Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Ишанин Г.Г. Источники и приемники излучения (1991).pdf
Скачиваний:
677
Добавлен:
21.03.2016
Размер:
10.9 Mб
Скачать

Кремний более технологичен, так как менее чувствителен к загряз­ нению и несовершенному состоянию поверхности, для него разра­ ботаны надежные способы защиты поверхности и осуществления контактов. В результате токовой шум кремниевых болометров понижен и наблюдается в области самых низких частот.

Болометры с выделенной чувствительной площадкой. Во всех полупроводниковых болометрах излучение поглощает либо чув­ ствительный элемент, либо покрытие на чувствительной поверх­ ности. В этом случае теплоемкость чувствительного элемента, определяемая массой кристалла, достаточно велика. Плодотворной оказалась идея выделить приемную площадку, а полупроводнико­ вый элемент соединить с ней и использовать как терморезистор.

На этом принципе Н. Корон, Г. Дамбиер и Дж. Леблан создали новый тип глубокоохлаждаемого болометра с приемной площадкой из медной или бериллиевой фольги толщиной 3 мкм и диаметром 2 мм, покрытой чернью (тонким слоем феррита). В середине пер­ пендикулярно к площадке припаян терморезистор из германия размером 100 X 100x400 мкм. Площадка подвешена на тонких проволоках с низкой теплопроводностью и закреплена так, чтобы при вибрациях не возникало микрофонного эффекта в контактах

игермании. Чувствительный элемент расположен в интегрирую­ щей сфере, куда излучение поступает через линзу из кварца или полиэтилена. При малых уровнях фона такой болометр чувстви­ тельнее, а при больших — менее инерционен, чем обычные.

Сверхпроводящие болометры. Такие болометры основаны на резком изменении сопротивления при переходе от нормального состояния к сверхпроводящему с уменьшением температуры до значений, близких к нулю Кельвина. При этом удельное сопро­ тивление почти полностью исчезает. Сверхпроводящее и нормаль­ ное состояния являются двумя фазами вещества, переходящими одна в другую при определенных сочетаниях значений температуры

инапряженности магнитного поля. Сверхпроводимость рассматри­ вается как сверхтекучесть электронов проводимости в веществе, которые при особом взаимодействии друг с другом могут взаимно притягиваться и образовывать связанную массу. Эта масса не может отдавать энергию малыми порциями, так как электроны при тепловых колебаниях ионов решетки не рассеиваются. В каче­ стве материалов для сверхпроводящих болометров используют тантал, нитрид ниобия, нитрид Колумбия при температуре, мень­ шей 14 К. В переходном диапазоне температур ТКС может дости­ гать 50К"1 (у чистых сверхпроводников переходная область 10~3К).

Сверхпроводящие болометры благодаря высокой чувствительно­ сти перспективны для исследований в дальней ИК-области спектра.

§ 7.3. Оптико-акустические приемники излучения

Принцип работы оптико-акустического приемника излучения (ОАП) заключается в том, что падающий лучистый поток изменяет температуру заключенного в специальной камере газа, который

Рис. 7.4. Устройство селективного ОАП (а) и неселективного ОАП кон­ струкции ГОИ (б)

вследствие этого изменяет свой объем. Одна из стенок камеры сде­ лана в виде тонкой и гибкой пленки — мембраны. Изменяя объем, газ деформирует мембрану, и эту деформацию можно зарегистри­ ровать различными способами.

Селективные ОАП. У селективного приемника излучение погло­ щает сам газ, поэтому спектральная чувствительность приемника определяется спектром поглощения наполняющего газа. Так как в газе поглощение излучения селективно, т. е. поглощается излу­ чение только тех частот, которые соответствуют частотам колебаний и вращения молекул, подобные приемники используют в качестве элементов газоанализаторов. Заполняя полость газом с нужными селективными полосами поглощения, можно получить приемник, чувствительный лишь к определенным длинам волн. Постоянная времени такого приемника (рис. 7.4, а) позволяет работать с час­ тотами модуляции лучистого потока до 50 Гц.

