Экзаменационный билет № 10

1. Прямое и обратное включение диодов в цепь. ВАХ полупроводникового диода.

Прямое включение.E_вн. противоположное E_зап., уменьшается напряжение эл. поля перехода, уменьшается ширина запирающего слоя и высота потенциального барьера, растёт диффузионный ток, ток дрейфа уменьшается, наблюдается прямой ток I_пр. Обратное включение. Внешнее напряжение увеличивает внутреннее запирающее, ширину запорного слоя и высоту потенциального барьера, диффузионный ток стремится к 0, ток дрейфа не изменяется. Через переход протекает обратный ток, во много раз меньше прямого тока (на 6 порядков) на 10⁶.

2. Выходные каскады усилителей. Однотактный усилитель мощности

Выходной каскад - для отдачи в нагрузку заданной мощности сигнала при высоком КПД и минимальном уровне нелинейных и частотных искажений. Максимальная неискаженная мощность и КПД выходного каскада зависят от типа транзистора, режима работы и схемы каскада. Используются чаще схемы с общим эмиттером.

Однотактные и двухтактные.

В зависимости от положения рабочей точки на характеристике транзистора различают режимы:

А, АВ, В, С.

Удобнее рассматривать режимы с помощью проходной

динамической характеристики (зависимости выходного тока

транзистора I_К от его входного напряжения U_БЭ).

Однотактный выходной каскад. R₁ , R₂ – делители напряжения. Напряжение смещения на базу транзистора подается за счет падения напряжения на R₂ от тока делителя I_д и падения напряжения на R_э от тока эмиттера. Напряжение на базе должно быть отрицательно.

R_э обеспечивает температурную стабилизацию. В УМ токи большие, чем в УН. R_э должно быть небольшое для уменьшения потерь. Для уменьшения ООС – С_э X_cэ = 1/ώС << R_э , С должна быть большой, поэтому R_э не ставят или ставят без конденсатора, уменьшая нелинейные искажения с помощью ООС.

• Однотактный выходной каскад усилителя мощности с общим эмиттером работает в режиме А (малые нелинейные искажения, малый КПД).

• Недостатки однотактного усилителя мощности:

1. Небольшой КПД

2. Наблюдаются частотные и нелинейные искажения.

3. Ограничение режимов работы (только А)

3. Задача. Подсчитать коэффициент усиления по току для схемы с ОЭ и ОБ, если коэффициент передачи тока эмиттера а = 0,99.

Решение: к_iоб=I_к/I_э­=α=0,99 к_iоэ=I_к/I_б=αI_э/(I_э-I_эα)=α/1-α=99

Экзаменационный билет № 11

1. Назначение фото и светоэлементов. Условное графическое обозначение

на схемах. Схемы включения, характеристики.

Электронные приборы, принципы действия которых основаны на преобразовании лучистой энергии в электрическую, называются фотоэлектронами. Сущность внутреннего фотоэффекта: образование электрических зарядов дырок и электронов внутри полупроводника при облучении его потоком лучистой энергии. На этом явлении созданы фоторезисторы, фотодиоды, фототриоды. В приборах с внешним фотоэффектом (фотоэлементы, фотоэлектронные умножители) получение свободных электронов с поверхности фотокатода обусловлено фотоэлектронной эмиссией, изученной Столетовым. Столетов установил: I_ф = n*e = K*Ф, где I_ф – фототок, мкА; n – число электронов; e – заряд электрона, Кл; К – коэффициент пропорциональности; Ф – световой поток, лм. Кинетическая энергия электронов, вылетающих с поверхности фотокатода, зависит от частоты потока лучистой энергии и не зависит от его интенсивности. Это закон Эйнштейна: mv²/2 = h*γ – w₀ , где mv²/2 – кинетическая энергия электрона, выходящего с поверхности фотокатода, h – постоянная Планка; γ – частота облучения; hγ – энергия кванта; W₀ = e*ψ₀ – работа выхода электрона. Три группы фотоэлементов: 1)ФЭ с внешним фотоэффектом, в основу которых положен выход электронов с поверхности металла под действием энергии электромагнитного излучения. 2)ФЭ с внутренним и фоторезистивным фотоэффектом, в основу которых положено изменение электрического сопротивления полупроводника под действием энергии электромагнитного излучения. 3)ФЭ с вентильным или фотогальваническим эффектом. В основу которых положено возникновение ЭДС между слоями полупроводника с проводимостью различного типа под действием ЭМ излучения. ВАКУУМНЫЕ И ГАЗОНАПОЛНЕННЫЕ ФОТОЭЛЕМЕНТЫ. ФЭ –стеклянный баллон с катодом и анодом. Фотокатод – светочувствительный слой щелочноземельного металла, нанесенный на внутреннюю поверхность баллона (катод занимает 0,5 поверхности баллона, остальная его часть – окно, через которое свет попадает на фотокатод). Анод – кольцо из никеля. В газонаполненном ФЭ баллон после откачки воздуха заполняется аргоном при низком давлении.

