Новая сжатая ZIP-папка / Получение Диод

Получение - диод

Получение высших диодов представляет до сих пор определенные трудности. В связи с тем что в последние годы был разработан простой способ получения со-хлоркарбоновых кислот теломеризацией [75] этилена и четыреххлористого углерода с последующими превращениями, значительный интерес представляло исследование возможности превращения высших со-хлор-карбоновых кислот в соответствующие диолы. [1]

Схема замещения четырехслойной транзисторной структуры.| Основные диодные включения интегрального транзистора.| Схематическое изображение диффузионного резистора ( а и его схема замещения ( б.

Для получения диодов с повышенными допустимыми обратными напряжениями можно использовать описанные схемы включения, поменяв местами эмиттер и коллектор. [2]

Схема фотолитографического процесса при получении меза-транзистора.

Для получения диодов или транзисторов с улучшенными характеристиками часто употребляют пластинки с эпитаксиальным слоем, способы нанесения которых описаны в гл. Это резко снижает сопротивление перехода диода в прямом направлении или сопротивление тела коллектора транзистора. Что касается пробивного напряжения и емкости перехода, то они определяются сопротивлением эпитаксиальной пленки, которое достаточно высокое. [3]

Для получения диодов с квадратичной зависимостью тока от напряжения ( например, для целей квадратичного детектирования) желательно, чтобы электрофизические параметры материала р - и п - областей различались несущественно. [4]

Для получения диодов, транзисторов и других приборов электронной техники к чистым полупроводникам добавляют определенные примеси. В зависимости от вида примеси можно получить две разновидности полупроводников ( п - и р - типа), которые проводят электрический ток лучше чистых полупроводников. Электронная проводимость любого полупроводника n - типа основана на свободных электронах, т.е. она подобна проводимости металлов. Электронная проводимость любого полупроводника р-типа обусловлена наличием, так называемых дырок, которые можно рассматривать как фиктивные положительные частицы, поскольку они представляют собой места в кристаллической решетке, где отсутствуют валентные электроны. [5]

Для получения совершенных диодов требуются, конечно, травление и отжиг. [6]

Основные характеристики некоторых элементарных полупроводников.

Кремний применяют для получения диодов, мощных выпрямителей, триодов, солнечных батарей, тензометров и других приборов. [7]

Кеннеди и Расе [94] сообщают и получении диодов на нелегированном теллуриде цинка. [8]

Наряду с этим в последнее время проводятся широкие исследования по получению пленочных диодов и триодов методом напыления в вакууме. Создание приборов этого типа позволит решить проблему изготовления пленочных интегральных схем на однотипном оборудовании, без разгерметизации вакуумного объема, что должно увеличить надежность и упростить задачу автоматизации процесса изготовления интегральных схем. [9]

Примеры технических конструкций вентилей ( схематически.

В средней части рисунка ( г) поясняется так называемый сплавной способ получения диодов. При таком способе соответствующий металл наплавляется на кристаллическую шайбу, при этом часть кристалла растворяется в металле. При последующем охлаждении растворенный в металле кристаллический материал выделяется. [10]

Развитие кремниевых диодов направлено на создание диодов более надежных, работающих при более высоких напряжениях и на более высоких частотах при больших токах, на улучшение технологии с целью получения более однородных диодов с меньшими обратными токами. Кремниевые диоды непрерывно удешевляются. [11]

В каждом варианте включения параметры диодов разные. Первый вариант обеспечивает получение быстродействующих диодов, так как в этом случае накопление носителей заряда может происходить только в базовой области, которая очень тонкая, поэтому время восстановления обратного тока твос в этом варианте минимально. В других вариантах заряд накапливается не только в базе, но и в коллекторе и твос большое. Вследствие этого первый вариант используют в логических ИМС, где необходимо высокое быстродействие. [1]

В каждом варианте включения параметры диодов разные. Первый вариант обеспечивает получение быстродействующих диодов, так как в этом случае накопление носителей заряда может происходить только в базовой области, которая очень тонкая, поэтому время восстановления обратного тока твос в этом варианте минимально. Вследствие этого первый вариант используют в логических ИМС, где необходимо высокое быстродействие. [2]