Измеряемый лучистый поток 1, промодулированный диском 2, через флюоритовое окно 3 попадает в камеру 4 с газом 5. Под воздействием лучистого потока давление газа на мембрану 6 меняется, создавая в микрофоне 7 электрические сигналы, усили­ ваемые усилителем 8 и регистрируемые на регистраторе 9.

В ближней и средней ИК-областях спектра подобный приемник интереса не представляет, так как вытесняется более чувствитель­ ными фотонными приемниками, поэтому применяют его в дальней ИК-области спектра.

Неселективные ОАП. Промышленность выпускает в основном неселективные ОАП, предназначенные для спектральных прибо­

ров, работающих в диапазоне 5— 1000 мкм. Такой ОАП (рис. 7.4, б) состоит из двух рабочих камер 19 и 20, наполненных газом. Реги­ стрируемое излучение через окно 10 из бромистого калия или кристаллического кварца в зависимости от спектрального диапа­ зона работы падает на органическую пленку 11 толщиной 0,1 мкм с поглощающим излучение алюминиевым слоем. Под действием лучей пленка нагревается и нагревает газ камеры 20, который, расширяясь, деформирует пленку 11 и вызывает изменение давле­ ния газа в камере 19, передающееся на органическую мембрану 13 с отражающим слоем сурьмы толщиной 0,1 мкм.

Деформация мембраны 13, пропорциональная измеряемому потоку Ф, преобразуется фотоэлектрическим усилителем в элек­ трический сигнал. При отсутствии измеряемого потока Ф прозрач­ ные, освещаемые лампой 16 через конденсор 15, штрихи верхней части растра 14 проектируются объективом и мембраной 13 на непрозрачные штрихи нижней части растра в положение 18, и световой поток не попадает в приемник 17 (ФЭУ-2). При наличии измеряемого потока мембрана изгибается и часть лучей, отразив­ шись от нее, попадает на прозрачные участки нижней части растра 14 и зеркалом направляется на ФЭУ-2, в цепи которого появляется ток, пропорциональный потоку излучения лампы, отраженному от мембраны и прошедшему через нижнюю часть растра 14. Этот поток пропорционален прогибу мембраны 13, определяемому измеряемым потоком Ф . Канал 12 с отводом служит для наполнения камеры 19 газом и компенсации изменения внутреннего давления при изменении температуры окружающей среды. Камеру 20 наполняют ксеноном, так как этот газ обеспечивает максимальную чувствительность на частоте 10 Гц.

Шум, а следовательно, и пороговая чувствительность ОАП ГОИ зависят от амплитуды сигнала, так как возрастают дробовые шумы ФЭУ. При сигнале от потока 80 Ф ПОр ШУМ возрастает в два, а при 250 Ф ПОр — в три раза. В связи с этим ОАП ГОИ следует использовать для регистрации слабых потоков, превышающих пороговое значение в 20—40 раз.

В настоящее время ОАП широко используют для научных исследований в среднем и дальнем инфракрасном диапазонах спектра.

§7.4. Пироэлектрические приемники

Впоследние годы начали применять новый тепловой неселек­ тивный приемник ИК-излучения — пироэлектрический (ППИ), приемным элементом в котором служат пироэлектрические кри­

сталлы титаната бария ВаТЮ 3 с примесями, триглицин сульфата (N H 2CH 2C 00H )3H 2S04, ниобат лития LiN b03 и т. д. Особенность пироэлектрических кристаллов состоит в их спонтанной (само­ произвольной) поляризации при отсутствии внешних электриче­ ских полей. При постоянной температуре эту поляризацию нельзя

обнаружить по наличию поверхностных зарядов, так как послед­ ние компенсируются объемной и поверхностной проводимостью кристалла. Однако спонтанная поляризация пирокристаллов зависит от температуры и при ее измерении на гранях кристалла, перпендикулярных к полярной оси, могут быть обнаружены заряды. В этом и состоит пироэлектрический эффект.

К пироэлектрическим кристаллам принадлежат и сегнетоэлектрики (сегнетова соль и т. д.), но они характеризуются обратимой спонтанной поляризацией. При наличии поля, большего опреде­ ленного (коэрцитивного), направление поляризации сегнетоэлектрика можно изменить на противоположное. У линейных же пиро­ электриков никакие поля, вплоть до пробивных, не могут переполяризовать кристалл.

