Новая сжатая ZIP-папка / Полупроводниковая технология

Полупроводниковая технология

Методы полупроводниковой технологии используются для создания на единой подложке активных элементов ( транзисторов, диодов и др.) и пассивных элементов ( резисторов, конденсаторов) ИС. [10]

В полупроводниковой технологии электронный луч применяют для вырезания кристаллов различной конфигурации, для получения закрытого профиля и прошивки сверхтонких сквозных отверстий, для прецизионной сварки в вакууме и для других видов обработки. [11]

В полупроводниковой технологии, кроме очистки веществ и строгого соблюдения условий синтеза и состава соединений, громадное значение имеет получение совершенных монокристаллов. Было сказано, что для полупроводниковых приборов часто нужны пластины, вырезанные по определенным плоскостям монокристаллов. Нарушение монокристалличности затрудняет изготовление приборов с одинаковыми параметрами и нарушает их работу. Кратко остановимся на рассмотрении некоторых методов получения особо чистых веществ и на получении монокристаллов преимущественно полупроводников. [12]

В полупроводниковой технологии кроме очистки веществ и строгого соблюдения условий синтеза и состава соединений громадное значение имеет получение совершенных монокристаллов. Для полупроводниковых приборов часто нужны пластины, вырезанные по определенным плоскостям монокристаллов. Нарушение монокристалличности затрудняет изготовление приборов с одинаковыми параметрами и нарушает их работу. Кратко рассмотрим некоторые методы получения особо чистых веществ и монокристаллов преимущественно полупроводников. [13]

Принципиальная схема реакторов для выращивания пленок кремния методом газовой эпитаксии ( а и пленок арсенида галлия методом жидкостной эпитаксии ( б.

В полупроводниковой технологии эпитаксией обычно называют процесс получения автоэпитаксиальных слоев, например кремния на кремнии, при осаждении из газовой или жидкой фазы. [14]

В полупроводниковой технологии используют практически только кристаллические полупроводниковые материалы. Для изготовления полупроводниковых микросхем, транзисторов, диодов наиболее широко применяют кремний, в меньшей степени - арсенид галлия, германий, для оптоэлектронных приборов - арсенид галлия, соединения третьей и пятой, второй и шестой групп, а также их композиции. Находят применение и другие полупроводниковые кристаллические материалы. [1]

В полупроводниковой технологии еще не разработаны способы, позволяющие заменять катушки индуктивности. [2]

Успехи полупроводниковой технологии, достигнутые за последние 15 - 20 лет, привели к возникновению перспективного и быстро развивающегося класса полупроводниковых приборов - интегральных микросхем. Интегральная микросхема представляет собой миниатюрный, конструктивно завершенный функциональный узел радиоэлектронной аппаратуры, включающий в себя большое количество взаимосвязанных элементарных полупроводниковых и других приборов, совместно выполняющих определенную функцию формирования, хранения или обработки сигналов. Интегральные микросхемы, позволяющие существенно уменьшить габариты и стоимость аппаратуры, повысить ее надежность, составляют предмет микроэлектроники. [3]

В полупроводниковой технологии используют очень широкий диапазон разрежений ( от 10 - 2 до К) - 11 мм рт. ст.), поэтому получать вакуум каким-либо одним способом трудно. Для получения достаточно высокого вакуума обычно применяют несколько последовательно включенных вакуумных насосов и специальные поглотители и ловушки. [4]

В полупроводниковой технологии галлий используют в основном в качестве легирующей примеси. Так, например, для увеличения эффективности эмиттера галлий добавляют в электродный эмиттерный сплав. Кроме того, галлий добавляют во многие электродные сплавы для омических контактов. [5]

В полупроводниковой технологии карбид бора применяют для шлифовки германия, кремния и карбида кремния. [6]

В полупроводниковой технологии свинец в основном используют в качестве составной части припоев различных марок: ПОС-40 ( 60 % свинца, 40 % олова), ПОС-60 ( 60 % олова, 40 % свинца) и электродных сплавов для германия и кремния. [7]

В полупроводниковой технологии применяют азот в качестве инертной среды; жидкий азот используют для наполнения ловушек в вакуумных системах. [8]

В полупроводниковой технологии аргон используют при вытягивании монокристаллов и сплавлении полупроводниковых материалов с электродными сплавами, а также при сборке приборов в инертной среде. [9]

В полупроводниковой технологии алюминий особой и высокой чистоты широко используется в качестве электродного акцепторного материала при создании р-я-переходрв на кремнии методом сплавления. [10]

Химический состав свинца различных марок.

В полупроводниковой технологии свинец в основном используют как составную часть различных припоев ( см. разд. С кремнием свинец не сплавляется. [11]

Дальнейшее развитие полупроводниковой технологии привело к созданию пленочных фотоэлементов, что значительно снизило их вес. [12]

Достигнутые успехи полупроводниковой технологии обеспечили возможность создания уже в 1975 г. БИС запоминающих устройств с произвольной выборкой ( ЗУПВ) информационной емкостью 4К бит, в 1978 - 16К бит; в 1980 г. - 65К бит; в 1981 г. - 265К бит. Именно эти технологии обеспечивают изготовление транзисторов с минимальными размерами и наибольшим быстродействием при наилучших показателях добротности. Четыре из этих перспективных технологий производства полупроводниковых БИС ЗУ относятся к технологиям изготовления полупроводниковых ЗУ на транзисторах МДП-типа. [13]

