20. Типовой элемент эсл. Динамические характеристики.

При поступлении на вход U¹ транзисторы VT1, VT1¹открываются, а транзистор VT2 закрывается за малый промежуток времени:

Емкость С₁ состоит из суммы емкостей коллекторных переходов VT1, VT3, паразитной емкости C_n1, также емкости С₂ которая является суммой емкости нагрузки Сн и паразитной емкости C_n2:

С₂ = С_н + C_n2.

Уменьшение U_{вых 1} проходит вследствие разряда емкости С₂ на выходе схемы через сопротивление R₀.

При поступлении на вход отрицательного перепада напряжения транзисторы VT1, VT1¹ запираются за время . Потенциал U_к1 возрастает вследствие заряда емкости С₁ через резистор R_к1.

Рис. 1.23 Переходные процессы при переключении элемента ЭСЛ.