Предисловие

Одним из главных путей научно-технического прогресса, как указано в Основных направлениях экономического и социального развития на 1986—1990 годы и на период до 2000 года, утвержденных XXVII съездом КПСС, является развитие радиоэлектроники и особенно микроэлектроники, позволяющей значительно повысить технический, технологический и организационный уровни производства на базе микропроцессорной техники, оптоэлектроникн и других видов полупроводниковой электроники.

Основная тенденция развития микроэлектроники состоит в переходе от изготовления полупроводниковых дискретных приборов к созданию интегральных микросхем (ИМС) со все более высоким уровнем интеграции элементов.

Постоянное совершенствование полупроводниковой технологии и соответствующее обновление типовых программ по дисциплине «Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем» для специальностей 0629, 0604, 0643 повлекло существенную переработку данной книги. В 3-м издании пособия переработаны и дополнены главы, посвященные механической, химической обработке, фотолитографии, эпитаксии, диффузии, ионной имплантации, термическому испарению и ионно-плазменно-му распылению, методам защиты, сборки и герметизации, изготовлению биполярных и МДП ИМС, введены главы о методах получения защитных пленок" в планарной технологии, о получении структур методом сплавления, процессах радиационной обработки, конструкциях корпусов приборов и микросхем, полупроводниковых материалах.

Исходя из современных требований к унификации и созданию универсальных базовых технологий, авторы стремились изложить материал в соответствии с основными общими этапами производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, в пределах каждого этапа дать систематизированный обзор технологических методов и их разновидностей и методы изготовления приборов не относить к производству каких-либо конкретных типов диодов, транзисторов и т. д.

Описание каждого технологического метода начинается с кратких сведений о физических основах данного процесса, при этом рассматриваются его особенности, используемые материалы и оборудование, режимы проведения; далее указываются дефекты, возникающие в структурах на различных операциях; в заключение приводятся методы контроля качества полученных структур и элементов ИМС. В книгу введено много примеров расчетов, встречающихся в практике технолога, таких, как определение ряда физических параметров полупроводниковых структур в зависимости от режимов проведения данного технологического процесса (прямые задачи), а также обратные задачи по выбору основных режимов проведения процессов в зависимости от физических свойств, которыми должны обладать готовые полупроводниковые структуры.

Предисловие, введение, гл. 1, 5, 6, 9—12 и 16 написаны канд. физ.-мат. наук, доц. В. В. Юдиным, гл. 2—4, 7, 8, 13—15 —канд. техн. наук, доц. А. И. Курносовым.

Авторы выражают глубокую благодарность коллективу кафедры микроэлектроники МИФИ (зав. кафедрой — д-р техн. наук, проф. А. В. Шальнов): канд. техн. наук, доц. О. Р. Мочалкиной и канд. техн. наук Ю. А. Воронову за полезные замечания и предложения, сделанные при рецензировании рукописи.

Отзывы о книге просим направлять по адресу: 101430, Москва, ГСП-4, Неглинная ул., д. 29/14, издательство «Высшая школа».

Авторы