- •Физические основы электроники
- •Элементы структурной кристаллографии
- •1. Методические указания по подготовке к работе
- •2. Порядок выполнения работы
- •3. Содержание отчета
- •1. Методические указания по подготовке к работе
- •2. Порядок выполнения работы
- •3. Содержание отчета
- •Исследование электрофизических свойств
- •1. Методические указания по подготовке к работе
- •2. Порядок выполнения работы
- •3. Содержание отчета
- •1. Методические указания по подготовке к работе
- •2. Порядок выполнения работы
- •Содержание отчета
- •Исследование варикапа
- •1. Методические указания по подготовке к работе
- •2. Порядок выполнения работы
- •3. Содержание отчета
- •Рекомендуемая литература
- •1. Методические указания по подготовке к работе
- •2. Порядок выполнения лабораторной работы
- •3. Содержание отчета
- •Определение ширины запрещенной зоны полупроводников
- •1. Методические указания по подготовке к выполнению работы
- •2. Порядок выполнение лабораторной работы
- •4. Обработка результатов измерений:
- •3. Содержание отчета
4. Обработка результатов измерений:
– рассчитайте нормирующие коэффициенты K=T0(max)/T0 и нормированные интенсивности спектральных составляющих T1 = T1K,% и T2=T2K,% для всех длин волн, для которых проведены измерения; результаты расчетов запишите в табл. 1.
– постройте на одном графике зависимости Т1 = f1() и Т2 = f2() образцов ZnSe и GaP; там же нанесите уровень Т0 = Т0 (max) = 100%;
– рассчитайте ширину запрещенной зоны W в электронвольтах (1эВ=1,610-19 Дж) для образцов ZnSe и GaP по формуле:
где h = 6,6710-34 , Дж с – постоянная Планка; с = 3108, м/с – скорость света; гр – граничная длина волны, м.
3. Содержание отчета
1. Цель работы.
2. Перечень оборудование.
3. Результаты измерений и расчетов.
4. Выводы.
Контрольные вопросы
1. Почему ширина запрещенной зоны характеризует электрические свойства твердых тел?
2. Какое физическое явление лежит в основе изучаемого метода определения ширины запрещенной зоны?
3. В каких пределах должна находится величина ширины запрещенной зоны, чтобы ее можно было измерить на данном спектрофотометре?
Рекомендуемая литература
1. Жеребцов И. П. Основы электроники. 5-е изд., перераб. и доп. Л.: Энергоатомиздат, 1989. 352 с.
2. Епифанцев Г. Н., Шена В. П. Твердотельная электроника: учебник для студентов вузов. М. Высш. Шк., 1986. 304 с.
СОДЕРЖАНИЕ
1. Лабораторная работа № 1 «Элементы структурной кристалл-
лографии»……………………………… …….
2.Лабораторная работа № 2 «Рентгеноструктурный анализ поли-
кристаллов» …………………… …………….
3. Лабораторная работа № 3 «Исследование электрофизических свойств
перехода» …………………………….
4. Лабораторная работа № 4 «Исследование свойств полупроводников с
помощью эффекта Холла»…………… ……..
5. Лабораторная работа № 5 «Исследование варикапа» .… …… …. ….…..
6. Лабораторная работа № 6 «Измерение упругих и пьезоэлектрических
модулей пьезоэлектрических кристаллов
методом резонанса и антирезонанса» ………
7. Лабораторная работа № 7 «Определение ширины запрещенной зоны полупролводников» ……………………..