
- •Введение
- •§ 1.1. Тепловые источники излучения
- •§ 1.3. Импульсные источники излучения
- •§ 1.4. Светодиоды
- •§ 1.5. Естественные источники излучения
- •§ 2.2. Прохождение излучения через атмосферу
- •§ 2.3. Пропускание атмосферы в спектральных интервалах
- •Глава 3. Классификация приемников излучения, их параметры и характеристики
- •§ 3.2. Параметры и характеристики приемников излучения
- •§ 3.3. Пересчет параметров приемников излучения
- •Глава 4. Приемники излучения на основе внутреннего фотоэффекта
- •§ 4.1. Принцип действия приемников излучения на основе внутреннего фотоэффекта
- •§ 4.2. Фоторезисторы
- •§ 4.3. Фотодиоды
- •§ 4.4. Приемники излучения с внутренним усилением фототока
- •§ 4.5. Приемники излучения на основе многокомпонентных систем
- •§ 4.6. Многоцветные ПИ, фоторезисторы и фотодиоды с СВЧ-смещением
- •§ 4.7. Координатные ПИ
- •§ 5.1. Физические основы и принцип действия
- •§ 5.2. Электровакуумные фотоэлементы и фотоэлектронные умножители
- •§ 5.4. Электронно-оптические преобразователи
- •Глава 6. Многоэлементные приемники излучения
- •§ 6.1. Многоэлементные приемники излучения на основе фотодиодов и фоторезисторов
- •§ 6.2. Многоэлементные фотоприемные устройства на основе приборов с зарядовой связью
- •§ 6.3. Многоэлементные приемники излучения на основе приборов с зарядовой инжекцией
- •§ 7.2. Болометры
- •§ 7.3. Оптико-акустические приемники излучения
- •§ 7.4. Пироэлектрические приемники
- •§ 7.5. Радиационные калориметры
- •§ 7.6. Приемники на основе термоупругого эффекта в кристаллическом кварце
- •Список литературы
- •Оглавление
Кремний более технологичен, так как менее чувствителен к загряз нению и несовершенному состоянию поверхности, для него разра ботаны надежные способы защиты поверхности и осуществления контактов. В результате токовой шум кремниевых болометров понижен и наблюдается в области самых низких частот.
Болометры с выделенной чувствительной площадкой. Во всех полупроводниковых болометрах излучение поглощает либо чув ствительный элемент, либо покрытие на чувствительной поверх ности. В этом случае теплоемкость чувствительного элемента, определяемая массой кристалла, достаточно велика. Плодотворной оказалась идея выделить приемную площадку, а полупроводнико вый элемент соединить с ней и использовать как терморезистор.
На этом принципе Н. Корон, Г. Дамбиер и Дж. Леблан создали новый тип глубокоохлаждаемого болометра с приемной площадкой из медной или бериллиевой фольги толщиной 3 мкм и диаметром 2 мм, покрытой чернью (тонким слоем феррита). В середине пер пендикулярно к площадке припаян терморезистор из германия размером 100 X 100x400 мкм. Площадка подвешена на тонких проволоках с низкой теплопроводностью и закреплена так, чтобы при вибрациях не возникало микрофонного эффекта в контактах
игермании. Чувствительный элемент расположен в интегрирую щей сфере, куда излучение поступает через линзу из кварца или полиэтилена. При малых уровнях фона такой болометр чувстви тельнее, а при больших — менее инерционен, чем обычные.