Вентильные элементы. В вентильных фотоэлементах световая энергия преобразуется в электрическую, поэтому для них не требуется посторонних источников тока.

Принцип работы ВЭ. Также как и в ППД в результате перемещения основных носителей заряда на границе ПП и слоя металла образуется запирающий слой. При облучении ФЭ кванты света в p-n-переходе увеличивают число неосновных носителей заряда – дырок в n-области и электронов в p-области. На p-n-переходе образуется избыток зарядов, создающий на внешних выводах ФЭ дополнительную разность потенциалов, называемую фотоэлектродвижущей силой. При замыкании электрической цепи под действием Фотоэлектродвижущей силы будет проходить Электрический ток, который зависит от интенсивности светового потока, падающего на Фотоэлемент. Наибольшее распространение получили селеновые, сернисто таллиевые и кремниевые элементы. Интегральная Чувствительность селенового фотоэлемента составляет 400-600 мкА/лм. Максимальная Чувствительность расположена в области голубых и зеленых лучей. Особым типом вентильных фотоэлементов являются кремниевые, которые используются для изготовления солнечных батарей. I_ф=кФ к=I_ф/Ф интегр. чувствительность.

Солнечный элемент. Солнечный фотоэлемент состоит из пластины кремния n-типа. На поверхность пластины методом диффузии в вакууме вводят примесь бора, образуя слой полупроводника p-типа. Толщина этого слоя не превышает 2-3 мкм, поэтому световая энергия легко проникает в зону p-n-перехода. Максимум интегральной чувствительности солнечного элемента лежит в инфракрасной области. Солнечные элементы обладают высоким КПД (до 10-13%). Соединяя последовательно кремниевые фотоэлементы, получают солнечную батарею для электропитания различных устройств.

Фотодиод. Фотодиодом называется двухэлектродный полупроводниковый прибор с одним электронно-дырочным переходом, обратный ток которого изменяется под действием лучистой энергии и является его рабочим током. Фотодиод подобен вентильному элементу. Фотодиоды могут включаться по двум схемам: с внешним источником электрического питания (фотодиодный режим) и без него (вентильный или фотогальванический режим).

Фотодиодный режим. В отсутствии потока лучистой энергии через p-n- переход протекает небольшой обратный ток – темновой ток, обусловленный неосновными носителями зарядов. При облучении благодаря внутреннему эффекту возникают дополнительные электроны и дырки, происходит рост тока в цепи диода, а следовательно и падения напряжения на сопротивлении нагрузки. Оно пропорционально световому потоку, воздействующему на диод. Вентильный режим. В отсутствии облучающего потока лучистой энергии темнового тока в цепи диода нет, т.к. p-n- переход находится в равновесном состоянии. При облучении в полупроводнике создаются дырки и электроны за счет разрыва ковалентных связей. Под действием электрического поля p-n- перехода дырки проходят в p-область, а электроны- в n-область. Происходит накопление электронов в n-области и дырок – в p-области. Это приводит к росту диффузионных токов, динамическому равновесию и разности потенциалов между электродами.

