Тарасов ЭУМК_Физика_бак_1_2 / 4 - лаб раб / II семестр / Лабораторная работа № 6
.pdfОглавление  | 
	
  | 
|
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 6.................................................................................................................  | 
	2  | 
|
1.  | 
	ВВЕДЕНИЕ ...............................................................................................................................................  | 
	2  | 
2.  | 
	ОПИСАНИЕ УСТАНОВКИ И МЕТОДА ИЗМЕРЕНИЙ .............................................................  | 
	2  | 
3.  | 
	ПОРЯДОК ВЫПОЛНЕНИЯ РАБОТЫ.............................................................................................  | 
	5  | 
4.  | 
	ОБРАБОТКА РЕЗУЛЬТАТОВ ИЗМЕРЕНИЙ...............................................................................  | 
	5  | 
  | 
	ДАННЫЕ УСТАНОВКИ .......................................................................................................................  | 
	5  | 
5.  | 
	КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ..............................................................................................................  | 
	5  | 
2
Лабораторная работа № 6
ОПРЕДЕЛЕНИЕ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ
ПРОНИЦАЕМОСТИ ЖИДКОГО ДИЭЛЕКТРИКА
Цель работы: определение диэлектрической проницаемости с помощью явления втягивания жидкого диэлектрика внутрь плоского конденсатора.
1. Введение
Незаряженный диэлектрик, помещённый в электрическое поле, поляризуется. Процесс поляризации неполярного диэлектрика состоит в смещении центров тяжести положительных и отрицательных зарядов молекулы друг относительно друга, т. е. в образовании диполей. Поляризация полярного диэлектрика заключается в преимущественной ориентации вдоль поля уже имеющихся в диэлектрике
диполей (см. ВВЕДЕНИЕ ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЫ № 5).
Рассмотрим качественно поведение такого диполя в неоднородном электрическом поле. Пусть в направлении оси X напряжённость поля Е возрастает. Графически это изображается сгущением силовых линий (РИС. 1). Силы, действующие на
заряды диполя, неодинаковы, 
F1 
F2 
 , так как Е1 в той точке, где находится по-
ложительный заряд больше, чем Е2 в точке, где расположен отрицательный заряд. Следовательно, диполь в неоднородном поле под действием результирующей си-
лы  | 
	F F1  | 
частности,
F2  | 
	перемещается в область более сильного поля. Этим явлением, в  | 
объясняется втягивание диэлектрика внутрь плоского конденсатора.
y
–  | 
	+  | 
	х  | 
  | 
	
  | 
|
  | 
	Рис. 1  | 
	
  | 
d  | 
	e  | 
  | 
	y  | 
  | 
	y  | 
Рис. 2  | 
	
  | 
2. Описание установки и метода измерений
Рассмотрим плоский конденсатор, частично погружённый в жидкий диэлектрик (РИС. 2). Поскольку вблизи краев обкладок конденсатора имеется неоднородное
поле, то на диполи действуют силы F , вертикальные составляющие которых Fy направлены вверх. В результате диэлектрик втягивается в зазор между обклад-
3
ками конденсатора. Для нахождения результирующей вертикальной силы
f
, с
которой электрическое поле действует на жидкость в области неоднородного поля конденсатора, воспользуемся законом сохранения и превращения энергии. Для простоты расчёта будем предполагать, что поверхность жидкости горизонтальна (в этом случае отсутствуют капиллярные явления), поле внутри конденсатора (а не у его краев) однородно и не влияет на изменение поверхностного натяжения жидкости. Так как конденсатор подключён к источнику питания, то разность потенциалов U между его обкладками остаётся постоянной. Пусть в процессе втягивания диэлектрика высота y столба жидкости между пластинами увеличивается на малую величину y (РИС. 2). Тогда работа А, совершаемая силами электрического поля,
A
f y
.
(1)
Кроме того, происходит изменение энергии электрического поля конденсатора на величину
W C2U2  | 
	C1U2  | 
	U2 C  | 
	2  | 
	C  | 
	,  | 
	(2)  | 
2  | 
	2  | 
	2  | 
	1  | 
	
