- •I семестр
- •Тема 1.1. Физика явлений в полупроводниках.
- •Виды, устройство, принцип включения, работа, основное свойство, уго, применение;
- •Тема 3. Тиристоры и оптроны
- •Тема 4. Приборы и устройства индикации
- •Что изучает электроника?
- •Движение электронов в электрических и магнитных полях.
- •Классификация электронных приборов. Электронная эмиссия.
- •Движение электронов в электрическом поле
- •Движение электронов в магнитном поле.
- •2) Классификация электронных приборов. Электронная эмиссия
- •Контакт двух полупроводников с различной примесной проводимостью «n и p» - типа, называется «p-n»-переход.
- •2.1. Два способа включения p-n-перехода:
- •Классификация полупроводниковых приборов
- •Полупроводниковые диоды
- •Классификация п/п диодов по применению
- •3) Стабилитрон – опорный диод
- •4) Варикап
- •Фотодиод – имеет p-n-переход доступный действию света (излучения).
- •6) Туннельный диод.
- •5.2 Полевые транзисторы;
- •5.3 Однопереходные транзисторы;
- •П.Т. С затвором в виде p-n перехода.
- •Полевые транзисторы с изолированным затвором
- •Условное графическое обозначение
- •Полевые транзисторы с изолированным затвором и индуцированным каналом.
- •Тема 3. Тиристоры и оптроны
- •Назначение, устройство, принцип действия, принцип включения, основное свойство, виды, уго тиристоров
- •Назначение, устройство, принцип действия, принцип включения, основное свойство, виды, уго оптронов
- •Принцип включения:
- •Основное свойство тиристора:
- •Виды и уго тиристоров (условные графические обозначения)
- •II Оптрон (оптопара)
- •Основное свойство оптрона
- •Виды и уго оптрона
- •Тема 4. Приборы и устройства индикации
- •Классификация индикаторов:
- •Газоразрядный индикатор
Движение электронов в магнитном поле.
В магнитном поле на движущиеся электроны действует сила Лоренца, всегда направленная перпендикулярно вектору скорости. Поэтому электроны движется по дуге окружности. Магнитное поле изменяет только направление движения электрона.
Например, в кинескопах телевизора применяют магнитные отклонения луча, а в электронно-лучевой трубке осциллографа - электростатическое отклонение луча.
2) Классификация электронных приборов. Электронная эмиссия
По среде, в которой движутся электроны, различают:
а) электронные вакуумные приборы – источником свободных электронов служит явление электронной эмиссии;
б) ионные газоразрядные приборы - источником свободных электронов служит электронная эмиссия плюс ударная ионизация атомов и молекул
в) полупроводниковые (п/п) приборы – электроны освобождаются от атома под действием различных причин (изменение температуры, освещенности, давления) поэтому концентрация свободных носителей заряда может быть значительно больше чем в вакуумных и газоразрядных приборах и это обуславливает меньшие габариты, массу и стоимость п/п приборов.
Тема 1.1. Физика явлений в полупроводниках.
-
Полупроводники, виды полупроводников по проводимости.
-
Контакт двух полупроводников с различной примесной проводимостью.
-
Прямое и обратное включение p-n перехода. Основные свойства.
-
ВАХ p-n перехода. Виды пробоя.
-
Влияние температуры на p-n переход.
-
-
Контакт полупроводника и металла. Барьер Шотки.
-
Полупроводники – это вещества, у которых электрическая проводимость заметно зависит от температуры освещенности, давления и примеси.
Например, при возрастании температуры на 1 градус по Цельсию сопротивление металла увеличится на 0, 4 % , а у полупроводника уменьшится на 4-8 %.
Примеры полупроводников: Кремний, Германий, вещества на основе Индия, Арсенид Галлия.
Виды полупроводников по проводимости:
А) собственная проводимость;
Б) примесная проводимость;
А) Собственная проводимость представляет собой движение свободных электронов и дырок, число которых одинаково и заметно зависит от температуры освещенности и давления.
Собственную проводимость можно наблюдать в чистом беспримесном полупроводнике. Такой полупроводник называют полупроводником i - типа.
Б) Примесная проводимость
Различают два вида примесной проводимости:
- электронная примесная проводимость получается при добавлении примесей с валентностью на единицу больше валентности полупроводника. При этом 4 из валентных электронов каждого атома примесей участвуют в образовании связей, а пятый легко становится свободным без образования дырки. Поэтому в таких полупроводниках преобладают свободные электроны.
Полупроводники, в которых преобладают свободные электроны, называются полупроводниками n-типа.
Например, Ge(германий) + As(мышьяк) –п/п n-типа.
- дырочная примесная проводимость получается при добавлении примесей с валентностью на единицу меньше валентности полупроводника. При этом у каждого атома примеси недостает одного электрона для завершения связи с атомами полупроводника, следовательно, преобладает количество дырок в полупроводнике.
Полупроводники, в которых преобладают дырки, называются полупроводниками p-типа.
Например, Ge + In(индий) –п/п p-типа.