Контрольные вопросы

1. В каких направлениях проводит ток p-n-pтранзистор и в какихn-p-n транзистор?

2. Почему с увеличением U_КЭтокI_Квначале быстро растёт, а затем увеличивается медленно?

3. Как зависит коэффициент усиления от тока базы?

6. Снятие статических характеристик транзистора на постоянном токе Общие сведения

Свойства транзисторов описываются следующими четырьмя семействами характеристик.

Входная характеристика показывает зависимость тока базыI_Б от напряжения в цепи база/эмиттерU_БЭ(приU_КЭ=const).

Выходная характеристика показывает зависимость тока коллектораI_Кот напряжения цепи коллектор/эмиттерU_КЭпри различных фиксированных значениях тока базы.

Характеристика управления представляет собой зависимость тока коллектораI_Кот тока базы I_Б (приU_КЭ=const).

Характеристика обратной связи есть зависимость напряжения цепи база¤эмиттерU_БЭ, от напряжения цепи коллектор/эмиттерU_КЭпри различных фиксированных значениях тока базы.

Экспериментальная часть Задание

Снять экспериментально и построить графики четырех семейств характеристик биполярного транзистора n-p-nтипа.

Порядок выполнения экспериментов

• Соберите цепь согласно схеме (рис. 2.6.1, 2.6.2). Потенциометр 1 кОм используется для регулирования тока базы, резисторы 100 и 47 кОм – для ограничения максимального тока базы. Регулирование напряжения U_КЭ осуществляется регулятором источника постоянного напряжения. Для предотвращения подачи обратного напряжения на транзистор в цепь коллектора включён диод. Переход эмиттер база также защищён шунтирующим диодом. Измерение тока базыI_Би напряженияU_БЭпроизводятся мультиметрами на пределах 200 μА и 2 В соответственно, Пределы измерения тока коллектораI_Ки напряженияU_КЭизменяются в ходе работы по мере необходимости.При сборке схемы предусмотрите перемычки для переключения амперметра из одной ветви в другую.

• Установите первое значение тока базы 20 μА, переключите миллиамперметр в цепь коллектора и, изменяя напряжение U_КЭсогласно значениям, указанным в табл. 2.6.1, снимите зависимостиI_К(U_КЭ) иU_БЭ(U_КЭ). Повторите эти измерения при каждом значенииI_Б, указанном в таблице.

Примечание: характеристики транзистора изменяются в ходе работы из-за его нагрева. Поэтому для большей определенности рекомендуется установить нужные значения I_БЭ и U_КЭ, выключить на 30 с блок генераторов напряжений, затем включить его и быстро записать показания приборов V1 и A2.

Рис. 2.6.1

Рис. 2.6.2

Таблица 2.6.1

UКЭ, В	IБ = 20 μА		IБ = 40 μА		IБ = 60 μА		IБ = 80 μА
	IК, мА	UБЭ, В	IК, мА	UБЭ, В	IК, мА	UБЭ, В	IК, мА	UБЭ, В
0
0,5
1
2
5
10
15

• На рис. 2.6.3 постройте графики семейства выходных характеристик I_К(U_КЭ) и семейство характеристик обратной связиU_БЭ(U_КЭ), не забыв указать какому току базы соответствует каждая кривая.

• Установите U_КЭ= 0 и изменяя ток базы в соответствии со значениями, указанными в табл. 5.3.2, снимите зависимостьU_БЭ(I_Б), Увеличьте напряжениеU_КЭдо 5 В и снова снимите зависимостьU_БЭ(I_Б), а также иI_К(I_Б). Повторите этот опыт также приU_КЭ= 15 В. (При проведении этих измерений также учитывайте примечание к предыдущему опыту).

• На рис. 5.3.3 постройте графики входных I_Б(U_БЭ) и регулировочныхI_К(I_Б) характеристик, указав для каждой кривой соответствующие значенияU_КЭ.

Таблица 2.6.2

IБ, μА	UКЭ = 0 В		UКЭ = 5 В		UКЭ = 15 В
	UБЭ, В	IК, мА	UБЭ, В	IК, мА	UБЭ, В	IК, мА
0
5
10
20
50
80

Рис. 5.3.3