  | 
	
  | 
|
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
|||
где С1 и С2 – ёмкости конденсатора до и после подъёма жидкости на высоту  | 
	y.  | 
|||||
Ёмкость конденсатора, частично заполненного диэлектриком, можно найти как ёмкость двух параллельно включенных конденсаторов, один из которых – с диэлектриком, другой – без него. Ёмкость такой системы равна
C C  | 
	
  | 
	С  | 
	
  | 
	
  | 
	εε ay  | 
	
  | 
	εε (S ay)  | 
	
  | 
	ε S  | 
  | 
	
  | 
	0  | 
	0  | 
	0  | 
|||||
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
|||
  | 
	диэл  | 
	
  | 
	возд  | 
	
  | 
	d  | 
	
  | 
	d  | 
	
  | 
	d  | 
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
ε ay  | 
|
0  | 
	ε  | 
  | 
|
d  | 
	
  | 
1
,
где а – ширина пластины, S – её площадь, ay – площадь погруженной части пластины, d – расстояние между пластинами, ε – диэлектрическая проницаемость жидкости. Отсюда легко найти изменение ёмкости
C  | 
	2  | 
	C  | 
  | 
	1  | 
ε a y  | 
||
0  | 
	
  | 
	ε  | 
  | 
	
  | 
|
  | 
	d  | 
	
  | 
1
.
(3)
Втягивание жидкости в конденсатор и изменение энергии его поля происходит за счет работы источника тока. Если предположить, что процесс втягивания идёт достаточно медленно, то сила тока в цепи столь мала, что можно пренебречь тепловыми потерями, а также считать разность потенциалов обкладок конденсатора равной ЭДС источника. Тогда на основании уравнения энергетического баланса запишем
Aист
W
Асил поля
.
(4)
Работу, совершённую источником тока,
А  | 
	U q  | 
ист  | 
	
  | 
найдём по формуле
U  | 
	2  | 
	C2 C1 ,  | 
  | 
	
  | 
(5)
где  | 
	q U(C2 C1 )  | 
	– дополнительный заряд, перетекающий на пластины конден-  | 
сатора по мере его заполнения диэлектриком (в данном случае на высоту H). Из уравнений (2), (4) и (5) определим работу сил поля
A A  | 
	W U2 C  | 
	2  | 
	C  | 
	1  | 
	
  | 
	(6)  | 
ист  | 
	2  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
||
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
или, учитывая формулу (3), получим
  | 
	
  | 
	4  | 
	
  | 
  | 
	2  | 
	ε a y  | 
	
  | 
A  | 
	U  | 
	ε 1 .  | 
|
  | 
	0  | 
||
  | 
	
  | 
	
  | 
|
  | 
	
  | 
	2d  | 
	
  | 
С другой стороны, по формуле (1) A = f y, отсюда искомая сила равна
  | 
	ε aU  | 
	2  | 
	ε 1 .  | 
f  | 
	
  | 
||
0  | 
	
  | 
||
  | 
	
  | 
	
  | 
|
  | 
	2d  | 
	
  | 
	
  | 
(7)
(8)
Состояние равновесия жидкости наступит, когда будет выполнено условие f = mg. Если выразить массу m втянутого столба жидкости через её плотность ρ и объём V = a∙dh, то получим f = ρa∙dh∙g. В этом выражении h – окончательная высота, на которую поднялась жидкость под действием поля при данном U (при выводе расчётной формулы под y подразумевалось малое приращение высоты). Подставив данное значение силы в формулу (8), найдём окончательное выражение для расчёта диэлектрической проницаемости жидкости
2d2ρg h
ε1 ε0 U2
.
(9)
В стеклянную кювету К, заполненную жидким диэлектриком, опущены две параллельные пластины, к которым подводится напряжение от повышающего трансформатора (РИС. 3). (Переменное напряжение, которое используют в работе, не влияет на справедливость расчётной формулы (7), так как при низкой частоте поляризация диэлектрика успевает следовать за полем.)
  | 
	кВ  | 
	Л ~220 B  | 
  | 
	
