Курносов а. И., Юдин в. В. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем Учебное пособие для вузов

ИЗДАНИЕ ТРЕТЬЕ, ПЕРЕРАБОТАННОЕ И ДОПОЛНЕННОЕ

Допущено Министерством высшего и среднего специального образования СССР в качестве учебного пособия для студентов вузов, обучающихся по специальностям «Полупроводники и диэлектрики» и «Полупроводниковые приборы»

МОСКВА ВЫСШАЯ ШКОЛА 1986

Рецензент — кафедра микроэлектроники Московского инженерно-физического института (зав. кафедрой д-р техн. наук, проф. Шальнов А. В.)

В книге рассмотрены основные технологические процессы производства полупроводниковых приборов н интегральных микросхем. В 3-е издание (2-е — в 1979 г.) введены новые разделы, посвященные технологическим процессам радиационной обработки материалов н приборов, новейшим конструкциям корпусов интегральных микросхем, а также полупроводниковым материалам.

Курносое А. И., Юдин В. В. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем: Учебное пособие для вузов по специальности «Полупроводники и диэлектрики» и «Полупроводниковые приборы». — 3-е изд., перераб. и доп. — М.: Высш шк., 1986.— 368 с.

© Издательство «Высшая школа», 1974 © Издательство «Высшая школа», 1986, с изменениями

Содержание учебного пособия

Предисловие Введение

Глава 1. Технология полупроводникового производства § 1.1. Технологический маршрут § 1.2. Особенности и перспективы технологии

Глава 2. Полупроводниковые материалы § 2.1. Требования к полупроводниковым материалам § 2.2. Классификация полупроводниковых материалов § 2.3. Общая характеристика кристаллических тел § 2.4. Германий § 2.5. Кремний $ 2.6. Арсенид галлия $ 2.7. Фосфид галлия § 2.8. Арсенид индия § 2.9. Антимонид индия § 2.10. Антимонид галлия § 2.11. Структуры на основе материалов иитерметаллических соединений

Глава 3. Механическая обработка полупроводниковых материалов § 3.1. Физические основы механизма разрушения хрупких полупроводниковых материалов при механической обработке § 3.2. Абразивные материалы § 3.3. Резка полупроводниковых слитков на пластины § 3.4. Резка полупроводниковых пластин на элементы (кристаллы) § 3.5. Разламывание пластин после скрайбирования § 3.6. Шлифовка полупроводниковых пластин § 3.7. Полировка полупроводниковых пластин § 3 8. Контроль качества механической обработки

Глава 4. Технохимические процессы подготовки подложек ИМС § 4.1. Цели технохимических процессов подготовки подложек § 4.2. Виды загрязнений полупроводниковых подложек § 4.3. Отмывка полупроводниковых подложек § 4.4. Химическая обработка полупроводниковых подложек § 4.5. Химико-динамическая обработка полупроводниковых подложек § 4.6. Электрохимическая обработка полупроводниковых подложек $ 4.7. Парогазовая обработка кремниевых подложек § 4.8. Ионно-плазменная обработка подложек § 4.9. Плазмохимическая обработка подложек § 4.10. Осаждение гальванических покрытий § 4.11. Получение особо чистой воды

Глава 5. Получение структур методом сплавления § 5.1. Диаграмма состояния § 5.2. Физико-металлургические основы образования сплавного р-я-перехода § 5.3. Контроль качества сплавных структур

Глава 6. Получение структур методом эпитаксиальиого наращивания § 6.1. Основные методы эпитаксиальиого осаждения § 6.2. Технологические особенности эпитаксии Si и Ge § 6.3. Технологические особенности эпитаксии полупроводниковых соединений § 6.4. Дефекты в эпитаксиальиых структурах § 6.5. Методы контроля эпитаксиальных слоев