Сверхпроводящие болометры. Такие болометры основаны на резком изменении сопротивления при переходе от нормального состояния к сверхпроводящему с уменьшением температуры до значений, близких к нулю Кельвина. При этом удельное сопро тивление почти полностью исчезает. Сверхпроводящее и нормаль ное состояния являются двумя фазами вещества, переходящими одна в другую при определенных сочетаниях значений температуры
инапряженности магнитного поля. Сверхпроводимость рассматри вается как сверхтекучесть электронов проводимости в веществе, которые при особом взаимодействии друг с другом могут взаимно притягиваться и образовывать связанную массу. Эта масса не может отдавать энергию малыми порциями, так как электроны при тепловых колебаниях ионов решетки не рассеиваются. В каче стве материалов для сверхпроводящих болометров используют тантал, нитрид ниобия, нитрид Колумбия при температуре, мень шей 14 К. В переходном диапазоне температур ТКС может дости гать 50К"1 (у чистых сверхпроводников переходная область 10~3К).
Сверхпроводящие болометры благодаря высокой чувствительно сти перспективны для исследований в дальней ИК-области спектра.
§ 7.3. Оптико-акустические приемники излучения
Принцип работы оптико-акустического приемника излучения (ОАП) заключается в том, что падающий лучистый поток изменяет температуру заключенного в специальной камере газа, который
Рис. 7.4. Устройство селективного ОАП (а) и неселективного ОАП кон струкции ГОИ (б)
вследствие этого изменяет свой объем. Одна из стенок камеры сде лана в виде тонкой и гибкой пленки — мембраны. Изменяя объем, газ деформирует мембрану, и эту деформацию можно зарегистри ровать различными способами.
Селективные ОАП. У селективного приемника излучение погло щает сам газ, поэтому спектральная чувствительность приемника определяется спектром поглощения наполняющего газа. Так как в газе поглощение излучения селективно, т. е. поглощается излу чение только тех частот, которые соответствуют частотам колебаний и вращения молекул, подобные приемники используют в качестве элементов газоанализаторов. Заполняя полость газом с нужными селективными полосами поглощения, можно получить приемник, чувствительный лишь к определенным длинам волн. Постоянная времени такого приемника (рис. 7.4, а) позволяет работать с час тотами модуляции лучистого потока до 50 Гц.
Измеряемый лучистый поток 1, промодулированный диском 2, через флюоритовое окно 3 попадает в камеру 4 с газом 5. Под воздействием лучистого потока давление газа на мембрану 6 меняется, создавая в микрофоне 7 электрические сигналы, усили ваемые усилителем 8 и регистрируемые на регистраторе 9.
В ближней и средней ИК-областях спектра подобный приемник интереса не представляет, так как вытесняется более чувствитель ными фотонными приемниками, поэтому применяют его в дальней ИК-области спектра.
Неселективные ОАП. Промышленность выпускает в основном неселективные ОАП, предназначенные для спектральных прибо
ров, работающих в диапазоне 5— 1000 мкм. Такой ОАП (рис. 7.4, б) состоит из двух рабочих камер 19 и 20, наполненных газом. Реги стрируемое излучение через окно 10 из бромистого калия или кристаллического кварца в зависимости от спектрального диапа зона работы падает на органическую пленку 11 толщиной 0,1 мкм с поглощающим излучение алюминиевым слоем. Под действием лучей пленка нагревается и нагревает газ камеры 20, который, расширяясь, деформирует пленку 11 и вызывает изменение давле ния газа в камере 19, передающееся на органическую мембрану 13 с отражающим слоем сурьмы толщиной 0,1 мкм.
Деформация мембраны 13, пропорциональная измеряемому потоку Ф, преобразуется фотоэлектрическим усилителем в элек трический сигнал. При отсутствии измеряемого потока Ф прозрач ные, освещаемые лампой 16 через конденсор 15, штрихи верхней части растра 14 проектируются объективом и мембраной 13 на непрозрачные штрихи нижней части растра в положение 18, и световой поток не попадает в приемник 17 (ФЭУ-2). При наличии измеряемого потока мембрана изгибается и часть лучей, отразив шись от нее, попадает на прозрачные участки нижней части растра 14 и зеркалом направляется на ФЭУ-2, в цепи которого появляется ток, пропорциональный потоку излучения лампы, отраженному от мембраны и прошедшему через нижнюю часть растра 14. Этот поток пропорционален прогибу мембраны 13, определяемому измеряемым потоком Ф . Канал 12 с отводом служит для наполнения камеры 19 газом и компенсации изменения внутреннего давления при изменении температуры окружающей среды. Камеру 20 наполняют ксеноном, так как этот газ обеспечивает максимальную чувствительность на частоте 10 Гц.
