- •Исследование параметров и характеристик диодов и стабилитронов
- •1. Краткие теоретические сведения
- •1.1. P-n-переход в состоянии равновесия
- •1.2. Прямое и обратное включение p-n-перехода
- •1.3. Вольт-амперная характеристика p-n-перехода
- •1.4. Полупроводниковый диод
- •1.5. Вольтамперная характеристика диода
- •1.6. Полупроводниковый стабилитрон
- •1.7. Вольтамперная характеристика и параметры стабилитрона
- •1.8. Параметрический стабилизатор на стабилитроне
- •2. Самостоятельная подготовка к выполнению лабораторной работы
- •2.1. Контрольные вопросы
- •3. Порядок выполнения лабораторной работы
- •3.1. Измерение напряжения на диоде
- •3.2. Вычисление и измерение тока, протекающего через диод, при прямом и обратномвключении источника питания
- •3.3. Измерение статического сопротивления диода
- •3.4. Снятие вольтамперной характеристики диода
- •3.5. Снятие вольтамперной характеристики стабилитрона
- •3.6. Исследование свойств параметрического стабилизатора
- •4. Список использованных источников
3.6. Исследование свойств параметрического стабилизатора
1. Преобразуйте схему, представленную на рисунке 10, подключив сопротивление нагрузки Rн= 75 Ом параллельно стабилитрону.
2. Выведите выражения для расчета токов, протекающих через резисторы R(IR),Rн(Iн), и ток стабилитронаIст, считая напряжение на нем известной величиной.
3. Установите ЭДС источника питания Е= 20 В, включите схему, измерьте напряжение на стабилитроне и запишите в таблицу 4.
Таблица 4 – Данные для исследования свойств параметрического стабилизатора
|
Rн |
Uст [B] |
IR [мA] |
Iн [мA] |
Iст [мA] |
|
75 Ом |
|
|
|
|
|
100 Ом |
|
|
|
|
|
200 Ом |
|
|
|
|
|
300 Ом |
|
|
|
|
|
600 Ом |
|
|
|
|
|
1 кОм |
|
|
|
|
|
0 (КЗ) |
|
|
|
|
3. Изменяя сопротивление нагрузки Rнв соответствии с таблицей 4, измерьте и запишите в таблицу напряжение на стабилитронеUстдля каждого сопротивления нагрузки, в том числе и при коротком замыкании (Rн= 0).
4. Рассчитайте в тетради и запишите в таблицу 4 токи, протекающие через резисторы R(IR),Rн(Iн), и ток стабилитронаIстдля каждого значения сопротивления нагрузкиRн.
5. Письменно объясните полученные результаты.
4. Список использованных источников
Опадчий Ю.Ф., Глудкин О.П., Гуров А.И. Аналоговая и цифровая электроника (Полный курс): Учебник для вузов. – М.: Горячая линия-Телеком, 2005. – 768 c.
Наундорф У. Аналоговая электроника: Пер. cнем. – М.: Техносфера, 2008. – 472c.
Титце У., Шенк К. Полупроводниковая схемотехника. 12-е изд., том 1: Пер. с нем. – М.: ДМК Пресс, 2008. – 832 c.
Титце У., Шенк К. Полупроводниковая схемотехника. 12-е изд., том 2: Пер. с нем. – М.: ДМК Пресс, 2008. – 942 c.
Марченко А.Л., Освальд С.В. Лабораторный практикум по электротехнике и электронике в среде Multisim. Учебное пособие для вузов. – М.: ДМК, 2010. – 448с.