Типы

ОЗУ

Статическое ОЗУ (SRAM) собирается на основе D-триггеров или защелок.

Информация сохраняется на протяжении всего времени, пока подается питание, Работает быстро, время доступа несколько

наносекунд.

Динамическое ОЗУ (DRAM) образовано массивом ячеек, каждая из которых содержит транзистор и конденсатор. Конденсаторы могут быть заряженными и разряженными, что позволяет хранить

нули и единицы.

Поскольку электрический заряд имеет тенденцию исчезать, каждый бит должен («подзаряжаться») обновляться (регенерация DRAM) каждые несколько миллисекунд, чтобы предотвратить потерю данных.

ЦЛУ,

обладающие

памятью

ПЗУ

энергонезависимо, т.е. хранение данных

не требует подачи эн. энергии (питания) ПЗУ не предполагают частую смену

данных

Основные режимы ПЗУ – хранение и чтение данных

1. Хранение 2. Чтение 3. Как ИСКЛЮЧЕНИЕ

(Пере)запись

Основные характеристики ПЗУ:

1.Объем памяти (Кб)

2.Структура массива данных /как и ОЗУ/

(столбец, двумерный массив…)

3.Разрядность данных (1,4,8 бит)

4.Схемотехника ЦЛУ ПЗУ: матрица

плавких перемычек ROM, перезаписываемая EPROM, EEPROM, Flash

(на затворах MOSFET)

5. Режимы взаимодействия с другими ЦЛУ

(сон, работа, деактивация)

____

Типы

ПЗУ

ROM

EEPROM

Масочные

архитектуры

Различают ПЗУ однократной и

многократной записи

1. ПЗУ однократной записи.

Обычно содержат массив плавких перемычек. Для записи выбирают строку и столбец, а затем приложением U к определенному выводу микросхемы пережигают плавкую

Такие

архитектуры

по типу доступа к данным ячейки

тождественны

логике NOR ИЛИ-НЕ

Типы

ПЗУ

ROM

EEPROM

2. ПЗУ многократной перезаписи. Программируемое при изготовлении ПЗУ (PROM) или перепрограммируемое при эксплуатации Erasable Programmable ROM (EPROM)

EPROM - второе поколение ПЗУ. В основе применено свойство затвора транзистора MOSFET определять его состояние

(открыт/закрыт) по уровню электрического

То есть, сообщение заряда затвору

заряда затвора, при этом сам заряд может

MOSFET равносильно записи в него храниться долго

информации в 1 бит

MOSFET остался открыт, т.к.

Ячейка памяти EPROM в 1 битзатвор,

обладая

Типы

ПЗУ

ROM

EEPROM

Что бы

стереть

1 бит, нужно

разрядить

затвор

используя,

например,

фотоэффект

Тогда

ячейка

памяти MOSFET закроется

(обнулится)

Ультра фиолет

Заряд

ЦЛУ ПЗУ EPROM образован массивом ячеек MOSFET структуры NOR/ИЛИ-НЕ,

выполнен как микросхема, содержащее кварцевое окно, и

если его подвергнуть воздействию УФ света, информация в виде зарядов

затворов всех ячеек будет

Типы

ПЗУ

ROM

EEPROM

Архитектура EPROM

и

принцип

действия

ЦЛУ ПЗУ EPROM

Типы

ПЗУ

сопост

авлени

е

Третье поколение ПЗУ (EEPROM)

Electrically Erasable Programmable Read-Only

Memory.

Это электронное перепрограммируемое ЦЛУ, у которого информация в транзисторных ячейках

MOSFET, записанная в виде электрических зарядов, изменяется (стирается) не УФ, а приложением U, электрическое поле которого

снимает/ наводит заряд (т.е. записывает

энергонезависимую информацию в ячейку). Ресурс ЦЛУ по перезаписи информации 10 000 – 1000 000 раз

Поддерживает режим внутрисхемного программирования, когда микросхему ПЗУ

можно перезаписать, не вынимая ее из устройства

Четвертое поколение ПЗУ (EEPROM - Flash)

Современный тип электронно- перепрограммируемого ПЗУ.

В отличие от EEPROM, которое стирается по байтам, флэш-память стирается и записывается блоками.

Основа архитектуры (доступ к данным) - логика

М П У

Определения

Микропроцессорные устройства (МПУ) – особый класс ЦЛУ,

предназначенных для реализации сложных логических, временных и иных функций, которые могут эффективно управлять, обрабатывать информационные потоки и сами изменяться под воздействием этих потоков

МПУ различаются множеством подклассов:

•однокристальные и многокристальные

•скалярные и векторные

•МПУ общего применения и специализированные

(цифровой сигнальный – DSP, микроконтроллер)

•Гарвардская и Фон-Неймановская архитектура и т.д.

•Элементной базой и поколением (БИС, СБИС …)