Фототранзисторы. Фоторезисторы и фотодиоды являются пассивными преобразователями лучистой энергии. Фототранзистор – активный преобразователь, в нем происходит не только преобразование энергии, но и усиление. Фототранзисторы имеют структуру плоскостного транзистора p-n-p или n-p-n-типа с тремя электродами: Э, К, Б.Две схемы включения: со свободной базой и со смещением на базе с общим эмиттером.

Светодиоды. Светодиодом называют полупроводниковый диод с одним электронно-дырочным переходом, в котором происходит непосредственное преобразование электрической энергии в энергию светового излучения (видимого или инфракрасного) за счет рекомбинации электронов и дырок. В обычных диодах процесс рекомбинации заканчивается выделением энергии, которая отдается кристаллической решетке, т. е. превращается в теплоту. Однако у полупроводников, выполненных на основе арсенида галлия, карбида кремния, при рекомбинации происходит излучение света. Характеристики светодиодов. Светодиоды нуждаются в источнике питания с большим внутренним сопротивлением. Для этого последовательно с источником питания включают резистор R₀, в результате ток, проходящий через светодиод, меньше зависит от напряжения питания. Основными характеристиками для светодиодов являются вольт-амперная I_np=f(U), а также зависимость мощности и яркости излучения от прямого тока. Длина световой волны, определяющая цвет свечения, зависит от материала полупроводника и введенных примесей. Так, длина волны излучения приборов из фосфида галлия соответствует зеленому цвету, а введением примесей можно получить более длинно­волновое излучение, которое соответствует желтому и красному цветам.

Основные параметры светодиода. КПД светодиода определяется отношением мощности излучения к электрической мощности, подводимой к диоду, и лежит в пределах 0,1 — 1%. Низкие напряжения (менее 3 В) и малые токи (5—10 мА) обеспечивают совместимость светодиодов с интегральными микросхемами. Это обстоятельство, а также небольшие габариты, высокая надежность, большой срок службы и низкая стоимость делают светодиоды особенно удобными в схемах современных ЭВМ (например, в схемах индикации, системах фотопамяти и др.). Применение. Светодиоды находят примене­ние в индикаторных схе­мах, в вычислительной тех­нике, ядерной радиоэлект­ронике, автоматике, электронных цифровых часах и т. д. Широкое применение получили не отдельные светодиоды, а матрицы светодиодов, позволяющие воспроизводить цифру или букву от Л до Я, применяются в устройствах отображения информации и различных табло. Светодиоды нашли широкое применение в создании нового класса приборов, получивших название оптронов . Характеристики и параметры фотоэлементов.

- световая характеристика.

ВАХ Вакуумного ФЭ: а) и газонаполненного б)

Спектральная характеристика ФЭ. 1 - сурьмяно-цезиевый фотокатод; 2 - а кислородно-цезиевый . сурьмяно-цезиевый фотокатод обладает наибольшей чувствительностью к длинам волн порядка 0,4—0,5 мкм, что соответствует голубому и зеленому свету, а кислородно-цезиевый —красному свету (длина волны в пределах 0,8 мкм).

Параметры ФЭ: Основным параметром фотоэлементов является чувствительность. Различают чувствительность интегральную и спектральную. В формуле I_ф = K*Ф, коэффициент пропорциональности К называется интегральной чувствительностью фотоэлемента (К=I_ф/Ф) и выражается в мкА/лм. Спектральной чувствительностью фотоэлемента называется чувствительность его к монохроматическому излучению определенной длины волны λ. Спектральная чувствительность показывает значение тока, протекающего в цепи фотоэлемента, при облучении заданной длиной волны λ световым потоком в 1 лм и измеряется в мкА/лм. Темновой ток — ток в фотоэлементе, включенное в цепь питания при полном затемнении (Ф=0). Темновой ток вакуумных фотоэлементов значительно меньше, чем газонаполненных. С величиной темнового тока необходимо считаться, в особенности при измерении слабых световых потоков. Термостойкость — величина, определяющая диапазон рабочих температур (обычно от +50 до —20° С). Стабильность фотокатодов — свойство сохранять постоянство параметров во времени. Утомляемость — уменьшение чувствительности при резком увеличении освещенности фотокатода. Это явление проявляется в том, что при большом световом потоке чувствительность фотоэлементов быстро уменьшается во времени, доходя иногда до 25% первоначальной величины. Если такой фотоэлемент поместить на некоторое время в темноту, то его чувствительность восстанавливается почти до первоначального значения.

