- •1.Движение электрона в электрических и магнитных полях.
- •3. Основы зонной теории.
- •4. Металлы, диэлектрики.
- •5. Полупроводники, понятие «дырки».
- •6. Примесные полупроводники, уровень Ферми.
- •8. Энергетическая модель фотодиода, светодиода.
- •9. Энергетическая модель биполярного транзистора g d.
- •13. Технологии изготовления полупроводниковых диодов
- •14. Классификация диодов.
- •16. Выпрямительные схемы.
- •19. Статические характеристики транзистора.
- •21. Графоаналитический расчет усилителя на транзисторе.
- •22. Полевые транзисторы.
- •23. Тиристоры, варисторы, термисторы.
- •24. Фоторезисторы фотодиоды
- •25. Усилители, классификация усилителей.
- •26. Обратная связь в усилителе, способы её организации.
- •27. Сведение электрической схемы усилителя к базовой схеме
- •28. Базовая схема усилителя.
- •29. Дифференциальный усилитель.
- •30.Операционный усилитель
- •31. Прямое и инверсное включение оу, расчет Ко.
- •34 Повторитель, инвертор, сумматор на основе оу.
- •35. Дифференциатор, интегратор на основе оу.
- •36. Генераторы синусоидального сигнала, обратная связь, условия генерации.
- •37. Типы генераторов на основе оу, схемные решения.
- •38.Генераторы на основе кварцевых резонаторов.
- •40. Дифференцирующие и интегрирующие электрически цепи.
- •41. Электронные ключи.
- •42. Ограничители напряжения.
- •43. Транзисторные ключи, схемные решения.
- •45. Блокинг-генератор, генератор пилы.
- •46. Интегральные схемы, базовая логика.
- •47. Комбинационные микросхемы.
- •48. Микросхемы с памятью.
6. Примесные полупроводники, уровень Ферми.
Примесный - полупроводник, электрофизические свойства которого в основном определяются примесями.
Большинство полупроводниковых (п/п) приборов изготовляют на основе примесных полупроводников . Таким образом в рабочем диапазоне температур полупроводникового прибора поставщиками основного количества носителей заряда в полупроводниковом материале должны быть примеси. Поэтому в практике важное значение имеют п/п материалы, у которых ощутимая собственная концентрация носителей заряда появляется при возможно более высокой температуре, т.е. полупроводники с достаточно большой шириной запрещенной зоны.
В элементарных полупроводниках примесями являются чужеродные атомы.
В п/п соединениях примесями могут быть и избыточные атомы химических элементов, входящие в химическую формулу сложного п/п соединения.
Атомы примесей в полупроводниках создают дополнительные энергетические уровни в пределах запрещённой зоны полупроводника. При небольшой концентрации примесей их атомы расположены в полупроводнике на таких больших расстояниях друг от друга, что не взаимодействуют между собой. Поэтому нет расщепления примесных уровней и вероятность непосредственного перехода электронов от одного примесного атома к другому ничтожно мала, т.е. с точки зрения зонной теории ничтожно мала вероятность перехода электрона с одного дискретного примесного уровня на другой.
При достаточной концентрации примесей в результате взаимодействия примесных атомов между собой примесные уровни одного типа расщепляются в энергетическую примесную зону. Примеси могут либо поставлять электроны в зону проводимости полупроводника, либо принимать их с уровней его валентной зоны. Примеси могут быть донорного и акцепторного типа.
Под уровнем Ферми понимаем значение энергии ионизации атома отнесенной к одному электрону.
Все примесные уровни располагающиеся над уровнем Ферми для собственного полупроводника относятся к проводнику n-типа, ниже – относятся к Р – полупроводнику. Энергия соответствующая уровню Ферми принимается равной нулю и отсчитывается вверх для электронов и вниз для дырок .
7. р - п переход. Энергетическая модель. Её объяснение.
Электронно-дырочный переход - основной элемент биполярных приборов, pn - переход создают в кристалле изменением типа его проводимости, путем введения акцепторной и донорной примеси. Когда образуется pn переход, между p и n областями происходит обмен электронами и дырками и энергией так, что между областями устанавливается равновесие, и характеризующий равновесное состояние уровень Ферми становится единым для всей системы.
Суммарное поле возникает в области контакта двух проводников.
Возрастание поля эквивалентно возрастанию высоты потенциального барьера.
Области, находящиеся на значительном удалении от места контакта p и n областей, не подвержены влиянию pn перехода.Таким образом, условия сохранения свойств отдельных материалов и единства уровня Ферми для всей системы приводят к появлению скачка в области pn перехода. Этот скачок соответствует возникновению потенциального барьера, который препятствует переходу основных носителей в потенциальную область (дырок из p в n область и электронов из n в p область).