- •1.Движение электрона в электрических и магнитных полях.
- •3. Основы зонной теории.
- •4. Металлы, диэлектрики.
- •5. Полупроводники, понятие «дырки».
- •6. Примесные полупроводники, уровень Ферми.
- •8. Энергетическая модель фотодиода, светодиода.
- •9. Энергетическая модель биполярного транзистора g d.
- •13. Технологии изготовления полупроводниковых диодов
- •14. Классификация диодов.
- •16. Выпрямительные схемы.
- •19. Статические характеристики транзистора.
- •21. Графоаналитический расчет усилителя на транзисторе.
- •22. Полевые транзисторы.
- •23. Тиристоры, варисторы, термисторы.
- •24. Фоторезисторы фотодиоды
- •25. Усилители, классификация усилителей.
- •26. Обратная связь в усилителе, способы её организации.
- •27. Сведение электрической схемы усилителя к базовой схеме
- •28. Базовая схема усилителя.
- •29. Дифференциальный усилитель.
- •30.Операционный усилитель
- •31. Прямое и инверсное включение оу, расчет Ко.
- •34 Повторитель, инвертор, сумматор на основе оу.
- •35. Дифференциатор, интегратор на основе оу.
- •36. Генераторы синусоидального сигнала, обратная связь, условия генерации.
- •37. Типы генераторов на основе оу, схемные решения.
- •38.Генераторы на основе кварцевых резонаторов.
- •40. Дифференцирующие и интегрирующие электрически цепи.
- •41. Электронные ключи.
- •42. Ограничители напряжения.
- •43. Транзисторные ключи, схемные решения.
- •45. Блокинг-генератор, генератор пилы.
- •46. Интегральные схемы, базовая логика.
- •47. Комбинационные микросхемы.
- •48. Микросхемы с памятью.
19. Статические характеристики транзистора.
Транзистор в электрических схемах используется в качестве четырехполюсника, характеризующегося четырьмя величинами: входным и выходным напряжениями и входным и выходным токами ( uВХ, uВЫХ, iВХ, iВЫХ). Функциональные зависимости между этими величинами называются статическими характеристиками транзистора, Чтобы установить функциональные связи между указанными величинами, необходимо две из них взять в качестве независимых переменных, а две оставшиеся выразить в виде функций этих независимых переменных. Как правило, применительно к биполярному транзистору в качестве независимых переменных выбирают входной ток и выходное напряжение. В этом случае входное напряжение и выходной ток выражаются следующим образом:
На практике удобнее использовать функции одной переменой. Для перехода к таким функциям необходимо вторую переменную, называемую в этом случае параметром характеристики, поддерживать постоянной. В результате получаются четыре типа характеристик транзистора:
входная характеристика:
характеристика обратной передачи ( связи) по напряжению:
характеристика (прямой) передачи тока, называемая также управляющей или передаточной характеристикой:
выходная характеристика:
21. Графоаналитический расчет усилителя на транзисторе.
22. Полевые транзисторы.
Полевой транзистор – это электропреобразовательный прибор, в котором ток, протекающий через канал, управляется электрическим полем, возникающим при приложении напряжения между затвором и истоком, и который предназначен для усиления мощности электромагнитных колебаний. Принцип действия основан на использовании носителей заряда только одного знака (электронов или дырок). Управление током осуществляется изменением проводимости канала, через который протекает ток транзистора под воздействием электрического поля.
По способу создания канала различают полевые транзисторы с затвором в виде управляющего р-n- перехода и с изолированным затвором (МДП - или МОП - транзисторы): встроенным каналом и индуцированным каналом.
Каналом полевого транзистора называют область в полупроводнике, в которой ток основных носителей заряда регулируется изменением ее поперечного сечения.
Электрод (вывод), через который в канал входят основные носители заряда, называют истоком. Электрод, через который из канала уходят основные носители заряда, называют стоком. Электрод, служащий для регулирования поперечного сечения канала за счет управляющего напряжения, называют затвором.
Полевой транзистор с управляющим р-n- переходом – это полевой транзистор, затвор которого отделен в электрическом отношении от канала р-n-переходом, смещенным в обратном направлении.
Полевой транзистор с изолированным затвором (МДП - транзистор) – это полевой транзистор, затвор которого отделен в электрическом отношении от канала слоем диэлектрика.
Параметры МДП - транзисторов аналогичны параметрам полевых транзисторов с р-n- переходом.
Что касается входного сопротивления то МДП - транзисторы имеют лучшие показатели, чем транзисторы с р-n- переходом. Входное сопротивление у них составляет rвх = 1012 … 1014 Ом.