МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РФ

Федеральное агентство по образованию

Государственное образовательное учреждение высшего

профессионального образования

«оренбургский государственный университет»

Кафедра «Управления и информатики в технических системах»

Методическая разработка

для проведения

лабораторной работы № 2

по учебной дисциплине

«Общая электротехника и электроника»

Оренбург 2010

1. Лабораторная работа № 2

ТРАНЗИСТОРЫ

Цель работы: изучение устройства, свойств, вольт- амперных характеристик и параметров биполярных и МДП- транзисторов; приобретение навыков в исследовании полупроводниковых приборов.

1.1. Описание схем опытов

1.1.1. Объекты исследования:

* Q1 и Q2 (рис. 1.1) – биполярный транзистор типа n-p-n;

* Q1 и Q2 (рис. 1.2) – МДП- транзистор с индуцированным каналом n-типа.

1.1.2. Источники питания:

* I1 – источник постоянного тока для питания базы биполярного транзистора;

* V1 – источник постоянного напряжения для задания напряжения смещения на затвор МДП- транзистора;

* XFG1 – функциональный генератор; здесь используется как источник управляемого постоянного напряжения для питания коллектора биполярного транзистора или стока МДП- транзистора.

1.1.3. Измерительные приборы:

* U1 – вольтметр постоянного тока; используется для измерения напряжения на базе или затворе транзистора Q1;

* U2 – вольтметр постоянного тока; используется для измерения напряжения на коллекторе или стоке транзистора Q1;

* U3 – амперметр постоянного тока; используется для измерения тока коллектора или стока транзистора Q1;

* U4 – амперметр постоянного тока; используется для измерения тока базы биполярного транзистора Q1;

* XIV1 – характериограф; используется для снятия семейства выходных вольт- амперных характеристик (ВАХ) биполярного транзистора Q2 или стоковых ВАХ МДП- транзистора Q2.

1.2. Экспериментальное исследование

1.2.1. Режим непосредственных измерений.

Включить схему эксперимента (рис. 1.1 либо 1.2). Открыв панель источника I1 (либо V1), установить минимальное значение тока базы (напряжения на затворе ) из указанных в табл. 1.1 (табл. 1.2). Открыть панель прибора XFG1 и установить минимальную амплитуду переменного напряжения (Amplitude = 0.001 pV). Последовательно задавая значения постоянного напряжения на выходе XFG1 (Offset) из ряда, указанного в табл. 1.1 (табл. 1.2), измерить при каждом значении () ток коллектора (ток стока ) и напряжение на базе . Данные занести в соответствующую таблицу (табл. 1.1 либо 1.2). Эту же процедуру повторить при других (указанных в табл. 1.1, 1.2) значениях тока базы (напряжения на затворе ).

Рис. 1.1. Схема опыта для исследования ВАХ биполярного транзистора

Рис. 1.2. Схема опыта для исследования ВАХ МДП- транзистора

Таблица 1.1

, мкА	Измеряемая величина	, В
		0	0,5	1	2	4	7	10
1	, мА
	, В
5	, мА
	, В
9	, мА
	, В
13	, мА
	, В
17	, мА
	, В

Таблица 1.2

, В	Измеряемая величина	, В
		0	0,5	1	2	4	7	10
1,85	, мА	0	-0.042m	-0.042m
1,89	, мА	0	-0.256m	-0.265m
1,93	, мА	0	-0.697m	-0.679m
1,97	, мА	0	-1.278m	-1.278m
2,01	, мА	0	-2.059m	-2.059m