- •Методическая разработка
- •1.1. Описание схем опытов
- •1.1.1. Объекты исследования:
- •1.2. Экспериментальное исследование
- •1.2.1. Режим непосредственных измерений.
- •1.2.2. Автоматический режим.
- •1.2.3. Определение параметров транзисторов.
- •1.3. Содержание отчета:
- •1.4. Сведения и комментарии
- •1.4.1. Биполярные транзисторы.
1.2.2. Автоматический режим.
Этот режим используется для снятия выходных ВАХ () биполярного транзистора и стоковых ВАХ () МДП- транзистора. Вначале, прежде чем запустить процесс исследования, при выключенном питании схемы открыть панель характериографа XIV1 и, нажав кнопку Sim_Param, произвести следующие установки:
* для биполярного транзистора –
Source Name: V_ce Source Name: I_b
Start: 0 V Start: 1 µA
Stop: 10 V Stop: 17 µA
Increment: 50 mV Num steps: 9 ;
* для МДП-транзистора –
Source Name: V_ds Source Name: V_gs
Start: 0 V Start: 1.85 V
Stop: 10 V Stop: 2.01 V
Increment: 50 mV Num steps: 9 .
Затем включить и через непродолжительное время (после установления изображения) выключить схему эксперимента. Перемещая курсор в заданные (например, табл. 1.1 либо 1.2) точки оси x (т.е. оси напряжений либо ), считать из нижней строки панели прибора значения токов () и (напряжения ). Параметры каждого графика семейства ВАХ определять при одном и том же положении курсора, переходя от одного графика к другому, щелкнув на соответствующем графике левой клавишей мыши. Чтобы более точно отобразить графики на миллиметровой бумаге, необходимо считать показания с экрана характериографа в дополнительных (по отношению к указанным в табл. 1.1 и 1.2) точках оси x, в частности точке перегиба. Семейство ВАХ, отображенное на экране осциллографа, используется также при определении параметров транзистора.
1.2.3. Определение параметров транзисторов.
Параметры транзисторов определяются в заданной рабочей точке, координаты которой (, либо , ) указаны на соответствующем рисунке. Измеряемыми здесь параметрами биполярного транзистора являются коэффициент передачи базового тока и дифференциальное сопротивление закрытого коллекторного p-n-перехода в схеме с общим эмиттером, а параметрами МДП- транзистора – крутизна и внутреннее сопротивление (дифференциальное сопротивление канала) .
При определении параметра либо необходимо вначале установить курсор в заданную точку (либо ). При неизменном напряжении () снять показания токов коллектора , (либо токов стока , ) и токов базы , (либо напряжений , ) в двух точках, соответствующих двум соседним графикам, расположенным ниже и выше ординаты рабочей точки либо . Найти разности
; ; ;
и вычислить параметры
(при ); (при ).
Чтобы определить параметр (), необходимо задать приращение напряжению (), переместив курсор из одного положения в другое , и считать приращение напряжения () и тока () по графику, расположенному ближе всего к заданной ординате ( т.е. при либо ). Тогда
(при ); (при ).
При определении () можно принять В, В (В, В). Для вариантов 8 – 12 из-за недостаточной точности представления значений при мА (на экране характериографа XIV1) сопротивление рекомендуется определять по характеристике, соответствующей значению В.