
В).
Для вариантов 8 – 12 из-за недостаточной
точности представления значений
при
мА
(на экране характериографа XIV1) сопротивление
рекомендуется определять по характеристике,
соответствующей значению
В.