
- •Теорема Остроградського-Гаусса.
- •Скін-ефект
- •Умова виникнення самостійного газового розряду. Плазма газового розряду
- •Експериментальна перевірка закону Кулона. Теоретичне обґрунтування досліду Кавендіша.
- •Експериментальна перевірка закону Кулона. Теоретичне обґрунтування досліду Кавендіша.
- •Температурна залежність намагніченості феромагнетиків. Закон Кюрі - Вейсса.
- •Труднощі теорії Друде-Лоренца.
- •Дослід Кулона. Закон Кулона.
- •Поверхневі і об’ємні поляризаційні заряди, їх зв’язок із вектором поляризації.
- •Теорема Пойтінга.
- •Теорема Ірншоу.
- •2.Природа діамагнетизму. Теорема Лармора.
- •3.Термоелектронна, автоелектронна і фотоелектронна емісія.
- •Електростатичний Генератор Ван-де-Граафа
- •Електростатичний Генератор Ван-де-Граафа
- •Електростатичний Генератор Ван-де-Граафа
- •Теорія Ланжевена оріентаційпої поляризації газів зі сталим дипольним моментом.
- •Теорія Ланжевена оріентаційпої поляризації газів зі сталим дипольним моментом.
- •Формула Річардсона-Дешмана
- •Провідники в електростатичному полі.
- •Провідники в електростатичному полі.
- •Закон Джоуля-Ленца в інтегральній та диференціальній формі
- •Закон Джоуля-Ленца в інтегральній та диференціальній формі
- •Довести поперечність електромагнітної хвилі
- •Взаємна енергія двох диполів.
- •Вплив форми та розміру тіла ан його магнітні властивості. Поле розмагнічування.
- •Закон Джоуля-Ленца в класичній електронній теорії металів Друде-Лоренца.
- •Еквівалентність виразів для електростатичного поля для випадків її локалізації у місці знаходження розподіленого заряду та наявності електростатичного поля.
- •Вектор-потенціал магнітного поля
- •Умова виникнення самостійного газового розряду. Плазма газового розряду.
- •Класична теорія поляризації газів.
- •Закон електромагнітної індукції Фарадея. Правило Ленця.
- •Закон Відемана-Франца в класичній електронній теорії металів Друде-Лоренца.
- •Закон Відемана-Франца в класичній електронній теорії металів Друде-Лоренца.
- •Закон Відемана-Франца в класичній електронній теорії металів Друде-Лоренца.
- •Частотна залежність сумарної діелектричної проникності діелектриків
- •Закон Ампера для магнітної взаємодії струмів в інтегральній і диференціальній формі.
- •Закон Ампера для магнітної взаємодії струмів в інтегральній і диференціальній формі.
- •Закон трьох других
- •Зв'язок між напруженістю електростатичного поля та потенціалом
- •Магнітна сприйнятливість та магнітна проникність
- •Зв’язок енергії електро статичного поля з пондеромоторними силами. Абсолютний вольтметр
- •Закон Біо-Савара-Лапласа в інтегральній і диференціальній формах.
- •Формула Річардсона-Дешмана
- •Формула Клаузіуса-Моссотті. Поляризаційна катастрофа.
- •Самостійний і несамостійний газовий розряд. Основні типи самостійного газового розряду.
- •Електричний диполь. Поле диполя
- •Теорема про циркуляцію вектора напруженості магнітного поля по замкнутому контуру в інтегральній і диференціальній формі.
- •Сегнетоелектрики. Сегнетоелектричні Домени.
- •Знаходження розподілу потенціалу методом електричних зображень.
- •Умови для векторів напруженості магнітного поля і магнітної індукції на межі двох магнетиків.
- •Диференціальна форма запису теореми Остроградського-Гаусса.
- •П’єзоелектричний ефект
- •Вектор електричного зміщення . Диференціальне формулювання теореми Остроградського - Гауса для поля в діелектриках .
- •Діаграма направленості диполя Герца . Залежність потужності випромінювання від частоти .
- •Інваріантність рівнянь Максвелла відносно перетворень Лоренца.
- •Енергія електростатичного поля , її локалізація за наявності розподіленого заряду.
- •Тиск електромагнітних хвиль.
- •Природа носіїв заряду в металах. Досліди Рікке та Томлена і Стюарта.
- •Потенціальний характер електростатичного поля. Інтегральне та диференціальне формулювання потенціальності електростатичного поля.
- •Імпульс електромагнітної хвилі.
- •Вектор електричного зміщення. Диференціальне формулювання теореми Остроградського-Гаусса для поля в діелектриках. © kot
- •Діаграма направленості диполя Герца. Залежність потужності випромінювання від частоти. © kot
- •Електроємність. Конденсатори. Послідовне і паралельне з’єднання конденсаторів.