Глава 7. Защитные диэлектрические пленки в пленарной технологии § 7.1. Требования, предъявляемые к защитным диэлектрическим пленкам § 7.2. Кинетика термического окисления кремния § 7.3. Термическое окисление кремния в парах воды § 7.4. Термическое окисление кремния в сухом кислороде § 7.5. Термическое окисление кремния во влажном кислороде § 7.6. Пиролитическое осаждение оксидных пленок кремния § 7.7. Анодное окисление кремния § 7.8. Осаждение пленок оксида кремния термическим испарением § 7.9. Реактивное катодное распыление оксида кремния § 7.10. Химическое осаждение пленок нитрида кремния § 7.11. Реактивное катодное осаждение пленок нитрида кремния § 7.12. Контроль качества защитных диэлектрических пленок диоксида и нитрида кремния

Глава 8. Фотолитография § 8.1. Фотолитография - основа планарной технологии § 8.2. Фоторезисты § 8.3. Критерии применимости фоторезистов § 8.4. Фотошаблоны и способы их получения § 8.5. Промышленное изготовление фотошаблонов § 8.6. Контактная фотолитография § 8.7. Проекционная ептическая фотолитография § 8.8. Рентгенолитография § 8.9. Дефекты фотолитографического процесса

Глава 9. Получение структур методом диффузии § 9.1. Распределение примеси при диффузии § 9.2. Технологические приемы получения диффузионных структур § 9.3. Методы расчетов диффузионных структур § 9.4. Определение режимов диффузии § 9.5. Диффузионные процессы при изготовлении ИМС § 9.6. Дефекты и методы контроля диффузионных структур

Глава 10. Получение структур методом ионной имплантации § 10.1. Физические представления об имплантации § 10.2. Технологические особенности процессов ионной имплантации § 10.3. Отжиг и диффузия § 10.4. Методы расчетов ионно-имплантированиых структур § 10.5. Определение режимов имплантации § 10.6. Использование процессов ионной имплантации в полупроводниковой технологии § 10.7. Методы контроля ионно-имплантированных структур

Глава 11. Получение структур методами термического испарения и ионно-плазменного распыления § 11.1. Технологические особенности термического испарения материалов § 11.2. Катодное распыление материалов § 11.3. Технологические особенности ионно-плазменного распыления § 11.4. Изготовление межэлементных соединений и контактов § 11.5. Пассивные элементы интегральных микросхем § 11.6. Методы контроля тонких пленок

Глава 12. Процессы радиационной обработки § 12.1. Воздействие проникающей радиации на вещество § 12.2. Радиационная литография § 12.3. Радиационно-стимулированная диффузия § 12.4. Контролируемое введение радиационных нарушений с помощью ионной имплантации § 12.5. Лазерная технология § 12.6. Методы контроля радиационных нарушений

Глава 13. Защита поверхности р-я-переходов § 13.1. Влияние состояния поверхности р-л-перехода на электрические параметры прибора § 13.2. Защита веществами на основе кремнийорганических соединений и полимеров § 13.3. Защита оксидными и нитридными пленками кремния § 13.4. Защита пленками оксидов металлов § 13.5. Защита пленками стекла

Глава 14. Сборка полупроводниковых приборов и интегральных микросхем § 14.1. Особенности процесса сборки § 14.2. Присоединение кристалла к основанию корпуса § 14.3. Присоединение выводов § 14.4. Герметизация кристалла

Глава 15. Конструкции корпусов полупроводниковых приборов и ИМС § 15.1. Общие сведения о корпусах § 15.2. Конструкции корпусов диодов общего назначения § 15.3. Конструкции корпусов тиристоров § 15.4. Конструкции корпусов диодов СВЧ-диапазона § 15.5. Конструкции корпусов туннельных диодов § 15.6. Конструкции корпусов транзисторов § 15.7. Конструкции корпусов источников света § 15.8. Конструкции корпусов интегральных микросхем

Глава 16. Особенности технологии изготовления ИМС § 16.1. Классификация интегральных микросхем § 16.2, Разработка топологии ИМС § 16.3. Изготовление элементов биполярных ИМС § 16.4. Изготовление элементов МДП ИМС

Заключение Список литературы Предметный указатель