Новая сжатая ZIP-папка / Технология - изготовление - диод

Технология - изготовление - диод

Технология изготовления диода может быть основана на любом из описанных выше методов получения р-гс-переходов на кремнии и германии. Однако прибор, обладающий наилучшими усилительными качествами, получается диффузионным способом, с помощью меза-технологии. [1]

Технология изготовления диодов Ганна сравнительно несложна. Диоды изготавливают либо на основе монокристаллов, либо на основе эпитакси-альных пленок GaAs. Размеры пластин для изготовления диодов выбирают, исходя из условий режима их работы и требуемых параметров. [2]

По параметрам и технологии изготовления диодов и тиристоров в тексте и таблицах приняты следующие сокращения: Si - кремний, Qe - германий, GaAs - арсепид галлия, СаР - фосфит галлия, Si ( CO3) 2 - карбид кремния. [3]

Зависимость от мощности гетеродц. на вклада дробовых, тепловых и избыточны, шумов в однополосную эквивалентную шуц вую температуру охлажденных и неохлажден ных смесителей ( / 184 ГГц.

Последний в наибольшей степени от ределяется технологией изготовления диодов. Как отмечалось § 2.6, к растрескиванию эпитаксиального слоя по периметру анод могут приводить механические напряжения между защитным ело ем SiOz и эпитаксиальным слоем. [4]

Плотность порогового тока в значительной мере определяется технологией изготовления диодов. В кристалле не должны присутствовать в большом количестве дефекты и посторонние примеси. Область р-п-перехода должна быть плоской и перпендикулярной к отражающим поверхностям кристалла. [5]

В цитированных работах японских исследователей отмечается возможность дальнейшего усовершенствования технологии изготовления диодов с увеличением квантового выхода до уровня, близкого к величине выхода излучения для диодов из теллурида кадмия, несмотря на то, что явление самокомпенсации остается не-устраненным и в этом материале. [6]

Приводятся сведения о важнейших свойствах полупроводниковых диодов различных классов. Кратко описаны принцип действия, конструкция, технология изготовления диодов. Особое внимание уделено эксплуатационным свойствам диодов разных классов, а также вопросам их правильного применения в радиоэлектронных схемах. [7]

Структура транзистора, полученного по полипланарной технологии.| Транзистор Шотки.

Разновидности биполярных ИС имеют различные схемные решения и за счет этого достигнуто существенное повышение степени интеграции уровня электрических параметров. Технология изготовления диода Шотки совместима с планарной технологией и в процессе металлизации достаточно хорошо отработана для серийного производства. [8]

Поэтому были выдвинуты требования к конструкции и технологии изготовления диодов, выполнение которых обеспечивало бы ускорение рассасывания накопленных в базе за время действия прямого напряжения неосновных носителей заряда. Понятно, что если исключить инжекцию неосновных носителей заряда при работе диода, то не было бы накопления этих неосновных носителей в базе и соответственно относительно медленного процесса их рассасывания. [9]

Экспериментальное значение углового коэффициента отличается от теоретического на множитель р, зависящий от материала и технологии изготовления диода. [10]

Схема излучательных переходов.| Схема оптронной Спектральный состав рекомбйнацион.

Из (12.26) следует, что для получения максимальной внутренней эффективности светодиода следует по возможности увеличить отношение вероятности излучательной рекомбинации к безызлуча-тельной. Вероятность безызлучательной рекомбинации можно уменьшить, очистив полупроводник от глубоких рекомбинационных центров. Сделать это очень трудно, так как сечение захвата носителей некоторыми примесными центрами, например медью, велико и требуется очень высокая степень очистки оттаких примесей. Поэтому качество светодиодов в значительной мере зависит от степени очистки исходных материалов и совершенства технологии изготовления диодов. [11]