Шум, а следовательно, и пороговая чувствительность ОАП ГОИ зависят от амплитуды сигнала, так как возрастают дробовые шумы ФЭУ. При сигнале от потока 80 Ф ПОр ШУМ возрастает в два, а при 250 Ф ПОр — в три раза. В связи с этим ОАП ГОИ следует использовать для регистрации слабых потоков, превышающих пороговое значение в 20—40 раз.
В настоящее время ОАП широко используют для научных исследований в среднем и дальнем инфракрасном диапазонах спектра.
§7.4. Пироэлектрические приемники
Впоследние годы начали применять новый тепловой неселек тивный приемник ИК-излучения — пироэлектрический (ППИ), приемным элементом в котором служат пироэлектрические кри
сталлы титаната бария ВаТЮ 3 с примесями, триглицин сульфата (N H 2CH 2C 00H )3H 2S04, ниобат лития LiN b03 и т. д. Особенность пироэлектрических кристаллов состоит в их спонтанной (само произвольной) поляризации при отсутствии внешних электриче ских полей. При постоянной температуре эту поляризацию нельзя
обнаружить по наличию поверхностных зарядов, так как послед ние компенсируются объемной и поверхностной проводимостью кристалла. Однако спонтанная поляризация пирокристаллов зависит от температуры и при ее измерении на гранях кристалла, перпендикулярных к полярной оси, могут быть обнаружены заряды. В этом и состоит пироэлектрический эффект.
К пироэлектрическим кристаллам принадлежат и сегнетоэлектрики (сегнетова соль и т. д.), но они характеризуются обратимой спонтанной поляризацией. При наличии поля, большего опреде ленного (коэрцитивного), направление поляризации сегнетоэлектрика можно изменить на противоположное. У линейных же пиро электриков никакие поля, вплоть до пробивных, не могут переполяризовать кристалл.
Для пироэлектрических кристаллов характерно наличие одного или нескольких фазовых переходов. Фазовый переход характери зуется обычно поглощением и выделением теплоты и изменением удельного объема, причем одно состояние сменяется другим. У титаната бария, например, несколько фазовых переходов, но лишь один из них (при температуре Кюри) пироэлектрический. Выше 393 К кристалл титаната бария принадлежит к центросим метричному классу кубической системы.
При охлаждении кристалла ВаТЮ 3 ниже точки Кюри его куби ческая кристаллическая решетка переходит в тетрагональную и он спонтанно поляризуется. Вектор спонтанной поляризации Рс направлен вдоль полярной оси. Наиболее правильно рассматри вать пироэлектрический ПИ как систему с распределенными параметрами.
В зависимости от направления вектора поляризации Рс при облучении ПИ лучистым потоком различают пироэлектри ческие ПИ продольного и поперечного типов.
Чувствительность ПИ продольного типа выше, чем попереч ного. Однако, так как у приемников продольного типа больше ем кость (определяется площадью электродов), чем у ПИ поперечного типа, постоянная времени ПИ поперечного типа меньше: тпр = = 10“5 -т- Ю”в; тпоп = 10-7-г-10“8 с. Кроме того, ПИ поперечного типа можно изготовлять без черни на собственном поглощении, что также снижает их инерционность. При использовании золотой
черни |
с теплоемкостью |
С0 = 2,5- 10_б Дж/град. см" 2 расчетная |
тср = |
1СГ7 с. |
|
В |
заключение следует |
отметить, что пироэлектрический ток |
ПИ I — сложная функция физических характеристик кристалла, его геометрических размеров и условий теплообмена со средой. Значение / зависит от двух основных факторов — среднего при роста температуры приемного элемента и скорости изменения при роста температуры. Средний прирост температуры пироэлектри ческого ПИ как теплового обратно пропорционален частоте моду ляции, но скорость его изменения прямо пропорциональна частоте модуляции.