Материалы для полупроводниковой технологии предназначены для создания в твердом теле или на его поверхности микрообластей с различным характером проводимости, проводящих и изоляционных областей, контактных слоев. Полупроводниковая технология использует часть основных и вспомогательных материалов, с помощью которых создаются контактные площадки, проводниковые соединения. [14]

Интересна для полупроводниковой технологии. [1]

Приведенные примеры развития полупроводниковой технологии, связанного с переходом на субмикронные структуры, позволяют получить общее представление о состоянии дел в данной области. [2]

При сегодняшнем состоянии полупроводниковой технологии еще не созданы условия для внедрения в жизнь термоэлектрического способа отопления. [3]

МП характеризуются: полупроводниковой технологией изготовления интегральных схем, составляющих МП, их кол-вом; архитектурой ( логич. [4]

Пионерские разработки на полупроводниковых технологиях выполняются в отечественных научных центрах, а энергетический и экономический эффект от их применения получают за рубежом. Так, с солнечной энергетикой в мире идет удвоение мощностей фотоэлектрических солнечных установок, стоимость одного ватта установленной мощности пока высокая, но в перспективе будет сравнима со стоимостью, получаемой на атомных станциях. [5]

В последние годы в полупроводниковой технологии нашел широкое применение новый метод - ионная имплантация, в котором ускоренные ионы нужной примеси внедряются в подложку. [6]

Лучевые способы обработки в полупроводниковой технологии разделяются на два вида: обработка электронным лучом и обработка лучом лазера. [7]

Физика твердого тела и ( полупроводниковая технология позволяли создать микроскопические устройства для Преобразования электрических сигналов IB световые и Световых в электрические. [8]

Кристаллическая структура соединений.| Валентные состояния атомов А111 Ву.

Из других полупроводниковых соединений в полупроводниковой технологии используют карбид кремния, диоксид меди. [9]

Как уже указывалось, современное развитие полупроводниковой технологии, с одной стороны, расширяет возможности построения МЭА, а с другой - ставит перед разработчиками комплексной микроэлектронной аппаратуры задачи, связанные с необходимостью нового подхода к конструированию таких устройств. Вопросы плотности установки БИС, число выводов которых увеличивается, снижения емкости, индуктивности и сопротивления подводящих выводов, отвода теплоты, совместимости материалов должны быть решены одновременно с решением проблем в области проектирования и производства ИМС. [10]

Затем была создана Корпорация исследований по полупроводниковой технологии ( Semiconductor Research Corp. [11]

Помимо травления важнейшим химическим процессом в полупроводниковой технологии является очистка поверхности от загрязнений органическими веществами, особенно жирами. Такую очистку приходится проводить неоднократно, в частности перед каждым травлением, поскольку скорость травления резко уменьшается в местах загрязнений. [12]

В зарубежной литературе наиболее перспективными методами тонкопленочной полупроводниковой технологии считается метод выращивания монокристаллических пленок из полупроводникового материала в парообразном состоянии. Хотя этот метод еще полностью не отработан, он обладает большими потенциальными возможностями не только для получения пленочных деталей, но и для создания целых функциональных схем. [13]

Схема коммутатора БСЗ автомобиля ВАЗ-2108 на базе микросхемы L497B и транзистора BU931Z.

Объединение сложных функциональных узлов произошло в рамках полупроводниковой технологии, при которой большое число полупроводниковых компонентов ( транзисторов, диодов, стабилитронов и др.) выполнено на одном кристалле кремния. [1]

К качеству поверхности пластин и кристаллов в полупроводниковой технологии предъявляют весьма жесткие требования, к которым относятся следующие. [2]

Помимо травления, важнейшим химическим процессом в полупроводниковой технологии является очистка поверхности от загрязнений органическими веществами, особенно жирами. Такую очистку приходится проводить неоднократно, в частности перед каждым травлением, поскольку скорость травления резко уменьшается в местах загрязнений. [3]

Спаи ковара со стеклом широко распространены в полупроводниковой технологии благодаря высокой механической прочности и свойству ковара хорошо паяться твердыми и мягкими припоями. Иногда детали из ковара, будучи припаянными к металлу корпуса прибора твердыми припоями, выполняют роль переходов между стеклом и металлом корпуса прибора. [4]

Наряду со сплавлением в последние годы благодаря успехам полупроводниковой технологии все большее значение начинает приобретать диффузионный метод получения p - n - переходов. Применяемые методы диффузии сводятся к созданию вблизи поверхности полупроводника тонкого слоя с высокой концентрацией атомов примеси. [5]

Интегральные микросхемы могут изготавливаться с помощью пленочной или полупроводниковой технологии. Возможны интегральные микросхемы, при изготовлении которых используются как те, так и другие технологические процессы. [6]

Технология ГИС сравнительно проста и требует меньших, чем полупроводниковая технология, начальных затрат на оборудование, помещения, подсобные службы. Примерами такой аппаратуры могут служить некоторые виды блоков обмена информацией с цифровыми вычислительными машинами ( ЦВМ), устройств питания, тактовых генераторов, преобразователей аналог-код, связной и СВЧ аппаратуры. [7]

Итак, теперь нам осталось ознакомиться с циклом 2 полупроводниковой технологии, который включает ряд завершающих операций с полупроводниковыми дисками, содержащими проверенные в ходе предварительных испытаний структуры ИС. [8]

Фирма считает, что метод пульверизации более удобен для полупроводниковой технологии, чем общепринятый метод центрифугирования, поскольку в последнем случае центробежные силы вызывают разрывы пленки резиста на дефектах подложки ( например, выступы на поверхности SiO2), а поверхностное натяжение приводит к образованию утолщенного слоя на краях подложки. [9]