Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Методичка по ЛР.doc
Скачиваний:
39
Добавлен:
05.03.2016
Размер:
1.57 Mб
Скачать

1.3.3. Расчет h-параметров транзистора по его статическим характеристикам для схемы оэ

Реально измеренными величинами являются статические характеристики транзистора. Примерный вид входных и выходных характеристик исследуемого транзистора показан на рис. 1.4 и 1.5.

Рис. 1.4. Входные характеристики

транзистора

Рис. 1.5. Выходные характеристики транзистора

Задаёмся режимом работы транзистора, например: ,. Данному режиму на входных характеристиках соответствует точка, а на выходных – точка. Через точкупроводим касательную к воображаемой характеристикепри. Это выполнить несложно, так как приведенные характеристики приипочти совпадают, а кривая придолжна лежать между ними. Затем произвольно проводим две прямые параллельно осям координат и получаем прямоугольный треугольник АВС. Его катеты соответственно равны:

; .

Находим Ом.

На выходных характеристиках проводим касательную через точку (касательная совпадает с характеристикойпри) и также произвольно проводим две прямые параллельно осям координат. Образуется треугольник, из которого имеем:

.

Определяем Cм.

Затем через точку проводим прямую, параллельную оси ординат, до пересечения с соседними характеристиками, построенными прии. Отрезок. Ему соответствует изменение тока базы

.

Находим .

Далее вычисляем физические параметры транзистора. Сопротивление эмиттера для выбранного режима равно:

Ом,

где и– токи коллектора и базы, соответствующие точкена выходных характеристиках транзистора (рис. 1.5).

Сопротивление базы равно:

Ом.

Сопротивление коллектора равно:

.

После расчёта физических параметров можно составить эквивалентную схему исследуемого транзистора.

1.4. Описание лабораторной установки. Общее задание на выполнение лабораторной работы

1.4.1. Описание лабораторной установки

Принципиальная схема для получения входных и выходных характеристик биполярного транзистора представлена на рис. 1.6. Лабораторная установка позволяет снимать статические характеристики транзистора, включенного по схеме ОЭ. Изменение токов и напряжений в цепи базы осуществляется с помощью регулируемого резистора R1, а в цепи коллектора – с помощью резистора R2.

Рис. 1.6. Схема лабораторной установки

1.4.2. Общее задание на выполнение лабораторной работы

1. Снять входные статические характеристики биполярного транзистора при, включенного по схеме ОЭ.

2. Снять выходные статические характеристики транзистора при.

3. Построить графики статических характеристик транзистора.

4. Определить h-параметры для заданного режима транзистора по графикам его статических характеристик.

5. Вычислить физические параметры и составить эквивалентную схему транзистора.

Примечания:

1. Значения напряжения коллектор-эмиттер для снятия входных характеристик и значения тока базы для снятия выходных характеристик задаёт преподаватель.

2. Значения токов и напряжений, при которых следует рассчитать h-параметры транзистора, указаны в индивидуальных заданиях.