Действие этих двух факторов уравно а)Выход вешивается в достаточно широком диапа
зоне частот. Этим объясняется малая инер ционность пироэлектрического ПИ по сравнению с тепловыми.
Равномерность частотной характери стики пироэлектрического ПИ нарушается при очень низких частотах, когда тепловые волны, пройдя приемный элемент, дости гают подложки, и при слишком больших частотах, когда они не достигают пироактивного кристалла.
Если излучение поглощается на абсорб ционных полосах кристалла (собственное поглощение пироактивного кристалла), то инерционность ПИ определяется инер ционностью пироэлектрического эффекта, т. е. временем установления спонтанной поляризации под воздействием тепловых волн на кристалл. Следует отметить, что пироприемник не требует источников пита ния и работает аналогично термопаре. На рис. 7.5 показаны конструкции ППИ ти пов БП-22 (а, б) и МГ-30 (в, г).
Корпус
1НГ&. kj 1\, Ъ'2/Ал
V
£
Ч 1
Приемники |
на основе ВаТЮ3, их пара |
|
|
|
|
||||||
метры и характеристики. Чувствительный |
|
|
|
|
|||||||
элемент |
приемника |
представляет собой |
|
|
|
|
|||||
плоский слой (4 0 — 100 мкм) |
керамики |
ти- |
|
|
|
|
|||||
таната бария с размером приемной пло |
|
|
|
|
|||||||
щадки 1— 20 мм2. Распылением |
в вакууме |
|
|
|
|
||||||
на чувствительный элемент наносят ме |
|
|
|
|
|||||||
таллические электроды толщиной 0,1 мкм. |
|
|
|
|
|||||||
На облучаемый электрод напыляют слой |
г) |
Ф6,5 |
|
||||||||
золотой |
черни, |
поглощающий излучение |
|
||||||||
|
|
|
|
||||||||
в заданном спектральном интервале. Ос |
|
|
Г~ ' " |
ч ч |
|||||||
новные параметры приемников следующие: |
|
11 |
|||||||||
Фщ = 5-10“9 Вт/Гц1/2 в диапазоне 5— 200 Гц |
|
|
|
|
|||||||
при # н = |
1-М0 ГОм |
в схеме |
с катодным |
|
сч |
/\ [ л |
|
||||
повторителем; |
постоянная |
времени |
при |
|
|
|
|||||
? 2° |
Х ^ у |
|
|||||||||
использовании |
золотой черни |
1— 20 |
мкс |
|
|||||||
|
|
|
|||||||||
при собственном поглощении |
10"7— 10~8 с; |
|
|
|
|
||||||
вольтовая чувствительность Sv = 100 В/Вт |
|
|
k- |
J |
|||||||
при /м = |
10 Гц, RK = 10 ГОм |
и площади |
|
S, |
|
> |
|||||
чувствительного элемента 1 мм2; динамиче |
|
|
13-0,2Ь ^ |
||||||||
ский диапазон |
измеряемых |
облученностей |
|
|
/¥,5 |
|
|||||
10-1— 10-8 Вт/мм2. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
ППИ на основе монокристаллов тригли- |
Рис, |
7.5, |
Конструкция |
||||||||
цинсульфата. Динамический пироэлектри- |
|||||||||||
пироэлектрических |
ПИ |
о) |
ческий |
коэффициент и отношение |
|
|
уд/ео У |
триглицинсульфата (ТГС) |
|
|
выше, чему титаната бария. Моно |
||
|
кристаллы ТГС |
выращиваются |
|
|
больших размеров |
и легко обра |
гбатываются.