Диоды в полупроводниковых интегральных микросхемах изготовляют на основе тех же диффузионных ( эпитаксиальных) слоев и переходов, что и биполярные транзисторы. Поэтому на практике в качестве диодов принято использовать транзисторные структуры типа п-р - п, так как при создании микросхем транзисторы все равн необходимо формировать, а получение диодов таким путем значительно проще, чем если ( изготовлять специализированные диодные структуры. Это означает, что диоды и транзисторы формируются одновременно. Посколыку даоды изготовляют на одной пластине кремния вместе с другими элементами в едином технологическом процессе, возможности оптимизации их параметров ограничены. [3]

В настоящее время двухкомпонентные соединения класса ( сульфиды, селениды и теллуриды цинка, кадмия и ртути) находят все большее применение в различных областях науки и техники. Материалы, получаемые из этих соединений ( главным образом, из сульфидов и селенидов кадмия и цинка), обладают ценными полупроводниковыми и люминесцентными свойствами и используются в качестве сцинтиллято-ров, рентген - и у-датчиков, применяются для усиления ультразвука и изготовления пьезопреобразователей, а также для получения высококачественных диодов, триодов, фотосопротивлений и многих других целей. [4]

В настоящее время двухкомлонентные соединения класса ( сульфиды, селениды и теллуриды цинка, кадмия и ртути) находят все большее применение в различных областях науки и техники. Материалы, получаемые из этих соединений ( главным образом, из сульфидов, и селенидов кадмия и цинка), обладают ценными полупроводниковыми и люминесцентными свойстрами и используются в качестве сцинтиллято-ров, рентген - и у-д атчикоъ, применяются для усиления ультразвука и изготовления пьезопреобразователей, а также для получения высококачественных диодов, триодов, фотосопротивлений и многих других целей. [5]

Принса для получения диспергирующих и моющих веществ из формальдегида и высших олефинов, Л одер синтезировал 4-метил-л - диоксан конденсацией формальдегида с пропиленом [239-243], а У. Фитцкий, исходя их тех же исходных веществ, получил 1 3-бутандиол [244-247]; были осуществлены и другие синтезы на основе этой реакции. Наиболее интересной оказалась реакция формальдегида с низшими углеводородами с получением диодов и диоксанов. [6]

В последнее время стали доступны а, со-диолефины с С8 - С10, которые можно превратить в бифункциональные алюминийалкилы. Циглер не сообщает результатов подобных исследований. Однако в патентной литературе все же встречаются сообщения, посвященные этому вопросу. Так, запатентовано [12] получение диодов с 8 - 16 атомами углерода, исходя из бутадиена, этилена и алюминийалкила. Бутадиен взаимодействует с ( цзо - С4Н9) аА1Н при 90 - 100 С в течение 4ч с образованием трибутенилалюминия, который затем обрабатывался ( мзо - С4Н9) 3А1 и нагревался при 130 - 150 С до окончания выделения изобутилена. Получалось соединение, в котором тетра-метиленовые цепи связаны с двумя атомами алюминия. [7]

Например, в [41, 42] сообщалось об использовании точечного контакта металл: - InSb для детектирования излучения на длине волны HCN-лазера Х337 мкм. Для получения диодов из GaAs предпочтительным оказался материал с п-тнпом проводимости с контактными пружинками практически из любых материалов. [8]

Фирмой Интернэйшнл бизнес мэшинс построено экспериментальное арифметическое устройство, выполняющее операции по последовательному принципу над 16-значными двоичными числами. Двоичные знаки представляются импульсами, следующими друг за другом через интервалы 20 ммксек. Основными элементами в устройстве являются диоды и электронные лампы. Одной из необычных характеристик этого устройства является взаимная зависимость пространства и времени из-за чрезвычайно высоких скоростей работы. Кусок такого кабеля соответствующей длины используется в качестве линии задержки. Наибольшая трудность при разработке сверхбыстродействующих устройств заключается в получении диодов с достаточно малым временем переключения. Хотя кажется довольно очевидным, что можно разработать достаточно быстродействующие переключающие диоды, у электронных ламп предел увеличения скорости переключения, по-видимому, уже достигнут. Дальнейшая работа должна быть, очевидно, направлена на разработку полупроводниковых приборов с необходимыми скоростями переключения. [9] http://www.ngpedia.ru/id287081p1.html