фототиристора по напряжению называют отношение приращения напряжения включения фототиристора к приращению светового потока (рис. 4.20, б)

= АКвкл/АФ.

Чтобы определить SD фототиристора, проводят касательную,

ристора по току определяют как отношение среднего значения номинального тока, протекающего через открытый фототиристор, к световому потоку источника типа А — Ф пуск ПРИ заданном анод­ ном напряжении, которое указывается в паспорте.

Фототиристорам присущи дробовый (белый) и низкочастотный токовый шумы (1//), определяемые по ранее приведенным фор­ мулам, однако определять их нет необходимости, так как на прак­ тике определяют минимальный световой поток Ф пуск, обеспечи­ вающий четкое управление прибором. При использовании фото­ тиристоров следует учитывать зависимость Увкл от рабочей тем­ пературы, 1/вкл = / (Т). Сумма температуры среды Т и нагрева протекающим током 0 не должна превышать допустимой темпе­ ратуры для фототиристора. Благодаря особенностям р —п— р — ftструктуры фототиристоры имеют некоторые преимущества перед ФД и ФТ в схемах, преобразующих падающий поток излучения в электрический сигнал (в фотореле, логических схемах и т. д.): область рабочих напряжений фототиристоров на порядок выше ФД и ФТ; предельно допустимый ток фототиристора и его инте­ гральная чувствительность в 3— 4 раза выше, чем у ФТ; постоян­ ная времени фототиристора сравнима с ФД и меньше, чем у ФТ; диапазон рабочих температур сравним с кремниевым ФД, а на­ личие управляющего электрода позволяет осуществлять тем­ пературную компенсацию.

§ 4.5. Приемники излучения на основе многокомпонентных систем

В приборах, работающих в ИК-области спектра, в последние годы получили широкое применение узкозонные ПИ на основе

Особенность названных материалов состоит в возможности из­ менять ширину запрещенной зоны смеси, а следовательно, спек­ тральную чувствительность в зависимости от химического состава твердого раствора (рис. 4.21) [46]. Это позволяет создавать узко-

Рис. 4.21. Зависимость ширины запрещенной зоны полупро­ водника от состава HgTe—CdTe (а) и относительная спек­ тральная чувствительность фотоприемников на основе

Hgl_*CdxTe (б);

1 - 235 К; 2 — 4,2 К; 3 — ДЕ3 для X = 10,6

зонные охлаждаемые для ИК-области ПИ с максимумом чувстви­

соединений HgTe и CdTe. На их основе изготавливают высоко­ чувствительные и быстродействующие Ф Р и ФД, не уступающие по обнаружительной способности в диапазоне 8— 14 мкм лучшим

обычно эпоксидным клеем на сапфировую или германиевую под­ ложку и полируют до толщины 20— 30 мкм, травят и на него напыляют индиевые контакты. Зти Ф Р превосходят ФД на той же основе по обнаружительной способности, но уступают ФД в бы­ стродействии. Лучшие ФР имеют S v = 2 х Ю4 'В/Вт, а т = 10"в с.

ФД на основе Hgx аА^Те изготавливают по диффузионной технологии и ионным легированием, применяемым в последние годы.

На базе Hg^CdaTe в последние годы созданы фотогальванические мозаичные ПИ. 20-элементный ПИ на этой основе имеет: при 77 К АХ = 8 -i-ll мкм, спектральную дисперсию ±0,3 мкм, площадь элемента 10~4 см2, расстояние между элементами 50 мкм,

распространены, у них наблюдается также линейная зависимость ширины запрещенной зоны от состава. К недостаткам ФР на основе Рbi_3CSna Tе относятся высокое значение диэлектрической по­ стоянной (16 для Hgi^Cda-Te и 400 для Pb^Sn^Te), которое сни­

жает быстродействие, и более низкая (на 1,5— 2 порядка) обнару­ жительная способность, чем у Cd^Hga-Te, однако технологич­ ность сплавов РЬТе— SnTe при выращивании однородных и совершенных монокристаллов ставит их в один ряд со сплавами

лученных методом ВЧ катодного распыления в присутствии кисло­ рода, вольтовая чувствительность достигает 480 В/Вт при токе

существенное преимущество перед ФР, так как их низкое со­ противление облегчает согласование приемника с высокочастот­ ным усилителем; они не нуждаются в питании, имеют низкий уровень шумов и большую обнаружительную способность при малой постоянной времени. ФД в фотогальваническом режиме фирмы Raytheon, смонтированные на охлаждаемой площадке стеклянного сосуда Дьюара, заполненного жидким азотом, ра­

ФВ — фотодиоды с барьерами Шоттки, изготавливаемые нанесе­ нием на подложку P b ^S n ^T e слоя металла или выращиванием на металлической пленке полупроводникового слоя. Такие фо­ тодиоды самые длинноволновые (;X" = 30 мкм при х = 0,3, Т = = 4,2 К), они дешевы в изготовлении, но имеют меньшую об­ наружительную способность. На базе Р Ь ^ Б а Д е с барьером Шоттки изготавливаются в настоящее время матричные ФВ фото­ приемники с числом элементов до 40 со следующим разбросом па­

вакуумным последовательным напылением слоев Ph^Sn^-Se

Селективные варизонные ФД на основе тройных соединений AlxGai_*Sb, In ^G a ^A s, G aA s^Sb* и четырехкомпонентных соединений для ближней ИК-области спектра 1,0— 1,5 мкм обла­ дают высокой пороговой чувствительностью, быстродействием и высокой селективностью по спектру, что необходимо при работе ПИ с лазерными и световодными системами, работающими в этом спектральном диапазоне [18]. Структуру такого ФД можно пред­ ставить в виде трех эпитаксиальных слоев различного состава,