|
|
|
|
|
Чувствительный элемент ППИ |
|||||||||||
6) Syf В/Вт |
|
Ф„,10%/Гц!/2 |
на основе ТГС представляет собой |
|||||||||||||
|
пластинку, изготовленную |
из |
мо |
|||||||||||||
moo |
|
|
|
|
нокристалла площадью |
|
1— 5 мм2 и |
|||||||||
|
|
|
|
|
толщиной 50— 150 мкм. Конструк |
|||||||||||
woo |
|
|
|
|
тивное |
|
оформление |
чувствитель |
||||||||
|
|
|
|
ного |
элемента |
показано |
на |
|||||||||
|
|
|
|
|
||||||||||||
|
|
|
|
|
рис. 7.6, |
а . |
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
На рис. 7.6, б приведены |
час |
||||||||||
|
|
|
|
|
тотные |
характеристики |
чувстви |
|||||||||
|
|
|
|
|
тельности и Ф П1 для ППИ |
толщи |
||||||||||
|
|
|
|
|
ной 50 мкм и площадью 1 мм2. Из |
|||||||||||
|
|
|
|
|
рисунка |
|
видно, |
что |
при |
RH = |
||||||
|
|
|
|
|
= 10 ГОм |
Ф П1 = |
Ю-9 |
Вт/Гц1/2 и |
||||||||
|
|
|
|
|
мало зависит от частоты. Гранич |
|||||||||||
|
2 |
10 |
100 |
1000 f f y |
ная частота модуляции ППИ из |
|||||||||||
Рис. 7.6. Чувствительный |
элемент |
ТГС при R n = |
100 кОм |
составля |
||||||||||||
ППИ на основе ТГС (а) и частотные |
ет 18 кГц. Шум ППИ во всем диа |
|||||||||||||||
характеристики чувствительности |
пазоне частот равен шуму эквива |
|||||||||||||||
и порогового |
потока |
в единичной |
лентной RC-цепочки. Линейность |
|||||||||||||
полосе частот ППИ из ТГС при раз |
||||||||||||||||
ППИ |
из |
ТГС |
при |
R K = |
10 ГОм |
|||||||||||
личных |
сопротивлениях |
нагруз |
||||||||||||||
сохранялась |
при |
облученности |
||||||||||||||
|
|
ки (б): |
|
|
||||||||||||
/ — ТГС; |
2 — поглощающее покрытие; |
10'9— 10~3 |
Вт/мм2. |
Оптимальная |
||||||||||||
3 — электроды; |
4 — опорное |
кольцо; |
||||||||||||||
рабочая температура |
ППИ |
на ос |
||||||||||||||
5 — мейларовая пленка |
||||||||||||||||
|
|
|
|
|
нове ТГС 318— 319 К. |
|
|
|
|
|||||||
Приемники полного поглощения на основе пироэлектрических |
||||||||||||||||
преобразователей. |
Пироэлектрические |
|
приемники |
поглощения |
имеют очень важное значение, так как они неселективны. Их изго тавливают в виде черного тела конусообразной или сферической формы (рис. 7.7, а, б). Коэффициент поглощения может достигать 0,999. Пироэлектрические приемники полного поглощения несе лективны в широком спектральном интервале, о чем свидетель ствует рис. 7.7, в, где сравнивается их спектральная характерис тика тока сигнала с характеристиками болометров.
Многоэлементные ППИ. Многоэлементный ППИ состоит из 25 и более чувствительных элементов, расположенных с зазором 0,05 мм при размере элемента 3 x 3 мм. Каждый из чувствительных элементов имеет свой предварительный усилитель. Размер элек тродов совпадает с размером пироактивного кристалла, что умень шает теплоемкость элемента и дает возможность монтировать элементы с минимальными межэлементными зазорами. За счет применения лакосажевой проводящей композиции функции про-