  | 
|
К  | 
	
  | 
	h1  | 
  | 
	h2  | 
|
  | 
	
  | 
|
  | 
	С  | 
	
  | 
М
Рис. 3  | 
	Рис. 4  | 
Изменяют напряжение с помощью ЛАТР (Л) (автотрансформатора), который вместе с трансформатором (Тр) находится внутри кожуха установки. Регулировку напряжения проводят поворотом ручки, выведенной на переднюю панель корпуса. Измеряют напряжение на пластинах С киловольтметром (кВ). Изменение уровня жидкости и расстояние между пластинами определяется измерительным микроскопом М. В поле зрения измерительного микроскопа помещена шкала, ориентацию которой можно изменять. Для определения расстояния между пластинами шкалу располагают горизонтально; для определения изменения уровня жидкости при включении напряжения шкалу располагают вертикально. При измерениях следует иметь в виду, что изображение, даваемое окуляром, перевернутое (РИС. 4).
5
3. Порядок выполнения работы
1.Измеряют расстояние d между пластинами. Для этого шкалу микроскопа располагают горизонтально. (Обратите внимание на цену деления шкалы микроскопа.)
2.Устанавливают шкалу микроскопа вертикально и отмечают уровень жидкости
h1 между пластинами в отсутствие напряжения (ручка ЛАТР в положении «0»).
3.Поворотом ручки устанавливают требуемое напряжение (600-700 В). Измеряют уровень жидкости h2 при этом напряжении.
4.Повторяют измерения h2 при других значениях напряжения. Всего 5-7 измерений в интервале от 600 до 1500 В.
4. Обработка результатов измерений
Данные установки
ρ = 820 кг/м3; d = ...; h1 = ...
Таблица 1
№ п/п  | 
	U, В  | 
	h2, мм  | 
	h, мм  | 
	ε  | 
1  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
…  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
  | 
	
  | 
	
  | 
	Среднее  | 
	
  | 
1.Рассчитывают h = h2 – h1 для каждого U.
2.Рассчитывают ε для каждого значения U по формуле
где
K
ε 1 K  | 
	h  | 
||
U  | 
	2  | 
||
  | 
|||
  | 
	
  | 
||
  | 
	2d  | 
	2  | 
	ρg  | 
	
  | 
  | 
	.  | 
|||
ε  | 
	
  | 
|||
  | 
	
  | 
	
  | 
||
  | 
	
  | 
	0  | 
	
  | 
|
,
3. Находят погрешность ε для наибольшего значения U по формуле
ε  | 
	
  | 
|
ε 1  | 
||
  | 
где
а
  | 
	2  | 
K  | 
|
  | 
	
  | 
  | 
	K  | 
h  | 
|
  | 
	h  | 
	2  | 
||
  | 
	
  | 
|||
  | 
	
  | 
|||
  | 
	
  | 
|||
  | 
	
  | 
	h  | 
	
  | 
|
h  | 
	h  | 
|||
  | 
	2  | 
	
  | 
	2  | 
|
  | 
	1  | 
	
  | 
	2  | 
|
  | 
	
  | 
	2  | 
U  | 
||
4  | 
	U  | 
	
  | 
  | 
	
  | 
|
,
,
K
K
Погрешности h1, h2, d
  | 
	
  | 
	d 2  | 
	
  | 
	ρ 2  | 
	
  | 
	g 2  | 
|||
  | 
	4  | 
	d  | 
	
  | 
	
  | 
	ρ  | 
	
  | 
	
  | 
	g  | 
	
  | 
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
|||
и U равны приборным.
ε0 2 .ε0
5. Контрольные вопросы
1.Какие существуют типы диэлектриков? Каков механизм их поляризации?
2.Объясните причину втягивания диэлектрика внутрь конденсатора.
6
3. Чему равно изменение энергии поля конденсатора при изменении высоты столба жидкости на малую величину y?
4.Как найти работу, совершаемую источником тока в процессе втягивания диэлектрика?
5.При выполнении каких условий можно записать уравнение энергетического баланса?
6.Когда наступает состояние равновесия жидкости? Как вела бы себя после включения напряжения U идеальная жидкость, у которой отсутствует вязкость?
7.Выведите расчётную формулу.
8.Как найти амплитудное значение подъёма уровня идеальной жидкости в зазоре между обкладками конденсатора?
9.Какие величины непосредственно измеряются в работе, какими приборами?
10.Как находят погрешности h1, h2, d и U?