Для пироэлектрических кристаллов характерно наличие одного или нескольких фазовых переходов. Фазовый переход характери­ зуется обычно поглощением и выделением теплоты и изменением удельного объема, причем одно состояние сменяется другим. У титаната бария, например, несколько фазовых переходов, но лишь один из них (при температуре Кюри) пироэлектрический. Выше 393 К кристалл титаната бария принадлежит к центросим­ метричному классу кубической системы.

При охлаждении кристалла ВаТЮ 3 ниже точки Кюри его куби­ ческая кристаллическая решетка переходит в тетрагональную и он спонтанно поляризуется. Вектор спонтанной поляризации Рс направлен вдоль полярной оси. Наиболее правильно рассматри­ вать пироэлектрический ПИ как систему с распределенными параметрами.

В зависимости от направления вектора поляризации Рс при облучении ПИ лучистым потоком различают пироэлектри­ ческие ПИ продольного и поперечного типов.

Чувствительность ПИ продольного типа выше, чем попереч­ ного. Однако, так как у приемников продольного типа больше ем­ кость (определяется площадью электродов), чем у ПИ поперечного типа, постоянная времени ПИ поперечного типа меньше: тпр = = 10“5 -т- Ю”в; тпоп = 10-7-г-10“8 с. Кроме того, ПИ поперечного типа можно изготовлять без черни на собственном поглощении, что также снижает их инерционность. При использовании золотой

черни

с теплоемкостью

С0 = 2,5- 10_б Дж/град. см" 2 расчетная

тср =

1СГ7 с.

 

В

заключение следует

отметить, что пироэлектрический ток

ПИ I — сложная функция физических характеристик кристалла, его геометрических размеров и условий теплообмена со средой. Значение / зависит от двух основных факторов — среднего при­ роста температуры приемного элемента и скорости изменения при­ роста температуры. Средний прирост температуры пироэлектри­ ческого ПИ как теплового обратно пропорционален частоте моду­ ляции, но скорость его изменения прямо пропорциональна частоте модуляции.

J -----
U 1J
□ гL .
Ф9,2
_ ф\15
.

Действие этих двух факторов уравно­ а)Выход вешивается в достаточно широком диапа­

зоне частот. Этим объясняется малая инер­ ционность пироэлектрического ПИ по сравнению с тепловыми.

Равномерность частотной характери­ стики пироэлектрического ПИ нарушается при очень низких частотах, когда тепловые волны, пройдя приемный элемент, дости­ гают подложки, и при слишком больших частотах, когда они не достигают пироактивного кристалла.

Если излучение поглощается на абсорб­ ционных полосах кристалла (собственное поглощение пироактивного кристалла), то инерционность ПИ определяется инер­ ционностью пироэлектрического эффекта, т. е. временем установления спонтанной поляризации под воздействием тепловых волн на кристалл. Следует отметить, что пироприемник не требует источников пита­ ния и работает аналогично термопаре. На рис. 7.5 показаны конструкции ППИ ти­ пов БП-22 , б) и МГ-30 , г).

Корпус

1НГ&. kj 1\, Ъ'2/Ал

V

£

Ч 1

Приемники

на основе ВаТЮ3, их пара­

 

 

 

 

метры и характеристики. Чувствительный

 

 

 

 

элемент

приемника

представляет собой

 

 

 

 

плоский слой (4 0 100 мкм)

керамики

ти-

 

 

 

 

таната бария с размером приемной пло­

 

 

 

 

щадки 120 мм2. Распылением

в вакууме

 

 

 

 

на чувствительный элемент наносят ме­

 

 

 

 

таллические электроды толщиной 0,1 мкм.

 

 

 

 

На облучаемый электрод напыляют слой

г)

Ф6,5

 

золотой

черни,

поглощающий излучение

 

 

 

 

 

в заданном спектральном интервале. Ос­

 

 

Г~ ' "

ч ч

новные параметры приемников следующие:

 

11

Фщ = 5-10“9 Вт/Гц1/2 в диапазоне 5— 200 Гц

 

 

 

 

при # н =

1-М0 ГОм

в схеме

с катодным

 

сч

/\ [ л

 

повторителем;

постоянная

времени

при

 

 

 

?