- •Абсолютна електромагнітна система одиниць та її зв’язок с абсолютною електростатичною системою одиниць. Електродинамічна стала.
- •Швидкість розповсюдження електромагнітної хвилі.
- •Енергія електростатичного поля, її локалізація за рахунок поля.
- •Струм зміщення.
- •Закон Ома в інтегральній і диференциальной формі.
- •Відносний характер електричних і магнітних полів
- •Поляризація густи газів, рідин та твердих тіл. Поле Лоренца. Формула Лоренц-Лоренца.
- •Класична теорія парамагнетизму. Формула Ланжевена і закон Кюрі.
- •Закон Ома в класичній електронній теорії металів Друде-Лоренца
- •Вплив форми та розміру тіла на його магнітні властивості. Поле розмагнічування.
- •Сила Лоренца. Рух заряду в електричному та магнітному полі. Ефект Холла
- •Повна енергія випромінювання диполя Герца. Опір випромінювання
П’єзоелектричний ефект
В багатьох кристалах при деформації в деяких напрямках виникає електрична поляризація. В результаті чого на їх поверхнях з’являються кристали протилежних знаків. Це явище отримало назву прямого п’єзоелектричного ефекту. П’єзоелектричними властивостями можуть володіти тільки іонні кристали. Для існування п’єзоефекту необхідно, щоб іонний кристал не мав центру інверсії, тобто такої точки, відображення в якій суміщає кристал із самим собою. В кристалі, в якому немає центру інверсії, існують так звані полярні осі, тобто такі осі, два напрями яких нерівноправні. Поворот кристалу на 1800 навколо будь якої прямої, перпендикулярної до полярної вісі, не суміщає його із самим собою. Деформація іонного кристалу вздовж цих осей приводить до його поляризації. В 1881 році Ліппман, виходячи з термодинамічних міркувань, передбачив існування оберненого п’єзоелектричного ефекту, котрий в тому ж році був експериментально виявлений братами Кюрі. Обернений п’єзоефект полягає в тому, що під дією електричного поля в п’єзоелектричних кристалах з’являються механічні напруги і деформації. Існує поздовжній і поперечний обернений п’єзоефект. При прикладенні електричного поля вздовж полярної вісі змінюються розміри кристалу вздовж неї (поздовжній ефект) і перпендикулярно до неї ( поперечний ефект ). Об’єм кристалу при цьому не змінюється, тому, якщо один розмір зменшується, то другий збільшується.Механізм оберненого п’єзоефекту зрозумілий із наведених вище міркувань для прямого ефекту: при подаванні різниці потенціалів на пластини конденсатору поле, що виникає, зміщує додатні та від’ємні іони в протилежні сторони, комірка і кристал деформуються.
Пояснення п’єзоелектричного ефекту. Нехай (для спрощення) у нас є кристалічна решітка зображена на рис. При стиснені вздовж осі Х1 у нас на площині А утвориться негативний заряд, а на площині В позитивний( повздовжний п’єзоефект ). Якщо ж впоперек осі Х1 заряди розташуються навпаки(поперечний п’єзоефект). Вісь Х1 п’єзовісь. І позначається Х. Z оптична вісь.
Px=d11(τx
–τy)
, де τx
,τy
механічний натяги, які дію паралельно
вісям X, Y, a d11
п’єзоелектричний модуль.
Px
– вектор
поляризації по х.
Вектор електричного зміщення . Диференціальне формулювання теореми Остроградського - Гауса для поля в діелектриках .
В діелектриках , на відміну від провідників , заряди можуть зміщуватись з положень рівноваги тільки на малі відстані . Під дією зовнішнього електричного поля центр негативного заряду зміщується відносно позитивного . Це явище називається поляризацією .
Описується вектором
поляризації
(1),
де альфою позначена діелектрична
сприйнятливість . Електричне поле
діелектрика характеризуєтьсявектором
електричного зміщення
(2).
Вводячи поняття діелектричної
проникливості
(3)
переписуємо (2) і маємо
(4)
Наявність діелектрика
призводить до появи зв’язаних зарядів
. Тобто ел. поле буде складатися з поля
вільних і поля зв’язаних зарядів . (це
дає підставу замінити
(5))
Запишемо теорему Гауса , замінивши заряд на суму вільних і зв’язаних зарядів.
(6)
, оскільки
(7)
То з (6) та (7) маємо
(8)
Підставляючи (2) у
(8) маємо(9),
Це , власне ця
теорема в інтегральній формі , користуючись
теоремою О-Г з курсу мат.аназізу
(10)
маємо
(11)
розписуємо заряд через густину заряду
і підставляємо в (11) маємо
(12)
Прирівнюємо
підінтегральні вирази маємо довгоочікувану
теорему