2. Усилитель постоянного тока. Гальваническая межкаскадная связь.

Дрейф нуля.

УПТ – усилители, коэффициент усиления которых не уменьшается при снижении частоты, вплоть до нуля. Такие усилители производят усиление не только по переменной, но и по постоянной составляющей.

Применение: электронные вычислительные устройства, системы автоматического регулирования, радиоизмерительные устройства (электронные вольтметры, осциллографы, стабилизаторы и др.)

Различают два основных типа: усилители прямого действия и с преобразованием.

На входе УПТ – U = доли мВ, I = 10^-15 - 10^-16 А, следовательно необходимы многокаскадные УПТ с гальванической (непосредственной) межкаскадной связью. Для построения многокаскадных УПТ емкостная или трансформаторная связь не может быть использована, так как ни конденсаторы, ни трансформаторы не пропускают постоянный ток. При этом базу транзистора каждого последующего каскада непосредственно соединяют с коллектором предыдущего. Поэтому необходимо согласовывать режимы соседних каскадов по постоянному току.

Дополнительный источник

постоянного напряжения

включают в цепь

межкаскадной связи

Дополнительный источник

постоянного напряжения

включают в цепь эмиттера или

цепь истока

С конструктивной точки зрения первый способ схемного решения менее удачен. УПТ будет громоздким, т.к. необходимы дополнительные источники питания.

Второй способ лучше, т.к. роль дополнительных источников постоянного напряжения может играть резистор R в цепи эмиттера, через который проходит постоянный ток. Величину постоянного тока выбирают такой, чтобы выполнялось условие RI = E.

Принципиальная трудность, возникающая при конструировании УПТ – нестабильность их работы. Даже медленные изменения напряжения источников питания, а также параметров транзисторов и деталей схемы вследствие их старения, колебания окружающей температуры вызывают изменения токов, которые через цепи гальванической связи передаются на выход усилителя и приводят к изменению выходного напряжения. Особенно вредными являются изменения токов в первых каскадах, т.к. они усиливаются последующими.

В результате этого в отсутствии входного сигнала выходное напряжение УПТ колеблется около среднего значения.

Это явление, называемое дрейфом нуля, является вредным, т.к. возникающее выходное напряжение невозможно отличить от полезных сигналов. Дрейф нуля оценивают в единицах напряжения на время (микровольт в час). Напряжение дрейфа определяет чувствительность усилителя. Если напряжение дрейфа и выходной сигнал одного порядка или больше его, то уровень искажений недопустим.

1. Способы уменьшения дрейфа нуля: Стабилизируют источники питания УПТ;

2. Вводят ООС;

3. Применяют мостовые балансные схемы УПТ;

4. Применение УПТ с преобразователем.

Усилители с гальванической связью используются для получения высокого усиления на низких частотах или для усиления сиг­налов постоянного тока. Усилители постоянного тока (УПТ) используются в измерительном и тестирующем оборудовании, в промышленной аппаратуре управления производственными процессами и т.д.

На этой схеме отсутствует конденсатор связи.

Очень часто в схемах УПТ используются транзисторы n—р—n и р—n— p - типов. Цепь такого типа называется комплементарным усилителем.

Функции этой цепи те же, что и в предыдущей схеме УПТ. Разница в том, что транзистор второго каскадаp—п—p -типа. Тран­зистор VT2 перевернут, так что на эмиттер и коллектор напряже­ние смещения подается правильно.

3. Задача. Для схемы включения биполярного транзистора с ОЭ для

Е_к = 20 В и R_к = 100 кОм построить нагрузочную прямую по уравнению

динамического режима U_кэ = Е_к - I_к *R_к.

Решение: пУСТЬ U_кэ=0, тогда 0=Е_к-I_кR_к I_к=R_к/I_к. Пусть I_к=0_, U_эк=E_к.