Х ^ у

 

использовании

золотой черни

1— 20

мкс

 

 

 

 

при собственном поглощении

10"710~8 с;

 

 

 

 

вольтовая чувствительность Sv = 100 В/Вт

 

 

k-

J

при /м =

10 Гц, RK = 10 ГОм

и площади

 

S,

 

>

чувствительного элемента 1 мм2; динамиче­

 

 

13-0,2Ь ^

ский диапазон

измеряемых

облученностей

 

 

/¥,5

 

10-1— 10-8 Вт/мм2.

 

 

 

 

 

 

 

 

ППИ на основе монокристаллов тригли-

Рис,

7.5,

Конструкция

цинсульфата. Динамический пироэлектри-

пироэлектрических

ПИ

о)

ческий

коэффициент и отношение

 

уд/ео У

триглицинсульфата (ТГС)

 

выше, чему титаната бария. Моно­

 

кристаллы ТГС

выращиваются

 

больших размеров

и легко обра­

гбатываются.

 

 

 

 

 

Чувствительный элемент ППИ

6) Syf В/Вт

 

Ф„,10%/Гц!/2

на основе ТГС представляет собой

 

пластинку, изготовленную

из

мо­

moo

 

 

 

 

нокристалла площадью

 

1— 5 мм2 и

 

 

 

 

 

толщиной 50— 150 мкм. Конструк­

woo

 

 

 

 

тивное

 

оформление

чувствитель­

 

 

 

 

ного

элемента

показано

на

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

рис. 7.6,

а .

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

На рис. 7.6, б приведены

час­

 

 

 

 

 

тотные

характеристики

чувстви­

 

 

 

 

 

тельности и Ф П1 для ППИ

толщи­

 

 

 

 

 

ной 50 мкм и площадью 1 мм2. Из

 

 

 

 

 

рисунка

 

видно,

что

при

RH =

 

 

 

 

 

= 10 ГОм

Ф П1 =

Ю-9

Вт/Гц1/2 и

 

 

 

 

 

мало зависит от частоты. Гранич­

 

2

10

100

1000 f f y

ная частота модуляции ППИ из

Рис. 7.6. Чувствительный

элемент

ТГС при R n =

100 кОм

составля­

ППИ на основе ТГС (а) и частотные

ет 18 кГц. Шум ППИ во всем диа­

характеристики чувствительности

пазоне частот равен шуму эквива­

и порогового

потока

в единичной

лентной RC-цепочки. Линейность

полосе частот ППИ из ТГС при раз­

ППИ

из

ТГС

при

R K =

10 ГОм

личных

сопротивлениях

нагруз­

сохранялась

при

облученности

 

 

ки (б):

 

 

/ — ТГС;

2 — поглощающее покрытие;

10'9— 10~3

Вт/мм2.

Оптимальная

3 — электроды;

4 — опорное

кольцо;

рабочая температура

ППИ

на ос­

5 — мейларовая пленка

 

 

 

 

 

нове ТГС 318— 319 К.

 

 

 

 

Приемники полного поглощения на основе пироэлектрических

преобразователей.

Пироэлектрические

 

приемники

поглощения

имеют очень важное значение, так как они неселективны. Их изго­ тавливают в виде черного тела конусообразной или сферической формы (рис. 7.7, а, б). Коэффициент поглощения может достигать 0,999. Пироэлектрические приемники полного поглощения несе­ лективны в широком спектральном интервале, о чем свидетель­ ствует рис. 7.7, в, где сравнивается их спектральная характерис­ тика тока сигнала с характеристиками болометров.

Многоэлементные ППИ. Многоэлементный ППИ состоит из 25 и более чувствительных элементов, расположенных с зазором 0,05 мм при размере элемента 3 x 3 мм. Каждый из чувствительных элементов имеет свой предварительный усилитель. Размер элек­ тродов совпадает с размером пироактивного кристалла, что умень­ шает теплоемкость элемента и дает возможность монтировать элементы с минимальными межэлементными зазорами. За счет применения лакосажевой проводящей композиции функции про-