1.5. Порядок проведения работы

1. Ознакомиться с методическим руководством.

2. Получить задание у преподавателя.

3. При отключенном от сети стенде повернуть ручки регулируемых резисторов R₁ и R₂ против часовой стрелки до упора. Тумблером П_С включить стенд. Описанные операции осуществлять перед проведением каждого эксперимента.

4. Снять входные характеристики транзистора при заданных значениях U_КЭ. Для этого резистором R₂ установить по вольтметру ИП₄ U_КЭ=0В (или любое другое значение). Резистором R₁ установить по милливольтметру ИП₁ напряжение U_БЭ, указанное в таблице 6.1. Величины токов I_Б снимать по показаниям микроамперметра ИП₂. Результаты записать в таблицу 6.1.

Внимание! После каждой установки напряжения U_КЭ следить за величиной U_КЭ и при необходимости корректировать, так как по условию U_КЭ=const.

5. Снять выходные характеристики транзистора при заданных значениях тока I_Б. Резистором R₁ установить по микроамперметру ИП₂ ток базы, например I_Б=50мкА (или другое заданное значение). Резистором R₂ установить по вольтметру ИП₄ напряжение U_КЭ, указанное в таблице 6.2. Величины тока I_К снимать по показаниям ИП₃. Результаты записать в таблицу 6.2.

Внимание! После каждой установки U_КЭ следить за величиной I_Б, и при необходимости корректировать, т.к. по условию I_Б=const. После проведения экспериментов необходимо рукоятки резисторов R₁ и R₂ повернуть против часовой стрелки до упора и тумблером П_с отключить стенд от сети.

6. Построить графики зависимостей: при,при.

7. В соответствии с индивидуальным заданием определить h-параметры транзистора по его статическим характеристикам.

8. Выполнить п. 5 общего задания.

9. Составить отчёт и подготовиться к его защите .

1.6. Обработка экспериментальных данных

Все результаты измерений оформить в виде таблиц 1.1 и 1.2.

1.7. Выводы по работе

В выводах отразить: практическое значение статических характеристик, эквивалентной схемы и h-параметров транзистора.

1.8. Указания по оформлению отчёта

Составить отчёт о работе, в котором привести: цель работы, схему установки, результаты экспериментов (в виде таблиц), графики полученных зависимостей, вычисления h-параметров и физических параметров транзистора, эквивалентную схему транзистора и выводы по работе.

Таблица 1.1 – Результаты измерений при снятии входных характеристик транзистора