
- •Курс лекций
- •Технологии наноэлектроники
- •Молекулярно-лучеваяэпитаксия.
- •Газофазная эпитаксия из металлоорганических соединений.
- •Нанолитография.
- •Разрешающая способность.
- •Оптическая литография.
- •Рентгеновская литография.
- •Электронная литография.
- •Ионная литография.
- •Возможности методов литографии в наноэлектронике.
- •Нанопечатная литография.
- •Процессы травления в нанотехнологии.
- •Процессы самосборки повторяющихся структур.
- •Самосборка в объемных материалах.
- •Самосборка при эпитаксии.
- •Пленки пористых материалов.
- •Пленки пористого кремния.
- •Пленки пористого оксида алюминия.
- •Пленки поверхностно-активных веществ.
- •Основные определения и механизмы.
- •Осаждение пленок пав.
- •Пленки на основе коллоидных растворов.
- •Основные определения и свойства.
- •Золь-гель технология.
- •Методы молекулярного наслаивания и атомно-слоевой эпитаксии.
- •Зондовые нанотехнологии.
- •Физические основы зондовой нанотехнологии.
- •Контактное формирование нанорельефа.
- •Бесконтактное формирование нанорельефа.
- •Локальная глубинная модификация поверхности.
- •Межэлектродный массоперенос.
- •Электрохимический массоперенос.
- •Массоперенос из газовой фазы.
- •Локальное анодное окисление.
- •Стм-литография.
- •Методы исследования наноструктур.
- •Сканирующая зондовая микроскопия.
- •Сканирующая туннельная микроскопия.
- •Атомно-силовая микроскопия.
- •Ближнепольная сканирующая оптическая микроскопия.
- •Масс-спектроскопия атомов и молекул.
- •Определения и возможности.
- •Конструкции масс-анализаторов.
- •Вторично ионная масс-спектроскопия.
- •Электронные микроскопы.
- •Просвечивающие электронные микроскопы.
- •Растровые электронные микроскопы.
- •Метод дифракции медленных электронов (дмэ).
- •Метод дифракции отраженных быстрых электронов (добэ).
- •Оже-электронная спектроскопия.
- •Фото-электронная спектроскопия.
- •Полевая эмиссионная микроскопия.
- •Эллипсометрия.
- •Конфокальная сканирующая оптическая микроскопия.
- •Радиоспектроскопия.
- •Электронный парамагнитный резонанс.
- •Ядерный магнитный резонанс.
- •Ядерный квадрупольный резонанс.
- •Рентгено-структурный анализ.
- •Метод Лауэ.
- •Метод Дебая-Шеррера.
- •Компьютерный метод дш.
Электронные микроскопы.
Электронная микроскопия— это совокупность методов исследовании наноразмерных структур с помощью электронных микроскопов.
Электронный микроскоп представляет собой электронный прибор для наблюдения и исследования многократно увеличенного изображения объекта, в котором используются пучки электронов (30 кэВ - 1000 кэВ).
В электронных микроскопах используют возможность облучения образца коаксиальным пучком электронов с помощью электромагнитного поля, а также детекцию распределения электронной плотности в пучке после взаимодействия его с образцом. В 1928 году М. Кнолль и Е. Руска создали первый просвечивающий электронный микроскоп.(Нобелевская премия по физике). Затем был построен растровый микроскоп, работающий на принципе сканирования объекта.
Различные конструкции электронных микроскопов позволили развить новый эффективный метод исследования объектов — электронную микроскопию.
Метод электронной микроскопии позволяет исследовать микроструктуру объектов, их локальный состав, а также локализацию электрических и магнитных микрополей на поверхностях или в микрообъемах. В настоящее время разработаны конструкции различных электронных микроскопов. В основе их работы лежат как физическая основа корпускулярно-лучевых приборов, так и волновая природа электронов. В электронных микроскопах изображение нанообъектов формируется пучком электронов.
Просвечивающие электронные микроскопы.
Просвечивающие электронные микроскопы (ПЭМ) являются универсальными приборами многоцелевого назначения. Просвечивающие электронные микроскопы используют волновые свойства движущихся электронов. Схема просвечивающего микроскопа приведена на рис. 1.33.
Рис. 1.33. Схема просвечивающего электронного микроскопа.
Электронный пучок формируется электронной пушкой и конденсорными линзами с апертурой и фокусируется на исследуемом образце. Образец устанавливается на нанопозиционере, имеющем три степени свободы. С помощью электромагнитной линзы объектива и линзы проектора электронное изображение фокусируется на люминесцентный экран. Электроны возбуждают экран и формируют увеличенное изображение исследуемого объекта, которое может регистрироваться телевизионной камерой и камерой на приборах с зарядовой связью.
При ускоряющем напряжении до 600 кВ можно получить разрешение порядка ангстрема.
Просвечивающие электронные микроскопы используют для наблюдения изображения объектов в светлом и темном полях, а также изучения структуры объектов методом электронографии. В ПЭМ используются электроны энергией от 1 кэВ до 5 МэВ, позволяющие просветить электронным пучком объекты толщиной до десятка нанометров. Поверхностная геометрическая структура в ПЭМ исследуется с помощью реплик. Этот метод вызывает определенные неудобства.
Разработаны конструкции сканирующего просвечивающего микроскопа, в котором исследуемый образец сканируется тонким электронным лучом.
Исследования атомного строения вещества удобно проводить с помощью электронографов, которые реализованы по электроннооптической схеме ПЭМ. Узкий электронный пучок в электронографе направляется на исследуемую наноструктуру. На люминесцентном экране создается дифракционное изображение — электронограмма. На основе измерения рефлексов от структуры исследуемого объекта проводятся вычисления и формируется представление об объекте.