- •Вопросы и задачи для контроля остаточных знаний к курсу Физика полупроводниковых приборов для студентов 4 курса гр. Рэн2-21, рнт1-21 рэф, нгту
- •0. Вековые загадки полупроводниковой электроники
- •1. Общие вопросы развития элементной базы полупроводниковой электроники
- •2. Общие вопросы и особенности развития полупроводниковой технологии
- •3. Основы физики полупроводников
- •3.1. Уравнения Шредингера и Пуассона
- •3.2. Зонная диаграмма полупроводника
- •3.3 Ключевые задачи
- •3.3.1 Задача о равновесном состоянии и концентрации подвижных зарядов в полупроводниках
- •3.3.2 Задача об электростатических полях в полупроводниках
- •3.3.3 Задача о компонентах тока в полупроводниках
- •3.3.4 Задача о собственной и примесной электропроводность в полупроводниках
- •3.3.5 Задача о процессах генерации-рекомбинации носителей заряда в полупроводнике, находящемся в неравновесном состоянии
- •3.3.6 Задача темпах генерации и рекомбинации
- •3.3.7 Задача о p-n-переходе в состоянии равновесия
- •3.3.8 Задачи о неоднородно легированном полупроводниковом стержне
- •3.3.9 Задачи о полупроводнике в состоянии равновесия
- •3.3.10 Задача о поле в p-n-переходе
- •3.3.11 Задача о стационарном токе в p-n-переходе
- •Дополнительная рекомендуемая литература и дополнительные материалы
3.3.11 Задача о стационарном токе в p-n-переходе
Покажите, что в одномерном кремниевом p-n-переходе, находящемся в стационарном состоянии, полный ток равен нулю в любой точке структуры.
4. Организация микроэлектронной промышленности, бизнес и экономика (Для подготовки по этому разделу предлагается использовать материал Калинина С.В. «Основные особенности развития современной полупроводниковой промышленности» & Википедию)
– Поясните суть понятия «Кремниевая долина» (Silicon Valley). Какие существуют другие характерные примеры значительной концентрации полупроводниковой промышленности в мире и России?
– Почему не удается создать «Кремниевую долину» в России? Какие условия, по Вашему мнению, для этого необходимы?
– Перечислите основные классы, на которые можно разделить все мировые полупроводниковые компании. Приведите конкретные примеры.
– Дайте определение IDM – компании. Приведите пример российской компании этого типа.
– Дайте определение Foundries–компании. Приведите пример российской компании этого типа.
– Дайте определение Fabless – компании. Приведите пример российской компании этого типа.
– Назовите все мировые IDM–компании, которые в настоящее время обеспечивают выпуск ИС с проектными нормами 22нм.
– Назовите все мировые Foundries–компании, которые в настоящее время обеспечивают выпуск ИС с проектными нормами 22нм.
– Перечислите все основные САПР, которые сейчас используются при разработке и проектировании ИС. Какие из них широко используются в России?
– Поясните суть термина «Design Kit» (или «Process Design Kit» - PDK). Какие кремниевые мастерские сейчас используются (готовятся к использованию) в России?
– Поясните, какие САПР используются сейчас в мире для разработки и проектирования элементной базы ИС? В чем состоит суть термина – TCAD?
– Назовите российские TCAD-системы моделирования. Какие их зарубежные аналоги сейчас широко используются в Росси?
– Какие ресурсы и в каком количестве, по данным экспертов ITRS, обеспечивает использование TCAD-моделирования при проектировании ИС?
Дополнительная рекомендуемая литература и дополнительные материалы
Левинштейн М.Е., Симин Г.С. Барьеры. От кристалла до интегральной схемы – М., Наука, 1987
Авдонин Б.Н., Мартынов В.В. Электроника. Вчера…Сегодня. Завтра? Очерки по истории, технологии, экономике – М., 2005
Подборка материалов «Транзистор – наше все»
Са Цзитан Развитие МОП-транзистора от концепции до СБИС – ТИИЭР (журнал) 1988, том 76, №10, стр. 69-122
Грундман М. Основы физики полупроводников. Нанофизика и технические приложения. Введение – М., Наука,2012, стр. 31-46
Маллер Р., КейминсТ. Элементы интегральных схем . Гл. 2- Технология изготовления кремниевых приборов – М., Мир, 1989, стр.81-157
Соклоф С. Аналоговые интегральные схемы. Гл. 1 Технология изготовления интегральных схем Гл. 2. Интегральные схемы – М., Мир, 1988, стр.11-160
Научно-образовательный журнал «Окно в микромир» – Интернет-ресурс http://www-magazine.ru/
Википедия (рус. и анг.) – Интернет-ресурс
Эндерлайн Р. Микроэлектроника для всех— М., Мир, 1989
Журналистика и не только
Рюгемер В. Новая техника – старое общество. Кремниевая долина – М., Политиздат, 1988
Тим Джексон. INTEL. Взгляд изнутри. Как Энди Гроув создал мирового лидера по производству микросхем – М., Лори, 1998
Гранин Д. Бегство в Россию – Новый мир, 1994, №7.
Гроув Э. Выживают только параноики. Как использовать кризисные периоды, которые переживает любая компания – М., 2009
Ролики на YouTube
PN переход (The PN Junction) - Версия на русском;
Открытие p--n перехода;
Производство интегральных микросхем;
Структура интегральных микросхем
Как Устроены Микросхемы
Стенфорд, Силиконовая долина
ГК "Микрон": чипы, карты, инновации
Российские микрочипы. Завод Микрон
Экскурсия на завод микросхем «Ангстрем»
Silicon Wafer Production
The Fabrication of Integrated Circuits
Статьи из Википедии (https//ru.wikipedia.org)
Изобретение транзистора*
Изобретение интегральной схемы*
Вероломная восьмерка
Интегральная схема
Технологический процесс в электронной промышленности*
Планарная технология*
Multigate device*
Модель Дила-Гроува
Нанотехнология
Intel
Samsung
TSMC
Список микроэлектронных производств
Кремниевая долина
Компания SYNOPSYS
P.S. Внимание!!!
Статьи, помеченные символом звездочка, должны быть законспектированы в обязательном порядке!!!